微波射頻相關文章 采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護 閃存允許在生產(chǎn)線的終點進行實時編程，也允許在生產(chǎn)之后修改代碼。但是如果通過因特網(wǎng)，公司將面臨IP將泄漏給競爭者的問題。應該采用各種方法來控制更新授權許可，并在泄漏產(chǎn)品的IP的情況下， 提供現(xiàn)場更新。 發(fā)表于：2011/2/11 Android特色開發(fā)之傳感器和語音識別 Android是一個面向應用程序開發(fā)的豐富平臺，它擁有許多具有吸引力的用戶界面元素、數(shù)據(jù)管理和網(wǎng)絡應用等優(yōu)秀的功能。Android還提供了很多頗具特色的接口。 發(fā)表于：2011/2/11 氣體放電管和壓敏電阻的原理及特性 氣體放電管的工作原理及特性氣體放電管一般采用陶瓷作為封裝外殼，放電管內充滿電氣性能穩(wěn)定的惰性氣體，放電管的電極一般有兩個電極、三個電極和五個電極三種結構。當在放電管的極間施加一定的電壓時，便在極間產(chǎn)生 發(fā)表于：2011/2/11 遠程登錄路由器設置方法 本文主要從默認配置，設置用戶名和密碼，環(huán)境介紹等方面向大家詳細的介紹了如何進行對于路由器遠程登錄的設置，相信看過此文會你有所幫助。 發(fā)表于：2011/2/11 基于USB2.0的高性能移動存儲設備的設計 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎上，設計出USB2.0高性能移動存儲設備。本文作者創(chuàng)新點：將FLASH作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲單元，應用在與計算機交互數(shù)據(jù)的采集過程之中；并采用中斷驅動設計固件程序，提高了讀寫效率。實驗證明，其性能穩(wěn)定可靠，讀寫數(shù)據(jù)速度達到了令人滿意的效果。移動數(shù)據(jù)的交換和存儲是目前IT行業(yè)的熱點，可以在此基礎上，不斷完善現(xiàn)有設計方案，繼續(xù)研究開發(fā)嵌入式USB主機系統(tǒng)，使得在PC機不參與的情況下同樣可以進行數(shù)據(jù)的存儲與交換。 發(fā)表于：2011/2/10 電容器測試的挑戰(zhàn)與方案 電容器是基本的電氣元件，它出現(xiàn)在幾乎任何一種電子硬件中。電容器廣泛用于旁路、耦合、濾波和隧道電子電路。但是，為了使用電容器，就必須分析其電容量、額定電壓、溫度系數(shù)和漏電阻等特性。雖然電容器制造商進行這些測試，但是許多電子器件制造商在將電容器應用到產(chǎn)品中時，也要進行上述某些測試來檢查質量。 發(fā)表于：2011/2/4 晶體管PC參數(shù)測量儀DIY詳解 本文介紹了用洞洞板作了一個PC機晶體管圖示參數(shù)測試儀。 發(fā)表于：2011/2/4 2010年光模塊市場增長30% 昨日據(jù)市場研究公司LightCounting發(fā)布新聞稱，2010年全球用于通信和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡的光收發(fā)模塊銷售額超過25億美元，相比前年增長了30%。 發(fā)表于：2011/2/4 慢速內存和快速內存可“合二為一” 美國北卡羅萊納州立大學研究人員開發(fā)出一種新器件，該技術被認為是計算機內存研發(fā)領域取得的重大進步，將使大規(guī)模服務器群更節(jié)能，并使計算機的啟動變得更快。 發(fā)表于：2011/2/4 深度解析固態(tài)存儲SSD的發(fā)展及應用 隨著人們對數(shù)據(jù)需求增多，存儲系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。而在嵌入式領域移動設備和工業(yè)自動化控制等惡劣環(huán)境下，傳統(tǒng)硬盤機械結構已經(jīng)無法滿足要求，而所有這一切隨著固態(tài)存儲（SSD）的到來改變。 發(fā)表于：2011/1/29 能夠滿足大容量存儲應用需求的新型串行閃存 針對需要128Mb以上串行閃存的應用要求，美光科技推出一個簡單的獨一無二的擴容解決方案。這個解決方案可以把存儲容量輕松地擴大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設接口（SPI）協(xié)議，無需重新設計主芯片的硬件。 發(fā)表于：2011/1/29 MEMS兩位數(shù)增長將持續(xù)到2014年 微機電系統(tǒng)(MEMS)市場2010年強勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：2011/1/28 平板電腦為DRAM帶來增長支撐點 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預計今年該領域的DRAM出貨量將增長八倍。今年平板設備領域的DRAM出貨量預計達到3.533億Gb，比2010年的3780萬Gb劇增834.7%。 發(fā)表于：2011/1/28 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內具有1.0～2.5W的高功率等級。 發(fā)表于：2011/1/27 DRAM內存價格接近谷底 二季度回漲 來自存儲芯片調研公司集邦科技的消息稱，1月上半個月DRAM期貨價已經(jīng)接近谷底，下半個月價格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開始回漲. 發(fā)表于：2011/1/27 ?…129130131132133134135136137138…?
