11月4日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)導(dǎo)，全球最大的晶圓代工廠商臺(tái)積電（TSMC）年底前會(huì)收到ASML最先進(jìn)的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機(jī)，每臺(tái)售價(jià)超過3.5億美元，能使半導(dǎo)體制造商制造線寬更小的芯片。

此前臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，雖然對(duì)High NA EUV能力印象深刻，但設(shè)備價(jià)格過高。臺(tái)積電依靠現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底，屆時(shí)其A16制程技術(shù)也將依靠目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來量產(chǎn)。

據(jù)介紹，A16將結(jié)合臺(tái)積電的超級(jí)電軌（Super PowerRail）構(gòu)架與納米片晶體管，預(yù)計(jì)于2026年量產(chǎn)。相較于N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達(dá)1.10倍，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

最新的消息顯示，臺(tái)積電考慮用High NA EUV微影曝光機(jī)生產(chǎn)A10制程芯片，比其計(jì)劃于2025年底2nm領(lǐng)先約兩代，這也代表了2030年后才能看到這種機(jī)器大規(guī)模量產(chǎn)。

相對(duì)于臺(tái)積電的對(duì)High NA EUV光刻機(jī)采用的謹(jǐn)慎態(tài)度，希望通過High NA EUV光刻機(jī)來加速先進(jìn)制程工藝研發(fā)，以實(shí)現(xiàn)超越臺(tái)積電的英特爾則相對(duì)比較激進(jìn)，今年一季度英特爾俄勒岡州晶圓廠就接收了全球第一套High NA EUV光刻機(jī)，截至目前該晶圓廠已經(jīng)完成了兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的安裝。英特爾將會(huì)先將其用于Intel 18A制程的相關(guān)測(cè)試，以積累經(jīng)驗(yàn)，未來將被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

消息人士還表示，ASML的另一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也將于2025年第一季將安裝第一套High NA EUV光刻機(jī)。

當(dāng)然，取得ASML最先進(jìn)的為High NA EUV光刻機(jī)并不意味著代表企業(yè)就能順利的進(jìn)入“埃米級(jí)”制程領(lǐng)域。相反的，目前各大半導(dǎo)體制造企業(yè)正在投資大量經(jīng)費(fèi)，用以開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)，已進(jìn)一步在封裝中放入更多的芯片，帶動(dòng)芯片的性能。因此，即便High NA EUV較目前的標(biāo)準(zhǔn)EUV具備更精細(xì)的分辨率效果，但芯片制造商仍必須進(jìn)行進(jìn)一步的設(shè)計(jì)調(diào)整，進(jìn)而生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片。

另外，High NA EUV光刻機(jī)體積比目前的標(biāo)準(zhǔn)EUV體積大得多，高度也更高，這也使得一些新建的晶圓廠才能夠滿足該光刻機(jī)的安裝要求。

目前，包括英特爾、三星和臺(tái)積電是市場(chǎng)中利用ASML High NA EUV來開發(fā)更先進(jìn)芯片的“唯三”企業(yè)。ASML表示，當(dāng)前僅收到了10到20臺(tái)這些價(jià)值數(shù)億美元的設(shè)備訂單。也因?yàn)槭袌?chǎng)需求的稀少，ASML High NA EUV光刻機(jī)的成本在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)將難以降低，后續(xù)更新一代的光刻機(jī)的研發(fā)可能也將會(huì)受到影響。