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EDA與制造相關(guān)文章

SEMI：中國12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備支出將領(lǐng)先全球

據(jù)美國《福布斯》雜志網(wǎng)站24日?qǐng)?bào)道，美國半導(dǎo)體行業(yè)組織國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日發(fā)布的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導(dǎo)體工廠設(shè)備支出方面領(lǐng)先全球，未來4年每年的投資將達(dá)到300億美元。中國臺(tái)灣和韓國緊隨其后。

發(fā)表于：2024/3/26

消息稱臺(tái)積電2nm制程設(shè)備安裝加速

據(jù)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》消息，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈消息稱，臺(tái)積電2nm制程加速安裝設(shè)備，臺(tái)積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進(jìn)行設(shè)備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級(jí)）架構(gòu)量產(chǎn)暖身，預(yù)計(jì)寶山P1、P2及高雄三座先進(jìn)制程晶圓廠均于2025年量產(chǎn)，并吸引蘋果、英偉達(dá)、AMD及高通等客戶爭搶產(chǎn)能。臺(tái)積電對(duì)此不發(fā)表評(píng)論。

發(fā)表于：2024/3/25

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施

3月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）。據(jù)悉，新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨(dú)立的晶圓廠，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計(jì)劃，但由于許可問題，開發(fā)被推遲。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議，這項(xiàng)計(jì)劃已獲得進(jìn)展。

發(fā)表于：2024/3/25

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！

楊光磊：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭！ 3月22日，前臺(tái)積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺(tái)灣科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)“科學(xué)、民主與社會(huì)研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟(jì)安全》國際論壇上表示，中國面對(duì)美國對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時(shí)間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動(dòng)之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

發(fā)表于：2024/3/25

蘋果計(jì)劃 2030年達(dá)成所有產(chǎn)品的碳中和

3 月 24 日消息，中國發(fā)展高層論壇 2024 年年會(huì)今日在北京釣魚臺(tái)國賓館舉行，年會(huì)主題為“持續(xù)發(fā)展的中國”，由國務(wù)院發(fā)展研究中心主辦。蘋果公司 CEO 庫克在論壇上表示，蘋果計(jì)劃在 2030 年達(dá)成蘋果所有產(chǎn)品的碳中和。在原材料、生產(chǎn)和運(yùn)輸這三個(gè)方面，蘋果正推進(jìn)上百項(xiàng)減碳相關(guān)的項(xiàng)目。

發(fā)表于：2024/3/25

美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊

美光（Micron）近日出席英偉達(dá) GTC 2024 大會(huì)，展示了 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內(nèi)存模塊。

發(fā)表于：2024/3/25

消息稱三星將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)12層HBM3E

消息稱三星將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)12層HBM3E

發(fā)表于：2024/3/25

漢高攜新品亮相SEMICON China 2024

2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導(dǎo)體和電子行業(yè)年度盛會(huì)SEMICON China,帶來眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車規(guī)級(jí)高性能芯片粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA、毛細(xì)底部填充膠樂泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進(jìn)封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導(dǎo)體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

發(fā)表于：2024/3/22

德國PVA TePla集團(tuán)展示"中國版“”碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”

024年3月20日，半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì) SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商德國PVA TePla集團(tuán)再次亮相，并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”。

發(fā)表于：2024/3/22

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國第四代半導(dǎo)體新突破：6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

發(fā)表于：2024/3/22

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設(shè)計(jì)平臺(tái)進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域 3 月 21 日消息，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學(xué)（CPO）ASIC 設(shè)計(jì)平臺(tái)，提供異質(zhì)整合高速電子與光學(xué)型號(hào)的 I / O 解決方案。案。"

發(fā)表于：2024/3/22

三星電子確認(rèn)下半年推出第二代3nm制程工藝

3 月 21 日消息，三星電子 DS 部門下屬 Foundry 業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人崔時(shí)榮在昨日舉行的三星電子年度股東大會(huì)上表示將于今年下半年推出第二代 3nm 制程工藝，回?fù)袅私盏?" 更名 " 傳聞。

發(fā)表于：2024/3/22

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進(jìn)半導(dǎo)體在美歐生產(chǎn)

英特爾：到本十年末讓全球至少50%的先進(jìn)半導(dǎo)體在美歐生產(chǎn)

發(fā)表于：2024/3/22

美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量

美光：HBM 內(nèi)存消耗 3 倍晶圓量，明年產(chǎn)能基本預(yù)定完畢

發(fā)表于：2024/3/22

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出18nm FD-SOI工藝

意法半導(dǎo)體宣布聯(lián)手三星推出 18nm FD-SOI 工藝，支持嵌入式 PCM

發(fā)表于：2024/3/22