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閃存芯片迎春 20nm制程技術(shù)完全解析

近日IDF2011大會(huì)圓滿閉幕，但是就在會(huì)后時(shí)隔1個(gè)工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功。對(duì)于整個(gè)閃存乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后，整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的驚濤風(fēng)波之后，現(xiàn)在恢復(fù)的如何？下面就且聽(tīng)小編我一一道來(lái)。

發(fā)表于：2011/4/18

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)，接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下，信號(hào)的對(duì)齊問(wèn)題進(jìn)行了說(shuō)明，并提出了一種解決方法。同時(shí)設(shè)計(jì)中還會(huì)遇到數(shù)據(jù)跨時(shí)鐘域傳輸?shù)膯?wèn)題，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結(jié)果表明，本文的設(shè)計(jì)完全滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，具有實(shí)際的使用價(jià)值。

發(fā)表于：2011/4/16

Vishay精密電阻陣列使電子電路穩(wěn)定和小型化

本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定，同時(shí)減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對(duì)參數(shù)“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會(huì)展示如何在生產(chǎn)過(guò)程中控制電阻的容差和溫度系數(shù)。

發(fā)表于：2011/4/15

利用模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)T1/E1/J1的N+1冗余

具有多端口T1/E1/J1線卡的現(xiàn)代通信系統(tǒng)通過(guò)增加冗余來(lái)滿足電信網(wǎng)絡(luò)的高可用性要求。過(guò)去，這些系統(tǒng)曾經(jīng)用繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)N＋1冗余切換。隨著每個(gè)線卡上的T1/E1/J1端口數(shù)和每個(gè)系統(tǒng)內(nèi)的線卡數(shù)的增加，繼電器方案不再可行，因?yàn)樗鼈円加么罅康陌迳峡臻g和供率。設(shè)計(jì)者正在用模擬開(kāi)關(guān)代替繼電器。

發(fā)表于：2011/4/15

Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑，從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小。

發(fā)表于：2011/4/14

電容爆炸的原因及處理方法

我曾經(jīng)在400V開(kāi)關(guān)室使用了PGJ1-5型無(wú)功功率補(bǔ)償屏，屏內(nèi)裝有BCMJ型并聯(lián)電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類(lèi)別-25℃/45℃接法。

發(fā)表于：2011/4/14

智慧手機(jī)和平板助攻行動(dòng)DRAM聲勢(shì)看漲

在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的帶動(dòng)下，行動(dòng)DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢(shì)正不斷看漲。

發(fā)表于：2011/4/14

IDF2011:Hynix與下一代內(nèi)存技術(shù)趨勢(shì)

由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術(shù)論壇活動(dòng)--2011英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國(guó)家會(huì)議中心舉行。這是2007年以來(lái)連續(xù)第5個(gè)年度IDF在中國(guó)首發(fā)。本屆IDF以"智無(wú)界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)從硬件、平臺(tái)到軟件和服務(wù)全面的計(jì)算解決方案，推進(jìn)個(gè)性化互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展;同時(shí)面向中國(guó)市場(chǎng)如何支持本地合作伙伴創(chuàng)新，助力新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：2011/4/14

四月DRAM價(jià)格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價(jià)再度呈現(xiàn)價(jià)格上揚(yáng)的趨勢(shì)，DDR3 2GB均價(jià)自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價(jià)亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場(chǎng)面來(lái)觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰(zhàn)，硅晶圓廠也釋出手上庫(kù)存來(lái)滿足產(chǎn)業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個(gè)月以上的庫(kù)存量來(lái)看，目前維持正常投片的能見(jiàn)度可至第二季末，但長(zhǎng)期來(lái)看，如果硅晶圓大廠如信越化學(xué)及SUMCO不能在近期恢復(fù)正常運(yùn)作，DRAM供應(yīng)煉受到?jīng)_擊勢(shì)必在未來(lái)將陸續(xù)浮現(xiàn)，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問(wèn)題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對(duì)于DRAM廠未來(lái)是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫(kù)存水位，需求轉(zhuǎn)趨積極下，跟DRAM廠議定合約價(jià)時(shí)亦接受較高的價(jià)格，也是讓四月上旬合約價(jià)攀升的主要原因。

發(fā)表于：2011/4/14

Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)。Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一，TTI是全球領(lǐng)先的授權(quán)分銷(xiāo)商，專(zhuān)門(mén)從事無(wú)源、連接器、機(jī)電產(chǎn)品和分立器件的分銷(xiāo)。

發(fā)表于：2011/4/13

硅晶圓缺貨依舊　DRAM合約價(jià)成功調(diào)漲

在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動(dòng)，4月DRAM合約價(jià)漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計(jì)4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報(bào)價(jià)回升至2美元，預(yù)計(jì)2GB模塊報(bào)價(jià)回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問(wèn)題持續(xù)，預(yù)計(jì)5、6月可順利回升至此價(jià)位。

發(fā)表于：2011/4/13

繼電器使用中的幾點(diǎn)問(wèn)題

要用好繼電器，正確選型是很重要的，首先必須對(duì)被控對(duì)象的性質(zhì)、特點(diǎn)和使用要求有透徹的了解，并進(jìn)行周密考慮。對(duì)所選繼電器的原理、用途、技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、規(guī)格型號(hào)要掌握和分析。在此基礎(chǔ)上應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目實(shí)際情況和具體條件，來(lái)正確選擇繼電器。

發(fā)表于：2011/4/13

繼電器在高壓開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用

目前使用的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備的二次系統(tǒng)由眾多的繼電器、多觸點(diǎn)輔助開(kāi)關(guān)、行程開(kāi)關(guān)及壓力開(kāi)關(guān)等元器件組成，其中繼電器類(lèi)占的比重約70％，面對(duì)紛繁復(fù)雜的繼電器類(lèi)產(chǎn)品，如何合理選擇、正確應(yīng)用，是系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)人員密切關(guān)注并且必須優(yōu)先解決的實(shí)際問(wèn)題，尤其作為高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備的二次控制部分，使用有大量的繼電器，其在運(yùn)行中也有其獨(dú)特的特殊性，選型的好壞，直接關(guān)系到變電站設(shè)備的可靠安全運(yùn)行，萬(wàn)一發(fā)生事故將特別嚴(yán)重，因此要做到合理選擇，正確應(yīng)用，就必須充分研究分析系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用條件與實(shí)際技術(shù)參數(shù)的要求，恰如其分地提出所選用繼電器類(lèi)產(chǎn)品必須達(dá)到的技術(shù)性能，在整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，根據(jù)整個(gè)系統(tǒng)的重要性、可靠程度、所使用的環(huán)境條件及成本等因素綜合考慮選擇合理的繼電器。

發(fā)表于：2011/4/13

軟啟動(dòng)器在運(yùn)行中的過(guò)電壓及保護(hù)措施

　某礦的一條上運(yùn)皮帶長(zhǎng)500米，傾角16度，交流電機(jī)電壓為交流660V，功率為160Kw，為解決電機(jī)起動(dòng)時(shí)所形成的機(jī)械及電氣沖擊，選用了天地科技股份有限公司常州自動(dòng)化分公司GMC型軟啟動(dòng)柜，其核心器件軟啟動(dòng)器選用德國(guó)西門(mén)子生產(chǎn)的3RW22型軟啟動(dòng)器。在安裝調(diào)試過(guò)程中，為確保設(shè)備的安全，先進(jìn)行了空載試運(yùn)行，電壓、電流參數(shù)都設(shè)置的很小，起動(dòng)過(guò)程一切正常。運(yùn)行一段時(shí)間停車(chē)后，再次起動(dòng)時(shí)，西門(mén)子軟啟動(dòng)器發(fā)生故障報(bào)警，顯示晶閘管故障，按其復(fù)位按鈕無(wú)效，用指針式萬(wàn)用表測(cè)量晶閘管阻值，發(fā)現(xiàn)晶閘管中間相的阻值幾乎為零，而完好的晶閘管陽(yáng)極和陰極之間阻值>100K,因此懷疑晶閘管損壞。經(jīng)分析，造成晶閘管阻值降低的原因是交流電機(jī)的反向電動(dòng)勢(shì)及晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓引起,間隔一天，再次測(cè)量晶閘管阻值時(shí)，阻值恢復(fù)正常。

發(fā)表于：2011/4/12

存儲(chǔ)器模塊業(yè)淘汰賽再起　臺(tái)美聯(lián)手擊退日系陣營(yíng)

日本老牌存儲(chǔ)器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負(fù)債累累，日前驚傳申請(qǐng)日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過(guò)去在存儲(chǔ)器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時(shí)，成立時(shí)間也超過(guò)30 年，與NAND Flash大廠東芝(Toshiba)更是關(guān)系緊密，但這幾年臺(tái)系和美系存儲(chǔ)器模塊勢(shì)力急起直追，現(xiàn)在幾乎囊括全球主要市占率，加上存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)劇烈，讓模塊產(chǎn)業(yè)淘汰賽再起。

發(fā)表于：2011/4/12