1月5日消息，據(jù)《朝鮮日報》報導，三星設(shè)備解決方案(DS)部門的內(nèi)存業(yè)務(wù)部最近已經(jīng)了完成HBM4高頻寬內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計，三星Foundry業(yè)務(wù)部門也已經(jīng)根據(jù)該設(shè)計，采用4nm制程進行了試產(chǎn)，在完成邏輯基礎(chǔ)裸片（Logic Base Die）的最終性能驗證后，三星將正式提供HBM4樣品驗證。

三星HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎(chǔ)裸片（Base Die），但是HBM4則會將DRAM Base Die 改成Logic Base Die（邏輯基礎(chǔ)裸片），以推動性能和能效進一步提升。具體來說，這個Logic Base die是連接AI加速器內(nèi)部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件，位于DRAM的底部，主要充當GPU和內(nèi)存之間的一種控制器，并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設(shè)計，可以加入客戶自己的IP，有利于HBM實現(xiàn)定制化，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。

報道稱，Logic Base Die對于HBM4芯片來說相當于大腦，負責控制上方多層DRAM芯片。因為在HBM4上，內(nèi)存堆疊I/O引腳數(shù)量倍增，需整合更多功能等一系列因素，使得全球三大內(nèi)存原廠均采用邏輯半導體代工幾技術(shù)制造來邏輯基礎(chǔ)裸片。

報導引用韓國市場人士說法，執(zhí)行工作時發(fā)熱是HBM最大敵人，而在堆疊整體中邏輯基礎(chǔ)裸片更是發(fā)熱大戶，需求采先進制程，這有助改善HBM4能效與性能表現(xiàn)。

三星試圖在HBM4采取更積極路線，以挽回HBM3E流失的HBM市占率。三星HBM4除了采用自家4nm制造邏輯基礎(chǔ)裸片外，還將導入10nm級1c制程生產(chǎn)DRAM，有望16層堆疊導入無凸塊混合鍵合。

之前有傳聞稱，三星將為Meta和微軟這兩大AI云服務(wù)巨頭提供定制的HBM4內(nèi)存，以集成在它們的下一代AI解決方案當中。根據(jù)預計，三星為微軟定制的HBM4將可能被用于微軟此前發(fā)布的AI芯片“Maia 100”，同樣Meta的Artemis AI芯片也可能采用三星的HBM4。這對正急于開拓AI市場，縮小與SK海力士之間差距的三星來說，無疑是一個好消息。