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臺(tái)積電年底前將接收首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2024/11/5 11:21:21
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消息稱三星電子2025年初引進(jìn)其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2024/10/31 11:00:02
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ASML確認(rèn)出貨第三臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2024/10/18 9:12:55
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英特爾確認(rèn)ASML第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)完成安裝
發(fā)表于：2024/10/10 8:22:00
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消息稱其臺(tái)積電首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)低于ASML3.5億歐元報(bào)價(jià)
發(fā)表于：2024/9/10 10:50:00
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SK海力士計(jì)劃2026年首次導(dǎo)入ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2024/8/20 8:19:26
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imec首次成功利用High NA EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)邏輯DRAM結(jié)構(gòu)圖案化
發(fā)表于：2024/8/8 10:07:16
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全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)即將進(jìn)入英特爾奧勒岡州晶圓廠
發(fā)表于：2024/8/7 10:29:00
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消息指臺(tái)積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù)
發(fā)表于：2024/7/30 10:52:35
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阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室啟用
發(fā)表于：2024/6/5 8:57:42
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臺(tái)積電或?qū)⑤^原計(jì)劃提前采用High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:12
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ASML揭秘High NA EUV：8nm分辨率，晶圓臺(tái)加速度最高32g！
發(fā)表于：2024/1/29 10:54:49
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