微波射頻相關文章 DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑 市場調研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。 發(fā)表于：2/22/2011 2011慕尼黑上海電子展新品擷英（四）：綠色制造之線束加工 2011年3月15-17日將迎來慕尼黑上海電子展的10周年慶典，全球近500家電子元器件、集成電路及電子生產(chǎn)設備的頂尖企業(yè)將共同為中國的電子行業(yè)帶來一場技術盛宴。第四集“慕尼黑上海電子展新品擷英”將為您帶來國內外領先企業(yè)的創(chuàng)新線束加工產(chǎn)品，走向更精密。敬請先睹為快！ 發(fā)表于：2/21/2011 用PLC高速計數(shù)器和電壓/頻率傳感器測量模擬電壓信號的方法 介紹了用PLC高速計數(shù)器和電壓/頻率傳感器累計測量脈沖的原理，闡明了應用中需注意的事項，通過程序實例詳實介紹了測量模擬電壓信號的方法。 發(fā)表于：2/21/2011 詳解數(shù)字電位器的原理與應用 數(shù)字電位器一般帶有總線接口，可通過單片機或邏輯電路進行編程。它適合構成各種可編程模擬器件，如可編程增益放大器、可編程濾波器、可編程線性穩(wěn)壓電源及音調／音量控制電路，真正實現(xiàn)了“把模擬器件放到總線上這一全新設計理念。 發(fā)表于：2/21/2011 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅動器，為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結合，可構成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內工作，而 I 級版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。 發(fā)表于：2/18/2011 精密電阻分類及特性 本文詳細介紹了精密電阻的分類特性及基礎數(shù)據(jù)。 發(fā)表于：2/17/2011 存儲分析 網(wǎng)絡存儲與備份十項關鍵技術 有效利用網(wǎng)絡存儲技術是任何數(shù)據(jù)存儲管理策略的重要組成部分，僅僅依靠硬盤、JBOD和其它類型的本地存儲是不足以保護關鍵業(yè)務數(shù)據(jù)的完整性的，網(wǎng)絡存儲在這個時候真正顯示出巨大的威力，它不僅可以容納由服務器產(chǎn)生的業(yè)務數(shù)據(jù)，還可以容納由PC端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，并為數(shù)據(jù)提供良好的保護。 發(fā)表于：2/17/2011 影響電阻或電阻率測試的因素 影響電阻或電阻率測試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測試電壓、測試時間、測試設備的泄露和外界干擾等。 發(fā)表于：2/16/2011 iPhone基帶軟件充滿漏洞 缺陷將被曝光 蘋果iPhone無疑是世界上最受歡迎的智能手機之一，由于該產(chǎn)品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數(shù) 報價 圖片 論壇 軟件)的新號問題。實際上早在iPhone 4之前，美國AT&T的iPhone用戶就已經(jīng)頻頻抱怨手機頻繁掉線，只不過當時用戶和蘋果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國《紐約時報》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋果自身也存在一些設計問題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會隨之曝光。 發(fā)表于：2/16/2011 英飛凌面向硬開關和軟開關應用的新一代650V超結器件 隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開關拓撲成為理想的解決方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動態(tài)性能，采用這些拓撲可降低系統(tǒng)的開關損耗，提高可靠性。 發(fā)表于：2/16/2011 美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設計 自問世以來，NAND閃存對ECC（糾錯碼）糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構和每單元存儲三位數(shù)據(jù)技術所需的ECC糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應付。 發(fā)表于：2/16/2011 Ramtron在IIC China 2011展會上展示MaxArias無線存儲器 世界頂尖的低功率鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會展中心舉行的IIC China 展會上展示F-RAM技術的諸多優(yōu)勢 (展臺號：2L19)。Ramtron專家將在展臺進行現(xiàn)場演示，并回答有關獲獎的MaxArias?無線存儲器等半導體解決方案的各種問題。 發(fā)表于：2/15/2011 IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開關應用效率提升2% 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術，可為 12V輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。 發(fā)表于：2/15/2011 CSA集團任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認證公司董事會成員 CSA集團總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國法蘭克福辦公，主要負責加速CSA服務和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長，并為所有歐洲客戶帶來CSA的全球服務。 發(fā)表于：2/15/2011 表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點的情況下提供大的 IOUT 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個電阻器調節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構，它采用了一個電流源基準以利用單個電阻器來設定輸出電壓。當 SET 引腳連在一起時，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實現(xiàn)數(shù)安培的線性調節(jié)，而無需散熱器。 發(fā)表于：2/14/2011 ?…129130131132133134135136137138…?
