EDA與制造相關(guān)文章 SK海力士：HBM5将转向3D封装及混合键合技术 SK海力士：HBM5将转向3D封装及混合键合技术！ 發(fā)表于：2024/9/5 越来越多半导体企业布局200亿美元规模FCBGA封装市场 瓜分200亿美元“蛋糕”，越来越多半导体企业布局发展FCBGA封装 三星电机预估到 2026 年，其用于服务器和人工智能的高端倒装芯片球栅阵列（FCBGA）基板的销售份额将超过 50%。 集邦咨询认为经历了长期的库存削减之后，半导体供需双方的平衡得到了改善，市场需求逐渐恢复。 發(fā)表于：2024/9/5 英特尔18A制程被曝良率不佳难以量产 9 月 4 日消息，据知情人士透露，英特尔未能通过博通的测试，公司的晶圆代工业务遭遇挫折。博通的测试主要涉及英特尔的 18A 制造工艺，但博通高管和工程师研究测试结果后认为，这种制造工艺还不适合大批量生产。目前暂时无法确定双方的合作关系，也无法确定博通是否已决定放弃潜在的生产交易。英特尔表示，" 英特尔 18A 已经启动，良率状况良好，产量也很高，我们仍然完全按计划在明年开始大批量生产。整个行业都对英特尔 18A 非常感兴趣，但我们不对具体的客户发表评论。" 博通公司发言人表示，该公司正在 " 评估英特尔代工厂提供的产品和服务，评估尚未结束。" 發(fā)表于：2024/9/5 三星HBM4将采用Logic Base Die和3D封装 三星HBM4将采用Logic Base Die和3D封装 發(fā)表于：2024/9/5 力积电Logic-DRAM技术获AMD等多家大厂采用 力积电Logic-DRAM技术获AMD等多家大厂采用 發(fā)表于：2024/9/5 ESIA呼吁欧盟通过加速制定芯片法案2.0等方式支持行业发展 欧洲半导体产业协会呼吁欧盟通过加速制定“芯片法案2.0”等方式支持行业发展 欧洲半导体产业协会 ESIA 北京时间昨日呼吁欧盟立法者采用以竞争力检查为核心的智能政策，减少政策冲突和繁琐行政要求，通过加速制定“芯片法案 2.0”等方式促进欧洲半导体行业发展。 欧洲半导体产业协会成员包括博世、德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会、imec、法国 CEA-Leti 实验室、恩智浦、意法半导体等重要半导体厂商和研究机构。 發(fā)表于：2024/9/5 使用Cadence AI技术加速验证效率提升 随着硬件设计规模和复杂程度的不断增加，验证收敛的挑战难度不断增大，单纯依靠增加 CPU 核数量并行测试的方法治标不治本。如何在投片前做到验证关键指标收敛，是验证工程师面对的难题。为解决这一难题，提出了采用人工智能驱动的验证EDA工具和生成式大模型两种提效方案，其中EDA工具有Cadence利用人工智能驱动的Verisium apps和采用机器学习技术Xcelium ML，前者用来提升验证故障定位效率，包括Verisium AutoTriage、Verisium SemanticDiff、Verisium WaveMiner等，后者可用来提升验证覆盖率收敛效率。生成式大模型可辅助智能debug和自动生成验证用例，主要介绍各实现方案，并给出了项目实验提升结果。 發(fā)表于：2024/9/4 SEMI硅光子产业联盟成立 SEMI硅光子产业联盟成立，台积电及日月光等30多家企业加入 發(fā)表于：2024/9/4 2023年中国CAD市场达54.8亿元同比增长12.8% IDC：2023 年中国 CAD 市场达 54.8 亿元同比增长 12.8%，达索系统、西门子、欧特克三巨头份额均下滑 發(fā)表于：2024/9/4 我国超高纯石墨领域取得重大突破 99.99995%以上纯度！我国超高纯石墨领域取得重大突破 锂电池/半导体必用材料 發(fā)表于：2024/9/4 三星电子HBM3E内存已获英伟达验证 TrendForce：三星电子 HBM3E 内存已获英伟达验证，8Hi 产品开始出货 發(fā)表于：2024/9/4 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 發(fā)表于：2024/9/4 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。 综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。 三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。 發(fā)表于：2024/9/3 我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。 發(fā)表于：2024/9/3 国内首个五星5G工厂建设完成 9月2日消息，据中国信通院CAICT，在工信部《5G全连接工厂建设指南》发布两周年之际，国内首个五星5G工厂——中兴通讯南京智能滨江5G工厂（滨江工厂）宣布建设完成。 该工厂通过了中国信息通信研究院泰尔认证中心的认证，成为5G技术与电子设备制造业深度融合的全新标杆。 發(fā)表于：2024/9/3 <…149150151152153154155156157158…>
