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SK海力士256GB DDR5 RDIMM通過英特爾Xeon 6 平臺認證

2025-12-19
來源:芯智訊

12月18日,韓國存儲芯片大廠SK海力士宣布,其256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存模塊已完成英特爾數(shù)據(jù)中心認證流程,成為業(yè)界首款通過英特爾Xeon 6 平臺驗證的同級產(chǎn)品,將進入AI 與云端數(shù)據(jù)中心應用市場。

據(jù)介紹,該RDIMM 內(nèi)存模塊,是基于SK海力士單Die 32Gb 第五代 10nm 級 (1b) DRAM 的高容量服務器內(nèi)存模塊,其內(nèi)部包含一個寄存器或緩沖芯片,用于在內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊中的 DRAM 芯片之間傳遞地址和命令信號。

作為一款獲得英特爾數(shù)據(jù)中心認證的系統(tǒng)/平臺,這款 256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存模塊已經(jīng)通過英特爾高級數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室的廣泛測試和嚴格驗證,是目前業(yè)界首款經(jīng)驗證可與英特爾Xeon處理器完美搭配,提供可靠性能、兼容性和品質(zhì)的服務器內(nèi)存模塊。SK 海力士此前已于今年 1 月為其基于第四代 10nm 工藝(1a 級)芯片的 256GB 16Gb 內(nèi)存產(chǎn)品獲得了類似的認證。

SK海力士率先在業(yè)內(nèi)驗證了其產(chǎn)品與英特爾最新服務器平臺的兼容性,展現(xiàn)了其在高容量DDR5內(nèi)存模塊領域的技術領先地位。基于此,公司將擴大與全球主要數(shù)據(jù)中心運營商的合作,并持續(xù)引領下一代內(nèi)存市場,以滿足服務器客戶快速增長的需求。

在人工智能驅(qū)動的新型基礎設施環(huán)境中,內(nèi)存已成為決定性能的關鍵因素。隨著人工智能推理模型從生成簡單響應發(fā)展到執(zhí)行復雜的邏輯運算,需要實時處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長。為了快速可靠地管理這些海量數(shù)據(jù)集,高容量、高性能內(nèi)存變得不可或缺,從而推動了市場需求的急劇增長。

SK海力士預計其最新產(chǎn)品將成為滿足這一日益增長的需求的理想解決方案。與使用基于 32Gb 芯片的 128GB 內(nèi)存模塊產(chǎn)品相比,配備該新型模塊的服務器推理性能最多可提升 16%。此外,由于采用了 32Gb DRAM 芯片,該設計比之前基于 16Gb 1a DRAM 的 256GB 產(chǎn)品功耗最多可降低約 18%。憑借更高的能效和出色的每瓦性能,該公司預計將受到數(shù)據(jù)中心客戶的廣泛關注。

SK海力士DRAM產(chǎn)品規(guī)劃與賦能負責人李相權(quán)表示:“我們現(xiàn)在能夠更快地響應客戶需求,鞏固我們在服務器DDR5 DRAM市場的領先地位。作為全棧式AI內(nèi)存制造商,我們將積極滿足市場對高性能、低功耗和大容量內(nèi)存解決方案日益增長的需求,以進一步提升客戶滿意度。”

英特爾數(shù)據(jù)中心事業(yè)部平臺架構(gòu)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示:“這項成果代表了英特爾和SK海力士在工程領域的通力合作,也體現(xiàn)了我們共同致力于推進內(nèi)存技術發(fā)展的承諾。這款高容量模塊能夠滿足人工智能應用對高容量工作負載日益增長的需求,幫助我們的客戶在數(shù)據(jù)中心運營中實現(xiàn)更高的性能和效率?!?/p>


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