9月9日消息，據(jù)外媒Tom's hardware報道，英特爾首席財務官（CFO）David Zinsner在花旗 2025 年全球 TMT 大會上表示,下一代的Intel 14A（1.4nm級）制程技術將是英特爾為代工客戶從頭開始設計第一個尖端制造工藝，因為其將使用ASML最新的0.55NA（數(shù)值孔徑）的High NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200B。

“14A 將比 18A 更貴，”David Zinsner坦言：“雖然就晶圓廠投資而言，14A并沒有明顯更貴。但這肯定會帶來更高的晶圓制造成本，部分原因是我們期望在 14A 中使用High NA EUV 工具，而 18A 中并非如此?！?/p>

英特爾預計，與 18A 相比，其 14A 制造工藝的每瓦性能將提高 15% – 20%，功耗可降低 25% – 18%。14A還將采用第二代 RibbonFET 晶體管架構（一種升級的柵極全方位晶體管結構）和全新的背面供電技術 PowerDirect（一種將電源線直接連接到晶體管源極和漏極的背面供電網(wǎng)絡）。

Intel 14A 還有一項關鍵創(chuàng)新是 Turbo Cells，它通過在密集的標準單元庫中使用高驅(qū)動、雙高單元優(yōu)化關鍵時序路徑來增強 CPU 和 GPU 頻率，從而在不影響面積或功耗的情況下提高性能。然而，為了實現(xiàn) 14A 生產(chǎn)，英特爾需要使用High NA EUV 光刻系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可提供更好的分辨率，因此不需要依賴多圖案化。

ASML稱其High NA EUV 系統(tǒng)在單次曝光中實現(xiàn)了 8nm 分辨率，與當前 Low-NA EUV 工具的 13.5nm 分辨率相比有著很大的提升。盡管 Low-NA EUV 系統(tǒng)也可以使用雙圖案化（雙重曝光）達到 8nm分辨率，但這種方法會增加工藝復雜度并影響良率。然而，High NA EUV將曝光場減少了50%，需要芯片制造商調(diào)整其設計策略。此外，High NA EUV比現(xiàn)有的EUV光刻機更昂貴。

ASML 當前一代 Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E 每臺成本約為 2.35 億美元，而High NA EUV Twinscan EXE：5200B（或更高級）工具預計每臺成本為 3.8 億美元。由于該技術帶來的高成本和獨特挑戰(zhàn)，各家晶圓廠對于何時采用High NA EUV的規(guī)劃各不相同：英特爾正在推動幾年后利用High NA EUV量產(chǎn)14A，而臺積電則采取更謹慎的態(tài)度，其A16制程仍將采用Low-NA EUV。

旨在生產(chǎn)采尖端制程工藝芯片的晶圓廠目前的建設成本從 200 億美元到 300 億美元不等，具體取決于產(chǎn)能配置，因此以 15.2 億美元的價格增加四個 High-NA EUV工具幾乎不會顯著增加晶圓廠成本。同時，14A 研發(fā)成本高達數(shù)十億美元。因此，一旦所有額外成本都加上，它們確實會使 14A 工藝技術比 18A 更昂貴，這就是為什么英特爾代工需要外部客戶來證明額外成本的合理性。

“我認為英特爾首席執(zhí)行官陳立武（ Lip-Bu Tan）所說的是，如果我們沒有在外部獲得 14A 客戶，將很難證明該節(jié)點的合理性，”David Zinsner說。“所以，是的，英特爾產(chǎn)品將成為 14A 的大客戶，事實確實如此，我們需要確保它達到我們可以為股東帶來合理投資回報率的水平。”

此外，David Zinsner還確認，英特爾理論上可將晶圓制造業(yè)務最高49%股份出售給外部投資者，不會違反與美國政府協(xié)議。但是有興趣投資者有限，英特爾不太可能在未來幾年內(nèi)全面分拆晶圓制造業(yè)務并首次公開募股（IPO）。

不久前，美國政府以89億美元入股英特爾，獲得了英特爾約10%的股權，根據(jù)協(xié)議，英特爾必須在5年內(nèi)保持對晶圓制造業(yè)務的控股權。若英特爾對晶圓制造業(yè)務持股低于51%，美國政府可再增持5%，顯示美政府對關鍵產(chǎn)業(yè)的控制權。