《電子技術(shù)應(yīng)用》
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ASML稱High NA EUV更省時(shí)間與成本

2025-11-21
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: ASML HighNAEUV 光刻機(jī)

光刻機(jī)大廠ASML于11月19日在中國臺(tái)灣舉行媒體會(huì),ASML中國臺(tái)灣暨東南亞區(qū)客戶營銷主管徐寬成指出,隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)持續(xù)不斷微縮,High NA EUV光刻機(jī)將有助于客戶節(jié)省時(shí)間及成本,目前客戶已有英特爾、IBM 及三星等,累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機(jī)曝光。

徐寬成說,當(dāng)今社會(huì)正從芯片無所不在,轉(zhuǎn)變成人工智能(AI)無所不在。AI將驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體先進(jìn)及成熟制程需求成長,預(yù)期2030年全球半導(dǎo)體銷售額將突破1萬億美元大關(guān)。

當(dāng)前摩爾定律的延續(xù)雖然有挑戰(zhàn),不過未來10至15年仍會(huì)依照摩爾定律方向持續(xù)發(fā)展,半導(dǎo)體制程技術(shù)仍將不斷微縮。徐寬成說,過去在浸潤式光刻推進(jìn)至極紫外光(EUV)光刻時(shí),業(yè)界就曾出現(xiàn)過雜音,目前High NA EUV面臨同樣的情況。

徐寬成這里所說的關(guān)于High NA EUV的雜音,主要是指業(yè)界有觀點(diǎn)認(rèn)為,High NA EUV太過昂貴,投入使用所帶來的收益將不成比例。

此前,臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)及全球銷售高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)就曾公開表示,雖然對(duì)High NA EUV能力印象深刻,但設(shè)備價(jià)格超過 3.5 億歐元(3.78 億美元)。目前的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī),仍可以支持臺(tái)積電尖端制程的生產(chǎn)到2026年,臺(tái)積電尖端制程A16也將會(huì)繼續(xù)采用標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)來進(jìn)行生產(chǎn)。隨后,在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺(tái)積電技術(shù)論壇歐洲站活動(dòng)上,張曉強(qiáng)再度重申了其對(duì)High NA EUV光刻機(jī)的長期立場(chǎng),該公司的A16(1.6nm級(jí))和 A14(1.4nm級(jí))工藝技術(shù)都不會(huì)采用 High NA EUV光刻機(jī)。

對(duì)此,徐寬成指出,High NA EUV設(shè)備因具有更高成像質(zhì)量及簡(jiǎn)化流程優(yōu)勢(shì),有助于客戶節(jié)省時(shí)間與成本。

據(jù)徐寬成介紹,目前ASML的High NA EUV客戶有英特爾(Intel)、IBM及三星(Samsung),累計(jì)超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機(jī)制造。不過,今年9月3日,SK海力士公司曾宣布,該公司已經(jīng)在韓國利川的M16制造工廠安裝了首個(gè)High NA EUV(高數(shù)值孔徑極紫外光刻)系統(tǒng)并投入量產(chǎn)。

除了瞄準(zhǔn)尖端制程的High NA EUV之外,ASML也持續(xù)優(yōu)化深紫外光(DUV)微影設(shè)備,協(xié)助客戶以更低成本滿足大量DUV曝光需求。此外,ASML還推出XT:260,以支持先進(jìn)封裝應(yīng)用。


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