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NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

目前市場(chǎng)上閃存芯片主要有兩類，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，更適合于大批量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)。如今Windows仍是桌面系統(tǒng)的主流，對(duì)FAT文件系統(tǒng)提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)并不適合Flash，因?yàn)镕lash設(shè)備并不是塊設(shè)備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應(yīng)用FAT文件系統(tǒng)，國(guó)際上提出了閃存轉(zhuǎn)譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。

發(fā)表于：4/24/2011

分布式源場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)射頻LDMOS器件的設(shè)計(jì)

為了減小射頻LDMOS器件中場(chǎng)極板寄生電容，提出一種具有分布式源場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)的射頻LDMOS器件，給出了器件結(jié)構(gòu)及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對(duì)場(chǎng)極板進(jìn)行了三維電磁仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)。仿真及測(cè)試結(jié)果表明!所設(shè)計(jì)的分布式源場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。

發(fā)表于：4/24/2011

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計(jì)

本文利用CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)了一款嵌入式網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)。經(jīng)測(cè)試，系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠、實(shí)時(shí)性好，圖像清晰度明顯好于同價(jià)位的產(chǎn)品，完全可滿足目前網(wǎng)絡(luò)攝像頭市場(chǎng)對(duì)中、低端產(chǎn)品的要求，具有良好的市場(chǎng)前景。

發(fā)表于：4/24/2011

物聯(lián)網(wǎng)的MEMS感知器件與應(yīng)用

傳感網(wǎng)是以MEMS制造的傳感網(wǎng)，主要是應(yīng)用于手機(jī)和汽車?yán)锏膫鞲小５诙K是比較高端的，就是慣性導(dǎo)航系統(tǒng)，主要是對(duì)飛機(jī)在飛行過(guò)程當(dāng)中提供慣性導(dǎo)航。第三個(gè)是無(wú)線傳感網(wǎng)，大概在十年前公司創(chuàng)始人很早就把Xmesh引出來(lái)，開發(fā)了無(wú)線傳感網(wǎng)、自主網(wǎng)的應(yīng)

發(fā)表于：4/23/2011

全光通信中的光開關(guān)技術(shù)

光開關(guān)是實(shí)現(xiàn)全光交換的核心器件，光開關(guān)的研究已成為全光通信領(lǐng)域研究的焦點(diǎn)。本文首先對(duì)光開關(guān)的原理進(jìn)行歸納，總結(jié)光開關(guān)的應(yīng)用范圍。對(duì)傳統(tǒng)機(jī)械式光開關(guān)、微電子機(jī)械式光開關(guān)、熱光開關(guān)進(jìn)行了進(jìn)一步地劃分，分析了它們的結(jié)構(gòu)形式和性能特點(diǎn)。設(shè)計(jì)了光開關(guān)性能評(píng)價(jià)指標(biāo)體系，對(duì)常見的4種光開關(guān)進(jìn)行了定性與定量對(duì)比，指出不同類型光開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)和不足之處。最后依據(jù)全光通信網(wǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，指出大容量、高速、透明、低損耗是光開關(guān)的重點(diǎn)發(fā)展方向。

發(fā)表于：4/23/2011

主流手機(jī)的芯高通MSM8255芯片組簡(jiǎn)析

高通作為現(xiàn)階段移動(dòng)芯片組的巨頭，從前期的中低端芯片組MSM7227、MSM7200A等（詳見《主攻入門市場(chǎng)：高通中低端芯片組簡(jiǎn)析》），已經(jīng)成功過(guò)渡到了后期的Snapdragon系列，并且Snapdragon系列也已從第一代順利過(guò)渡到了第二代，同時(shí)第三代成品機(jī)型HTC Pyramid（金字塔）也初露端倪。

發(fā)表于：4/23/2011

薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定

電子電路繼續(xù)小型化的趨勢(shì)對(duì)電阻設(shè)計(jì)提出了新挑戰(zhàn)。例如，車輛中電子功能的增加使得單位面積電子器件的數(shù)量提升。這反過(guò)來(lái)在多方面影響到了無(wú)源器件——特別是電阻。這些器件需要變得更小，同時(shí)提供更高的精度和更佳的穩(wěn)定度。更高的精度則需要通過(guò)更緊的容限和更低的溫度系數(shù)得以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/23/2011

移動(dòng)DRAM何時(shí)能讓智能手機(jī)和平板電腦滿意

目前形式的移動(dòng)DRAM可能不足以滿足智能手機(jī)和平板電腦的需求，因其在處理各種應(yīng)用時(shí)涉及大量數(shù)據(jù)。其它形式的移動(dòng)DRAM正在浮現(xiàn)，可能取代現(xiàn)有解決方案。

發(fā)表于：4/22/2011

全球電子供應(yīng)鏈的亞洲“高危”地區(qū)

IHS iSuppli公司的研究顯示，日本地震對(duì)全球電子供應(yīng)鏈的嚴(yán)重破壞，也可能在其它亞洲地區(qū)重現(xiàn)，因?yàn)榭萍籍a(chǎn)業(yè)在一些國(guó)家和地區(qū)高度集中。

發(fā)表于：4/22/2011

優(yōu)化MAX44007環(huán)境光傳感器，改善黑色玻璃的設(shè)計(jì)性能

黑色玻璃會(huì)改變照在環(huán)境光傳感器上的光線頻譜，這是環(huán)境光傳感器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。尤其是黑色玻璃增強(qiáng)了光譜中的紅外分量，而人眼看不到這部分光譜。本應(yīng)用筆記介紹了幾種校準(zhǔn)/補(bǔ)償方法，從而對(duì)光傳感器在不同光源條件下的流明讀數(shù)進(jìn)行修正。本文探討了如何利用MAX44007光傳感器的高級(jí)模式調(diào)節(jié)其對(duì)可見光、IR通道的響應(yīng)。利用MAX44007的寄存器可以優(yōu)化傳感器在黑色玻璃下的性能。

發(fā)表于：4/22/2011

電感和電感器的原理

電感是電子電路阻止電流改變的一種性質(zhì)。注意“改變”一詞的物理意義，這點(diǎn)非常重要，有點(diǎn)像力學(xué)中的慣性。一個(gè)電感器被用在磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量，你會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)現(xiàn)象非常重要。

發(fā)表于：4/22/2011

PTC熱敏電阻器專業(yè)術(shù)語(yǔ)

本文詳細(xì)介紹了PTC熱敏電阻的阻溫特性、伏安特性和時(shí)間電流特性。

發(fā)表于：4/22/2011

陶瓷貼片電容的基本常識(shí)

貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質(zhì)規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。

發(fā)表于：4/21/2011

Vishay發(fā)布新款I(lǐng)FSC系列低外形、高電流電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率，提供0.47µH～47.0µH的標(biāo)準(zhǔn)感值。　

發(fā)表于：4/20/2011

Ramtron增強(qiáng)管理團(tuán)隊(duì)

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，任命蕭穎擔(dān)任客戶滿意度部門副總裁。在此新設(shè)立的職位上，蕭穎負(fù)責(zé)Ramtron公司的質(zhì)量保證計(jì)劃，并管理公司的產(chǎn)品和測(cè)試工程技術(shù)機(jī)構(gòu)。

發(fā)表于：4/20/2011