微波射頻相關(guān)文章 Ramtron在IIC China 2011展會(huì)上展示MaxArias無線存儲(chǔ)器 世界頂尖的低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias?無線存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體解決方案的各種問題。 發(fā)表于：2/15/2011 IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開關(guān)應(yīng)用效率提升2% 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。 發(fā)表于：2/15/2011 CSA集團(tuán)任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認(rèn)證公司董事會(huì)成員 CSA集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團(tuán)歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國法蘭克福辦公，主要負(fù)責(zé)加速CSA服務(wù)和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長，并為所有歐洲客戶帶來CSA的全球服務(wù)。 發(fā)表于：2/15/2011 表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點(diǎn)的情況下提供大的 IOUT 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構(gòu)，它采用了一個(gè)電流源基準(zhǔn)以利用單個(gè)電阻器來設(shè)定輸出電壓。當(dāng) SET 引腳連在一起時(shí)，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個(gè)穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)數(shù)安培的線性調(diào)節(jié)，而無需散熱器。 發(fā)表于：2/14/2011 泰科電子雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn) 泰科電子推出標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護(hù)器件 泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個(gè)硅器件和一個(gè)傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動(dòng)封裝配置的各種優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。 發(fā)表于：2/14/2011 英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效 2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 發(fā)表于：2/14/2011 NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽 農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒這么強(qiáng)，但過去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場(chǎng)未來在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場(chǎng)要再成長并不容易。 發(fā)表于：2/14/2011 2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì) Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過剩。 發(fā)表于：2/14/2011 芯片熱阻計(jì)算及散熱器/片的選擇 任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫度可達(dá)到或超過允許的結(jié)溫，器件將受到損壞。 發(fā)表于：2/13/2011 Spansion公司針對(duì)手機(jī)和機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用市場(chǎng)推出全新VS-R系列產(chǎn)品 2011年2月11日， 中國上?！猄pansion公司（NYSE: CODE）今日宣布推出Spansion® VS-R系列產(chǎn)品，幫助無線手機(jī)制造商針對(duì)如中國、印度、東南亞、非洲和拉丁美洲等新興市場(chǎng)，提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的入門級(jí)手機(jī)。同時(shí)，該系列產(chǎn)品也非常適用于蜂窩型機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用，如遠(yuǎn)程醫(yī)療監(jiān)控設(shè)備、車隊(duì)通訊管理和自動(dòng)販賣機(jī)。 發(fā)表于：2/11/2011 電弧傳感器焊縫跟蹤系統(tǒng) 本文對(duì)國內(nèi)外焊縫跟蹤系統(tǒng)電弧傳感技術(shù)、信號(hào)處理技術(shù)和控制技術(shù)的研究現(xiàn)狀分別做一介紹，在此基礎(chǔ)上總結(jié)出一套較為先進(jìn)的焊縫跟蹤系統(tǒng)的實(shí)施方案，為焊縫跟蹤系統(tǒng)研制提供依據(jù)。 發(fā)表于：2/11/2011 采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù) 閃存允許在生產(chǎn)線的終點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)編程，也允許在生產(chǎn)之后修改代碼。但是如果通過因特網(wǎng)，公司將面臨IP將泄漏給競爭者的問題。應(yīng)該采用各種方法來控制更新授權(quán)許可，并在泄漏產(chǎn)品的IP的情況下， 提供現(xiàn)場(chǎng)更新。 發(fā)表于：2/11/2011 Android特色開發(fā)之傳感器和語音識(shí)別 Android是一個(gè)面向應(yīng)用程序開發(fā)的豐富平臺(tái)，它擁有許多具有吸引力的用戶界面元素、數(shù)據(jù)管理和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等優(yōu)秀的功能。Android還提供了很多頗具特色的接口。 發(fā)表于：2/11/2011 氣體放電管和壓敏電阻的原理及特性 氣體放電管的工作原理及特性氣體放電管一般采用陶瓷作為封裝外殼，放電管內(nèi)充滿電氣性能穩(wěn)定的惰性氣體，放電管的電極一般有兩個(gè)電極、三個(gè)電極和五個(gè)電極三種結(jié)構(gòu)。當(dāng)在放電管的極間施加一定的電壓時(shí)，便在極間產(chǎn)生 發(fā)表于：2/11/2011 遠(yuǎn)程登錄路由器設(shè)置方法 本文主要從默認(rèn)配置，設(shè)置用戶名和密碼，環(huán)境介紹等方面向大家詳細(xì)的介紹了如何進(jìn)行對(duì)于路由器遠(yuǎn)程登錄的設(shè)置，相信看過此文會(huì)你有所幫助。 發(fā)表于：2/11/2011 ?…131132133134135136137138139140…?
