11月4日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報導，全球最大的晶圓代工廠商臺積電（TSMC）年底前會收到ASML最先進的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機，每臺售價超過3.5億美元，能使半導體制造商制造線寬更小的芯片。

此前臺積電業(yè)務開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設備價格過高。臺積電依靠現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底，屆時其A16制程技術也將依靠目前的標準型EUV光刻機來量產(chǎn)。

據(jù)介紹，A16將結合臺積電的超級電軌（Super PowerRail）構架與納米片晶體管，預計于2026年量產(chǎn)。相較于N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達1.10倍，以支持數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

最新的消息顯示，臺積電考慮用High NA EUV微影曝光機生產(chǎn)A10制程芯片，比其計劃于2025年底2nm領先約兩代，這也代表了2030年后才能看到這種機器大規(guī)模量產(chǎn)。

相對于臺積電的對High NA EUV光刻機采用的謹慎態(tài)度，希望通過High NA EUV光刻機來加速先進制程工藝研發(fā)，以實現(xiàn)超越臺積電的英特爾則相對比較激進，今年一季度英特爾俄勒岡州晶圓廠就接收了全球第一套High NA EUV光刻機，截至目前該晶圓廠已經(jīng)完成了兩臺High NA EUV光刻機的安裝。英特爾將會先將其用于Intel 18A制程的相關測試，以積累經(jīng)驗，未來將被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

消息人士還表示，ASML的另一競爭對手三星也將于2025年第一季將安裝第一套High NA EUV光刻機。

當然，取得ASML最先進的為High NA EUV光刻機并不意味著代表企業(yè)就能順利的進入“埃米級”制程領域。相反的，目前各大半導體制造企業(yè)正在投資大量經(jīng)費，用以開發(fā)先進封裝技術，已進一步在封裝中放入更多的芯片，帶動芯片的性能。因此，即便High NA EUV較目前的標準EUV具備更精細的分辨率效果，但芯片制造商仍必須進行進一步的設計調整，進而生產(chǎn)更先進的芯片。

另外，High NA EUV光刻機體積比目前的標準EUV體積大得多，高度也更高，這也使得一些新建的晶圓廠才能夠滿足該光刻機的安裝要求。

目前，包括英特爾、三星和臺積電是市場中利用ASML High NA EUV來開發(fā)更先進芯片的“唯三”企業(yè)。ASML表示，當前僅收到了10到20臺這些價值數(shù)億美元的設備訂單。也因為市場需求的稀少，ASML High NA EUV光刻機的成本在較長時間內將難以降低，后續(xù)更新一代的光刻機的研發(fā)可能也將會受到影響。