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EDA與制造相關(guān)文章

消息称台积电首度委外CoW封装工艺

8 月 6 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》报道，台积电首度释出 CoWoS 中 CoW 步骤的代工订单，已被矽品拿下。矽品将在中科厂投资建设相关产能，预计 2025 年二季度机台进驻、三季度放量。报道提到，本次具体委托的工艺来自 CoWoS-S，即使用高性能高成本硅中介层（Si Interposer）的 CoWoS。台积电 CoWoS 先进封装可大致分为 CoW 和 WoS 两步骤，前者结合芯片与中介层，而后者则负责将中介层同基板封装到一起。其中 CoW 更为复杂、利润也更为丰厚；WoS 较为简单、利润较低。

發(fā)表于：2024/8/7

群创光电计划年底前量产扇出型面板级半导体封装工艺

8 月 6 日消息，群创光电（Innolux Corporation）总经理杨柱祥昨日（8 月 5 日）表示，公司正积极布局和推进半导体扇出型面板级封装（FOPLP），有望今年年底前量产 Chip First 制程技术，对营收的贡献将于明年第 1 季度显现。群创光电表示未来 1-2 年内有望量产针对中高端产品的重布线层（RDL First）制程工艺，并和合作伙伴一起研发技术难度最高的玻璃钻孔（TGV）制程，还需要 2-3 年才能投入量产。杨柱祥表示群创的 FOPLP 技术已 " 准备好量产了 "，会从中低端产品入局，未来再逐步扩展到中高端产品。

發(fā)表于：2024/8/7

是德科技推出 System Designer 和 Chiplet PHY Designer

　　是德科技（Keysight Technologies, Inc.）宣布推出 System Designer for PCIe®，这是其先进设计系统（ADS）软件套件中的一款新产品，支持基于行业标准的仿真工作流程，可用于仿真高速、高频的数字设计。System Designer for PCIe 是一种智能的设计环境，用于对最新的 PCIe Gen5 和 Gen6 系统进行建模和仿真。是德科技还在改进其电子设计自动化平台，通过为现有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，评估 Chiplet 中芯片到芯片的链路裕度性能，并对电压传递函数（VTF）是否符合相关参数标准进行测量。

發(fā)表于：2024/8/6

攀登勇者，志在巅峰 | 中微公司二十载风华正茂，临港基地落成共启新篇章

　　中国上海，2024年8月2日——中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）今日迎来成立20周年纪念日，并于临港产业化基地隆重举行“20周年盛会华章暨临港基地落成庆典”。上海市委常委、临港新片区党工委书记、管委会主任陈金山等各级相关政府领导、行业合作伙伴、股东代表等约800人出席活动，共同见证了这一具有深远意义的重要时刻。临港产业化基地的正式投入使用，为中微公司风华正茂二十载的发展历程再添辉煌一笔，为未来的加速发展注入新的活力和动力，也为不断攀登巅峰的征程开启了新篇章。

發(fā)表于：2024/8/6

台积电2025年5nm和3nm制程涨价3%~5%

台积电2025年5nm和3nm制程涨价3%~5%，已于7月通知客户

發(fā)表于：2024/8/6

俄罗斯目前仅有5台老式ASML光刻机

8月1日消息，自俄乌冲突爆发之后，俄罗斯被众多国家和地区制裁，导致各种半导体芯片及设备的进口都受到了限制。这也迫使俄罗斯加大了对于自研、本土制造芯片的投入，但依然会面临设备、材料等很多方面的瓶颈。不过，据外媒《The Insider》报导，俄罗斯目前仍然可以通过一些途径从中国台湾进口半导体硅片等产品，这些是制造芯片所必须的原材料。

發(fā)表于：2024/8/6

imec Si MOS量子点制造实现了创纪录的低电荷噪声

近日，比利时微电子研究中心（imec）宣布成功演示了高质量 300 毫米硅基量子点自旋量子比特处理，该设备在 1Hz 时产生具有统计意义的平均电荷噪声 0.6µeV/√ Hz。就噪声性能而言，所获得的值是在 300 毫米晶圆厂兼容平台上实现的最低电荷噪声值。如此低的噪声值可实现高保真量子比特控制，因为降低噪声对于保持量子相干性和高保真控制至关重要。通过在 300 毫米 Si MOS 量子点工艺上反复且可重复地演示这些值，这项工作使基于硅基量子点的大规模量子计算机成为现实。

發(fā)表于：2024/8/6

安森美8英寸碳化硅晶圆将进行资格认证

8月6日消息，图像传感器及功率半导体大厂安森美（Onsemi）近日宣布，将于今年晚些时候对200毫米（8英寸）碳化硅晶圆进行认证，并于2025年投产。

發(fā)表于：2024/8/6

中国新公司的涌现速度超过了美国禁令所能打击的速度

中国新公司的涌现速度超过了美国禁令所能打击的速度

發(fā)表于：2024/8/6

极氪首位人形机器人员工上岗

8月5日消息，优必选科技近日宣布与吉利和天奇股份建立战略合作关系。三方将利用各自的优势资源，共同推动人形机器人在汽车及零部件智能制造领域的应用，并联合创建创新示范项目

發(fā)表于：2024/8/6

三星电子宣布量产业界最薄 LPDDR5 内存封装

三星电子宣布量产业界最薄 LPDDR5 内存封装，较上代厚度减约 9%

發(fā)表于：2024/8/6

SEMI：第二季全球半导体硅片出货面积环比增长7.1%

SEMI：第二季全球半导体硅片出货面积环比增长7.1%，创四个季度新高

發(fā)表于：2024/8/5

安森美旗下氮化镓芯片代工厂BelGaN申请破产

8月3日消息，位于比利时奥德纳尔德的氮化镓（GaN）芯片代工厂BelGaN已申请破产。资料显示，BelGaN团队和工厂源于1983年成立的MIETEC，后来该公司被阿尔卡特收购，再后来又被AMI Semiconductor收购，2008年，该公司又被出售给了安森美半导体，并于2009年开始开发GaN，致力于成为欧洲领先的6英寸和8英寸氮化镓汽车半导体代工厂。

發(fā)表于：2024/8/5

SK海力士计划在2025年底量产400层NAND Flash

8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。然而，要想量产高达400层的NAND Flash并不容易，生产过程中需要用到多种键合技术。SK海力士已经在审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术将允许通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。整个过程需要几个步骤，如Cell结构设计，重点是每层Cell的排列和堆叠。然后通过清洗和沉积SiO2和Si3N4薄膜层来制备硅片。然而，当通过大量重复逐一堆叠层时，该过程需要细致地执行。

發(fā)表于：2024/8/5

传台积电将收购群创5.5代LCD面板厂

8月2日消息，近期市场传出消息称，台系显示面板大厂群创去年关闭的5.5代LCD面板厂——台南四厂即将被台积电收购，目的是扩充CoWoS先进封装产能。

發(fā)表于：2024/8/5