1 月 3 日消息，韓媒《Chosun Biz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日報(bào)道稱，三星電子 DS 部門內(nèi)存（注：即存儲(chǔ)器）業(yè)務(wù)部最近完成了 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片設(shè)計(jì)；Foundry 業(yè)務(wù)部現(xiàn)已根據(jù)該設(shè)計(jì)采用 4nm 制程啟動(dòng)試生產(chǎn)。
待完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子將向客戶提供其開發(fā)的 HBM4 內(nèi)存樣品。
▲ 三星電子的 HBM 內(nèi)存
邏輯芯片也稱基礎(chǔ)裸片、接口芯片，在整體 HBM 內(nèi)存堆棧中起到“大腦”的作用，負(fù)責(zé)控制其上方多層 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于內(nèi)存堆棧 I/O 引腳數(shù)量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大內(nèi)存原廠均采用邏輯半導(dǎo)體代工制造邏輯芯片。
業(yè)內(nèi)人士表示，運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱是 HBM 內(nèi)存的最大敵人，而在堆棧整體中邏輯芯片更是發(fā)熱大戶，采用先進(jìn)制程制造邏輯芯片有助于改善 HBM4 的能效與性能表現(xiàn)。
三星電子試圖在 HBM4 上采取相對激進(jìn)的技術(shù)路線以挽回在 HBM3 (E) 世代因質(zhì)量原因而丟失的 HBM 內(nèi)存市場份額：除采用自家 4nm 工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在 HBM4 上導(dǎo)入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆棧中引入無凸塊的混合鍵合技術(shù)。
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