8 月 8 日消息，比利時(shí)微電子研究中心 imec 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，在其與 ASML 合作的 High NA EUV 光刻實(shí)驗(yàn)室首次成功利用 High NA EUV 光刻機(jī)曝光了邏輯和 DRAM 的圖案結(jié)構(gòu)。

在邏輯圖案方面，imec 成功圖案化了單次曝光隨機(jī)邏輯機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了 9.5nm 密集金屬線（IT之家注：對(duì)應(yīng) 19nm Pitch），將端到端間距尺寸降低至 20nm 以下：

▲ 密集金屬線。圖源 imec，下同

不僅如此，imec 實(shí)現(xiàn)了中心間距 30nm 的隨機(jī)通孔，展現(xiàn)了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性：

▲ 隨機(jī)通孔

此外，imec 通過(guò) High NA EUV 光刻機(jī)構(gòu)建了 P22nm 間距的二維特征，顯示了新一代光刻技術(shù)在二維布線方面的潛力：

▲ 二維特征

而在 DRAM 領(lǐng)域，imec 成功利用單次曝光圖案化了集成 SNLP（Storage Node Landing Pad）和位線外圍的 DRAM 設(shè)計(jì)，展現(xiàn)了 High NA EUV 減少曝光次數(shù)的能力：

▲ DRAM 設(shè)計(jì)

imec 總裁兼首席執(zhí)行官 Luc Van den hove 表示：

這些結(jié)果證實(shí)了 High NA EUV 光刻技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)所預(yù)測(cè)的分辨率能力，一次曝光即可實(shí)現(xiàn) 20nm 以下間距的金屬層。

因此 High NA EUV 將對(duì)邏輯和存儲(chǔ)器技術(shù)的尺寸擴(kuò)展起到重要作用，而這正是將路線圖推向 "埃米時(shí)代" 的關(guān)鍵支柱之一。

這些早期演示之所以能夠?qū)崿F(xiàn)，要?dú)w功于 ASML-imec 聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的建立，它使我們的合作伙伴能夠加快將 High NA 光刻技術(shù)引入制造領(lǐng)域。