EDA與制造相關(guān)文章 卫星制造商Terran Orbital被洛克希德马丁4.5亿美元低价收购 卫星制造商Terran Orbital被洛克希德马丁4.5亿美元低价收购，股价暴跌 40% 發(fā)表于：2024/8/16 2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8% 2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%，预计第三季合约价将上调 观察三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光科技第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM（高带宽内存）供不应求、推动DRAM买方转为积极采购，第二季合约价最终调涨13%至18%。 發(fā)表于：2024/8/16 三星被曝最快2024年底前开始安装首台ASML High-NA EUV光刻机 三星被曝最快2024年底前开始安装首台ASML High-NA EUV光刻机 發(fā)表于：2024/8/16 降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术 使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低 發(fā)表于：2024/8/15 全球电视ODM工厂TOP10出炉 8月15日消息，洛图科技（RUNTO）今日公布了全球TOP电视ODM工厂7月出货报告。 统计范围内，2024年7月，Top10的专业ODM工厂出货总量较去年同期增长19.8%，环比6月增长2.9%。10家专业工厂中，有8家实现了同比增长，且各有亮点，难见的一副欣欣向荣的景象。 發(fā)表于：2024/8/15 国内首台超大尺寸钙钛矿太阳能电池组件激光刻蚀设备发布 国内首台超大尺寸钙钛矿太阳能电池组件激光刻蚀设备发布 發(fā)表于：2024/8/15 消息称SK海力士启动M16扩产 消息称SK海力士启动M16扩产，目标将公司内存产能提升约18% 發(fā)表于：2024/8/15 北极雄芯宣布两颗芯粒成功交付流片 8月14日消息，北极雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布，历经近2年的设计开发，自主研发的启明935系列芯粒(Chiplet)已经成功交付流片，而且一次性投出两颗，一是通用型HUB Chiplet“启明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”。 發(fā)表于：2024/8/15 英国监管机构启动对Synopsys以350亿美元收购Ansys的交易调查 8月14日 据外媒报道，针对美国电子设计自动化软件供应商Synopsys（新思科技）此前宣布以350亿美元收购工程模拟和3D设计软件公司Ansys的交易，英国竞争与市场管理局(CMA)日前已展开调查。 作为英国竞争监管机构，CMA正在考虑该交易是否会根据《2002年企业法》的合并条款造成相关合并的情况，即这笔拟议的交易是否会导致英国任何服务或商品市场的竞争大幅减少。 为了帮助评估，CMA正在征求有关各方对此次拟议收购交易的意见。提交意见的最后日期将由英国反垄断监管机构确认。第一阶段决定和启动合并调查的截止日期尚未得到反垄断监管机构的确认。 發(fā)表于：2024/8/14 SK海力士将转向4F2结构的3D DRAM 为降低EUV光刻成本，SK海力士将转向“4F2”结构的3D DRAM 發(fā)表于：2024/8/14 SK海力士DDR5被曝涨价15~20% 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。 今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。 發(fā)表于：2024/8/14 HBM带动三大内存原厂均跻身2024Q1半导体IDM企业营收前四 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。 發(fā)表于：2024/8/14 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 發(fā)表于：2024/8/13 传台积电将在高雄建设1.4nm晶圆厂 因应全球芯片订单及AI快速发展，台积电持续寻觅可用厂区土地，将最先进制程技术留在台湾发展。高雄楠梓园区除3座2纳米技术晶圆厂外，还有基地可容纳2纳米以下技术设厂需求。据悉，高雄市府已超前部署，锁定A14（14埃米）制程，盘点次世代先进技术生产土地及水电供给，作为台积电坚强后盾。 针对台积电将于高雄扩大埃米制程布局，公司低调表示不回应市场传言。 發(fā)表于：2024/8/13 消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。 平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。 發(fā)表于：2024/8/13 <…146147148149150151152153154155…>
