微波射頻相關(guān)文章 視頻監(jiān)控中分布式存儲(chǔ)技術(shù)方案 在一個(gè)視頻監(jiān)控系統(tǒng)中，選擇什么樣的存儲(chǔ)解決方案直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的系統(tǒng)架構(gòu)以及系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定程度，目前視頻監(jiān)控系統(tǒng)中的存儲(chǔ)方案大致上有兩種。視頻監(jiān)控系統(tǒng)存儲(chǔ)方案一種是在攝像監(jiān)控前端采用有一定存儲(chǔ) 發(fā)表于：3/15/2011 Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)內(nèi)最低外形和最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件 發(fā)表于：3/14/2011 高速PCB設(shè)計(jì)電容的應(yīng)用實(shí)例 要正確合理的應(yīng)用電容，自然需要認(rèn)識(shí)電容的具體模型以及模型中各個(gè)分布參數(shù)的具體意義和作用。和其他的元器件一樣，實(shí)際中的電容與"理想"電容器不同，" 實(shí)際"電容器由于其封裝、材料等方面的影響，其就具備有電感、電阻的一個(gè)附加特性，必須用附加的"寄生"元件或"非理想 "性能來(lái)表征，其表現(xiàn)形式為電阻元件和電感元件，非線性和介電存儲(chǔ)性能。"實(shí)際"電容器模型如下圖所示。由于這些寄生元件決定的電容器的特性，通常在電容器生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品說(shuō)明中都有詳細(xì)說(shuō)明。在每項(xiàng)應(yīng)用中了解這些寄生作用，將有助于你選擇合適類型的電容器。 發(fā)表于：3/14/2011 基于光電傳感器電路的迷宮機(jī)器人設(shè)計(jì) 采用Freescale公司的MC9SDG128單片機(jī)進(jìn)行控制，使用ROHM公司生產(chǎn)的發(fā)送接收一體化反射型光電傳感器RPR220，設(shè)計(jì)了一種新型迷宮機(jī)器人。該迷宮機(jī)器人能夠在程序中嚴(yán)格控制光電傳感器的開關(guān)，同時(shí)用軟件消除外界干擾，取得了很好的探測(cè)效果。 發(fā)表于：3/14/2011 無(wú)源中繼器在地下通信的應(yīng)用 一種理想的漏纜方案應(yīng)該是隨離開信號(hào)饋入端距離的增加，漏纜的耦合損耗相應(yīng)變小，這樣就能充分利用信號(hào)電平，延伸漏纜的覆蓋距離。由于受制造工藝的限制，目前還難于作到這一點(diǎn)，為了達(dá)到一定的覆蓋范圍要求，必須插入有源中繼器把電平提升到一定的高度才能延長(zhǎng)覆蓋距離。 發(fā)表于：3/13/2011 塑料光纖在系統(tǒng)局域網(wǎng)中的運(yùn)用 布線系統(tǒng)在連接樓層的干線中，由于數(shù)量少，目前廣泛使用多模石英光纖，而在水平方向上，還沒(méi)有一種合適的媒介既能提供足夠的帶寬，同時(shí)還兼具有安裝方便、成本低廉、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 發(fā)表于：3/12/2011 Vishay將在ePChina 2011展示業(yè)界領(lǐng)先的最新技術(shù) 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，在2011年3月15日至17日舉行的慕尼黑上海電子展(ePChina)期間，將在上海新國(guó)際博覽中心E1館展出其業(yè)界領(lǐng)先的電阻、電感器、電容器、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。Vishay的工程師和銷售人員將在1322展位向觀眾提供該公司最新技術(shù)的相關(guān)信息。 發(fā)表于：3/11/2011 水清木華：CMOS攝像模組市場(chǎng)分析與2011展望 水清木華研究中心最新研究報(bào)告指出，2010年CMOS攝像模組產(chǎn)值相較2009年大幅度增加，驅(qū)動(dòng)力來(lái)自三方面。一是手機(jī)攝像像素值大幅度增加，200萬(wàn)像素成為主流；預(yù)計(jì)2011年，300萬(wàn)像素將成為主流；預(yù)計(jì)2013年，500萬(wàn)像素將成為主流。二是智能手機(jī)出貨量大幅度增加，智能手機(jī)的照相像素普遍高于普通手機(jī)，平均像素超過(guò)300萬(wàn)像素。三是3G網(wǎng)絡(luò)的全面推廣使得視頻通話成為可能，雙攝像頭手機(jī)大量上市。 發(fā)表于：3/11/2011 一些過(guò)壓保護(hù)的電路器件分析 過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過(guò)壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。 發(fā)表于：3/10/2011 外部存儲(chǔ)器市場(chǎng)走出經(jīng)濟(jì)危機(jī)困境 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)Gartner的研究數(shù)據(jù)表明，外部存儲(chǔ)器市場(chǎng)已經(jīng)從全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)中走了出來(lái)；該市場(chǎng)2010年的收入為194億美元，已經(jīng)超過(guò)了2008年的銷售記錄。 發(fā)表于：3/10/2011 嵌入式領(lǐng)域?qū)⒀杆儆楷F(xiàn)快速存儲(chǔ)、新標(biāo)準(zhǔn)及更多軟件 2011年，谷歌Android和蘋果iOS的“戰(zhàn)役”，毫無(wú)疑問(wèn)仍然在智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域中繼續(xù)。但更多的較量，將在嵌入式領(lǐng)域出現(xiàn)。 發(fā)表于：3/10/2011 一個(gè)實(shí)用的三極管開關(guān)電路分析 三極管開關(guān)電路作為功率管的控制應(yīng)用廣泛。這里對(duì)一個(gè)實(shí)用開關(guān)電路中的各元器件作用作具體分析。 發(fā)表于：3/10/2011 基于AVR的E2PROM的數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)策略 本文以AVR系列單片機(jī)中的ATmega8為例，從程序設(shè)計(jì)角度出發(fā)，提出一種切實(shí)可行的E2PROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)策略，最大限度地提高片內(nèi)E2PROM空間的利用率，從而解決上面提到的問(wèn)題。 發(fā)表于：3/10/2011 Vishay推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。 發(fā)表于：3/9/2011 內(nèi)存景氣衰弱導(dǎo)致IC市場(chǎng)訂單活動(dòng)趨緩 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSIResearch最近調(diào)升了對(duì)2011年IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率的預(yù)測(cè)；該機(jī)構(gòu)先前估計(jì)2011年全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)8.1%、達(dá)到2,687億美元營(yíng)收規(guī)模，現(xiàn)在則是認(rèn)為今年度該市場(chǎng)成長(zhǎng)率為8.9%，營(yíng)收規(guī)模2,707億美元。 發(fā)表于：3/9/2011 ?…125126127128129130131132133134…?
