微波射頻相關文章 iPhone基帶軟件充滿漏洞 缺陷將被曝光 蘋果iPhone無疑是世界上最受歡迎的智能手機之一，由于該產品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數 報價 圖片 論壇 軟件)的新號問題。實際上早在iPhone 4之前，美國AT&T的iPhone用戶就已經頻頻抱怨手機頻繁掉線，只不過當時用戶和蘋果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國《紐約時報》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋果自身也存在一些設計問題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會隨之曝光。 發(fā)表于：2/16/2011 英飛凌面向硬開關和軟開關應用的新一代650V超結器件 隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開關拓撲成為理想的解決方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動態(tài)性能，采用這些拓撲可降低系統(tǒng)的開關損耗，提高可靠性。 發(fā)表于：2/16/2011 美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設計 自問世以來，NAND閃存對ECC（糾錯碼）糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構和每單元存儲三位數據技術所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應付。 發(fā)表于：2/16/2011 Ramtron在IIC China 2011展會上展示MaxArias無線存儲器 世界頂尖的低功率鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術的諸多優(yōu)勢 (展臺號：2L19)。Ramtron專家將在展臺進行現場演示，并回答有關獲獎的MaxArias?無線存儲器等半導體解決方案的各種問題。 發(fā)表于：2/15/2011 IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開關應用效率提升2% 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術，可為 12V輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。 發(fā)表于：2/15/2011 CSA集團任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認證公司董事會成員 CSA集團總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國法蘭克福辦公，主要負責加速CSA服務和產品在歐洲地區(qū)的增長，并為所有歐洲客戶帶來CSA的全球服務。 發(fā)表于：2/15/2011 表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯，在不產生任何熱點的情況下提供大的 IOUT 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個電阻器調節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構，它采用了一個電流源基準以利用單個電阻器來設定輸出電壓。當 SET 引腳連在一起時，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實現數安培的線性調節(jié)，而無需散熱器。 發(fā)表于：2/14/2011 泰科電子雙向硅ESD保護器件幫助減少組裝挑戰(zhàn) 泰科電子推出標準0201和0402封裝的ChipSESD保護器件 泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴展其硅ESD保護產品系列。該ChipSESD封裝將一個硅器件和一個傳統(tǒng)表面貼裝技術(SMT)被動封裝配置的各種優(yōu)勢結合在一起。 發(fā)表于：2/14/2011 英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效 2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS? 晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎。 發(fā)表于：2/14/2011 NAND Flash下半年需求急增價格陷拔河賽 農歷春節(jié)前這一波DRAM價格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實DRAM終端需求并沒這么強，但過去DRAM急漲現象常發(fā)生，應以平常心看待，反觀NANDFlash市場未來在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場要再成長并不容易。 發(fā)表于：2/14/2011 2011年DRAM市場五項發(fā)展趨勢 Muse表示，2011年NAND市場前景不錯，但DRAM市場可能相反；主要是因為平板電腦開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺約2GB，卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應過剩。 發(fā)表于：2/14/2011 芯片熱阻計算及散熱器/片的選擇 任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫度可達到或超過允許的結溫，器件將受到損壞。 發(fā)表于：2/13/2011 Spansion公司針對手機和機對機（M2M）應用市場推出全新VS-R系列產品 2011年2月11日， 中國上海——Spansion公司（NYSE: CODE）今日宣布推出Spansion® VS-R系列產品，幫助無線手機制造商針對如中國、印度、東南亞、非洲和拉丁美洲等新興市場，提供經濟實惠的入門級手機。同時，該系列產品也非常適用于蜂窩型機對機（M2M）應用，如遠程醫(yī)療監(jiān)控設備、車隊通訊管理和自動販賣機。 發(fā)表于：2/11/2011 電弧傳感器焊縫跟蹤系統(tǒng) 本文對國內外焊縫跟蹤系統(tǒng)電弧傳感技術、信號處理技術和控制技術的研究現狀分別做一介紹，在此基礎上總結出一套較為先進的焊縫跟蹤系統(tǒng)的實施方案，為焊縫跟蹤系統(tǒng)研制提供依據。 發(fā)表于：2/11/2011 采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護 閃存允許在生產線的終點進行實時編程，也允許在生產之后修改代碼。但是如果通過因特網，公司將面臨IP將泄漏給競爭者的問題。應該采用各種方法來控制更新授權許可，并在泄漏產品的IP的情況下， 提供現場更新。 發(fā)表于：2/11/2011 ?…129130131132133134135136137138…?
