3月1日消息，EUV光刻機(jī)商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)8年了，然而產(chǎn)能還有很大優(yōu)化空間，ASML前幾天公布了一項(xiàng)光源功率提升到1000W的新技術(shù)，現(xiàn)在歐洲又找到了新的優(yōu)化方法。

這次靠的是IMEC歐洲微電子中心，也是全球EUV技術(shù)研發(fā)的核心之一，他們跟ASML提升光源功率的技術(shù)不同，這次提升的是EUV光刻之后的烘培階段的效率。

根據(jù)他們公布的數(shù)據(jù)，在PEB（Post-Exposure Bake曝光后烘培）階段提高氧氣濃度就能提高光刻膠的感光速度，進(jìn)而提升產(chǎn)能效率。

具體來說，PEB的氧氣濃度從標(biāo)準(zhǔn)大氣中的21%提升到50%，MOR型光刻膠的感光速度就能提升15-20%。

別小看這一點(diǎn)效率提升，光刻膠感光速度提升不僅意味著用量減少，也意味著單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)能提升，這對(duì)提高EUV光刻機(jī)產(chǎn)量、降低光刻成本都有重要意義。

相比DUV光刻主要使用CAR化學(xué)增幅型光刻膠，EUV光刻技術(shù)會(huì)全面轉(zhuǎn)向MOR金屬氧化物型光刻膠，是提高光刻分辨率、縮小柵極距、降低缺陷率的關(guān)鍵材料之一。