4nm 相關(guān)文章(85篇)
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消息稱三星電子4nm工藝HBM4內(nèi)存邏輯裸片良率已超九成
發(fā)表于：10/21/2025 12:00:01 PM
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臺(tái)積電美國廠完成首批4nm晶圓生產(chǎn)并送往臺(tái)灣進(jìn)行封裝
發(fā)表于：6/18/2025 11:33:15 AM
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高通第四代驍龍7移動(dòng)平臺(tái)發(fā)布
發(fā)表于：5/16/2025 11:03:01 AM
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消息稱AMD放棄采用三星4nm代工藝生產(chǎn)芯片
發(fā)表于：5/7/2025 9:23:16 AM
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消息稱高通對三星代工工藝失去信心
發(fā)表于：3/26/2025 1:02:26 PM
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三星業(yè)務(wù)報(bào)告稱已于去年底量產(chǎn)第四代4納米芯片
發(fā)表于：3/12/2025 10:58:38 AM
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消息稱三星電子4nm良率已近80%
發(fā)表于：2/21/2025 1:02:38 PM
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詳解蘋果自研5G基帶芯片8年之路
發(fā)表于：2/21/2025 10:36:25 AM
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AMD計(jì)劃導(dǎo)入三星4nm制程
發(fā)表于：2/17/2025 10:44:02 AM
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傳AMD考慮向三星下達(dá)EPYC霄龍?zhí)幚砥?納米IOD芯片代工訂單
發(fā)表于：2/14/2025 11:16:17 AM
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高通第四代驍龍6發(fā)布 首次臺(tái)積電4nm
發(fā)表于：2/13/2025 9:45:16 AM
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消息稱慧榮正開發(fā)4nm制程PCIe 6.0固態(tài)硬盤主控芯片
發(fā)表于：1/21/2025 9:57:15 AM
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臺(tái)積電確認(rèn)已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片
發(fā)表于：1/20/2025 11:06:13 AM
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臺(tái)積電美國工廠被曝缺乏封裝能力
發(fā)表于：1/16/2025 10:06:37 AM
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臺(tái)積電美國工廠啟動(dòng)4nm芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：1/13/2025 10:37:38 AM
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三星完成HBM4邏輯基礎(chǔ)裸片設(shè)計(jì)
發(fā)表于：1/6/2025 10:55:19 AM
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三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試生產(chǎn)
發(fā)表于：1/3/2025 3:11:51 PM
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臺(tái)積電美國工廠4nm成本將增加30％
發(fā)表于：1/3/2025 9:38:01 AM
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臺(tái)積電美國晶圓廠將于明年一季度量產(chǎn)4nm
發(fā)表于：12/31/2024 9:00:39 AM
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臺(tái)積電美國廠制造成本比中國臺(tái)灣高出30%
發(fā)表于：12/13/2024 11:09:39 AM
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臺(tái)積電先進(jìn)制程海外首發(fā)4nm
發(fā)表于：11/8/2024 9:09:01 AM
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傳臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當(dāng)
發(fā)表于：9/9/2024 8:59:00 AM
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全新晶體管3D成像技術(shù)來襲
發(fā)表于：8/6/2024 10:23:00 AM
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消息稱三星電子以自家4nm先進(jìn)工藝打造HBM4內(nèi)存邏輯芯片
發(fā)表于：7/16/2024 6:55:00 PM
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NVIDIA Blackwell平臺(tái)架構(gòu)GPU投片量暴增25%
發(fā)表于：7/15/2024 8:56:00 AM
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Intel第二代獨(dú)立顯卡將升級(jí)為臺(tái)積電N4 4nm工藝
發(fā)表于：7/8/2024 8:34:00 AM
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三星美國得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn)
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:29 AM
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消息稱三星正考慮將得州工廠工藝規(guī)劃從4nm改為2nm
發(fā)表于：6/19/2024 8:30:25 AM
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臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50%
發(fā)表于：5/22/2024 8:58:18 AM
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三星AI推理芯片Mach-1即將原型試產(chǎn)
發(fā)表于：5/10/2024 9:00:27 AM
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