8月6日消息，市場研究機構(gòu)Yole Group公布的最新報告顯示，得益于人工智能對于存儲芯片及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求的大漲，預計2025年全球存儲芯片市場銷售額將由2023年960億美元增長到超2340億美元。預計2023年到2029年間的年復合增長率達16%。

報告稱，生成式 AI 的迅速采用極大地推動了數(shù)據(jù)中心對高級 DDR5 DRAM 和 HBM 技術(shù)的需求，同時也引發(fā)了對支持 AI 服務器的企業(yè)級 SSD 的需求增加。此外，首批配備設備生成式 AI 功能的智能手機和 PC 正在進入市場。由于大型語言模型的參數(shù)規(guī)模增長，這些設備液需要大量容量的內(nèi)存/存儲，這將進一步推動移動和消費者市場的存儲芯片需求。

Yole Group 內(nèi)存首席分析師西蒙娜·貝爾托拉齊（Simone Bertolazzi）博士表示：“為了應對這波人工智能驅(qū)動的增長浪潮，三星、SK海力士和美光等主要參與者已將其大部分晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向滿足對HBM飆升的需求。這種轉(zhuǎn)變導致了整體比特產(chǎn)量的減速，并加速了向非 HBM 產(chǎn)品供應不足的過渡。2022 年底的減產(chǎn)僅在 2023 年第三季度生效，因為 OEM 庫存水平開始收緊，預示著粗才能市場的反彈?！?/p>

存儲行業(yè)現(xiàn)在的復蘇速度比以前預期的要快，收入預測顯示未來幾年將急劇增長。到 2024 年，DRAM 的收入預計將激增至 980 億美元（同比增長 88%），NAND 的收入將激增至 680 億美元（同比增長 74%）。預計這些數(shù)字將繼續(xù)上升，到2025年達到新的峰值水平，DRAM市場規(guī)模將達1370億美元，NAND市場規(guī)模將達到830億美元。在強勁需求的推動下，尤其是來自數(shù)據(jù)中心的需求，截至 2029 年的長期收入預測預計將進一步增長，DRAM 和 NAND 的 CAGR23-29 估計分別為 17% 和 16%。

在此背景下，市場研究與戰(zhàn)略咨詢公司Yole Group發(fā)布了其年度市場與技術(shù)報告《2024年存儲行業(yè)狀況》，對半導體內(nèi)存行業(yè)進行了最廣泛的概述。在其新研究中，該公司對存儲市場進行了全面的概述。Yole集團的專家全面分析市場，呈現(xiàn)最新的技術(shù)趨勢，并描述供應鏈和內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)。

Simone Bertolazzi表示：“對專為AI訓練和推理而設計的先進計算芯片的需求不斷增長，加劇了三星、SK海力士和美光等頂級DRAM制造商之間的競爭。這些公司正在積極擴大其尖端HBM3/3E技術(shù)的能力，并正在迅速推進下一代HBM3E和HBM4產(chǎn)品的開發(fā)和驗證?！?/p>

目前HBM 技術(shù)已成為 AI 系統(tǒng)的關鍵，并且是 AI 技術(shù)地緣政治格局中的戰(zhàn)略資產(chǎn)。由于美國的出口限制，中國被迫獨立開發(fā)和制造其 HBM 技術(shù)，以滿足其對高性能 AI內(nèi)部HBM的大量需求。

美國的這些限制措施促使中國國內(nèi)進行了大量投資，并采取了各種舉措來制造這些關鍵芯片。據(jù)悉，中國首批HBM2產(chǎn)品日趨成熟，目前正在接受部分客戶的評估，并在內(nèi)部用于服務器處理單元的開發(fā)。盡管落后于全球內(nèi)存技術(shù)領導者六年多，但中國公司決心繼續(xù)參與關鍵的人工智能技術(shù)，并致力于利用廣闊的本地市場開發(fā)中低端人工智能加速器。此外，生產(chǎn)采用中國制造的DRAM和NAND和相關模塊的供應商數(shù)量正在迅速增加，凸顯了對本地生產(chǎn)的半導體存儲設備的迫切需求。