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大容量SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

本文介紹了SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的應(yīng)用，使用高性能的STM32F103xx系列處理器提高了SD卡的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率，很好地解決了海洋數(shù)據(jù)采集中的大容量存儲(chǔ)問(wèn)題和SDl.x與SD2.0的識(shí)別問(wèn)題，并給出了適用于SD卡的FAT32文件系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置及其實(shí)現(xiàn)方法。

發(fā)表于：4/29/2011

提高IO的緩存和RAID的方法

衡量性能的幾個(gè)指標(biāo)的計(jì)算中我們可以看到一個(gè)15k轉(zhuǎn)速的磁盤(pán)在隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)的情況下IOPS竟然只有140左右，但在實(shí)際應(yīng)用中我們卻能看到很多標(biāo)有5000IOPS甚至更高的存儲(chǔ)系統(tǒng)，有這么大IOPS的存儲(chǔ)系統(tǒng)怎么來(lái)的呢?這就要?dú)w結(jié)于各種存儲(chǔ)技術(shù)的使用了，在這些存儲(chǔ)技術(shù)中使用最廣的就是高速緩存(Cache)和磁盤(pán)冗余陣列(RAID)了，本文就將探討緩存和磁盤(pán)陣列提高存儲(chǔ)IO性能的方法。

發(fā)表于：4/29/2011

基于C8051F040的存儲(chǔ)設(shè)備轉(zhuǎn)儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

介紹一款單片機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備轉(zhuǎn)儲(chǔ)器，以C8051F040為核心控制模塊，通過(guò)外接兩個(gè)CH375 U盤(pán)模塊、液晶顯示模塊及鍵盤(pán)模塊等實(shí)現(xiàn)兩個(gè)U盤(pán)之間數(shù)據(jù)的相互轉(zhuǎn)儲(chǔ)，很好地解決了U盤(pán)內(nèi)容轉(zhuǎn)儲(chǔ)離不開(kāi)電腦而帶來(lái)的不便以及容易感染*等弊端。C8051F040通過(guò)CH375 按照相應(yīng)的USB協(xié)議與USB設(shè)備通訊，通過(guò)調(diào)用CH375提供的子程序庫(kù)來(lái)直接讀取U盤(pán)中的數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了普通單片機(jī)與U盤(pán)的通訊，支持常用的12 Mb/s 全速USB設(shè)備和1. 5 Mb/s低速設(shè)備。該設(shè)計(jì)方案具有低成本、低功耗、操作簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，將會(huì)有廣闊的應(yīng)用前景。

發(fā)表于：4/29/2011

深度淺析固態(tài)存儲(chǔ)SSD的發(fā)展及應(yīng)用

SSD是摒棄傳統(tǒng)磁介質(zhì)，采用電子存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取的一種技術(shù)，突破了傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的性能瓶頸，擁有極高的存儲(chǔ)性能，被認(rèn)為是存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的未來(lái)新星。

發(fā)表于：4/29/2011

RFID自動(dòng)感應(yīng)式車(chē)位鎖方便停車(chē)場(chǎng)管理

在車(chē)位日益緊張的今天，如何避免私家車(chē)位被他人搶占，是令人頭痛的事。日前面市的一種新型車(chē)位鎖，不僅有效解決了這一問(wèn)題，還可對(duì)車(chē)輛起到防盜作用，深受車(chē)主的喜愛(ài)。專(zhuān)用車(chē)位鎖可以有效而禮貌地防止其它車(chē)輛占用專(zhuān)用車(chē)位：當(dāng)車(chē)到達(dá)車(chē)位附近時(shí)，打開(kāi)車(chē)位鎖即可將車(chē)停進(jìn)車(chē)位；當(dāng)車(chē)離開(kāi)后，鎖上車(chē)位鎖，防止其它車(chē)輛占用車(chē)位；若車(chē)停放到車(chē)位后，將車(chē)位鎖...

發(fā)表于：4/29/2011

Vishay發(fā)布新的鋁電容器在線選擇工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(www.vishay.com)上推出新的鋁電容器在線選擇工具。這個(gè)工具能幫助設(shè)計(jì)者挑選適合其應(yīng)用的器件，從而節(jié)省工作時(shí)間。

發(fā)表于：4/28/2011

電子化學(xué)行業(yè)產(chǎn)能向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移是大勢(shì)所趨

不久前的日本大地震，顯然對(duì)日本及全球經(jīng)濟(jì)造成了一定的沖擊，重創(chuàng)了日本國(guó)內(nèi)的電子產(chǎn)業(yè)，同時(shí)影響擴(kuò)散到全球，國(guó)內(nèi)也受到一定的波及，一些關(guān)鍵電子材料面臨短缺或恐慌性抬價(jià)。然而，日本地震給國(guó)內(nèi)敲響了警鐘，原因在于它一直占據(jù)著產(chǎn)業(yè)鏈的高端，我國(guó)電子化學(xué)行業(yè)必須加強(qiáng)，但危機(jī)過(guò)后，讓更多國(guó)內(nèi)企業(yè)看到一絲希望，隨著國(guó)際產(chǎn)能的進(jìn)一步轉(zhuǎn)移，以及替代日本產(chǎn)能的市場(chǎng)機(jī)遇，使得國(guó)內(nèi)企業(yè)表現(xiàn)更為活躍。

發(fā)表于：4/28/2011

基于計(jì)算機(jī)控制的紅外監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本文研究中，我們提出了一種基于計(jì)算機(jī)控制的出入口監(jiān)控系統(tǒng)，該監(jiān)控系統(tǒng)使用紅外傳感器作為探測(cè)器，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)進(jìn)出室內(nèi)的人員和物品的數(shù)量進(jìn)行精確的控制。本文使用計(jì)算機(jī)作為監(jiān)控和控制設(shè)備，因?yàn)檫@對(duì)各種技術(shù)設(shè)備和工業(yè)用傳感器的使用來(lái)說(shuō)都是一個(gè)可行的和有價(jià)值的解決方案。系統(tǒng)中的控制代理是一個(gè)直流電機(jī)控制的自動(dòng)門(mén)，它按照計(jì)算機(jī)發(fā)出的控制信號(hào)的界面。實(shí)驗(yàn)表明，該系統(tǒng)性能穩(wěn)定，操作簡(jiǎn)便，能夠較好地完成預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)。執(zhí)行開(kāi)和關(guān)的動(dòng)作。用于監(jiān)控的軟件采用面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì)模式，以期用戶(hù)容易使用。

發(fā)表于：4/28/2011

各類(lèi)二極管的檢測(cè)方法介紹

普通二極管的檢測(cè)（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開(kāi)關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦?。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測(cè)其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。

發(fā)表于：4/28/2011

32GU盤(pán)DIY

本文圖文并茂地詳細(xì)介紹了32GU盤(pán)點(diǎn)DIY制作過(guò)程。成本計(jì)算：FLASH2片，260元；PCBA套料，15元左右。因我的材料都是在網(wǎng)上采購(gòu)，所以，包路費(fèi)總共300元，就可以完成制作這個(gè)32G的U盤(pán)。

發(fā)表于：4/28/2011

采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略

NAND閃存是一種高密度非易失性存儲(chǔ)器，基于電壓調(diào)制原理而操作。隨著技術(shù)開(kāi)發(fā)和工藝改進(jìn)，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架構(gòu)正變得日益復(fù)雜化。今天，單個(gè)8Gb密度SLC NAND閃存芯片的MOSFET數(shù)量就超過(guò)70萬(wàn)，這還未包括所有陣列器件在內(nèi)；MLC約是SLC的1.5-2倍。

發(fā)表于：4/27/2011

RS簽署EAO分銷(xiāo)協(xié)議

RS Components于近日宣布與EAO集團(tuán)簽署一項(xiàng)新的戰(zhàn)略分銷(xiāo)協(xié)議。依照新協(xié)議規(guī)定，RS會(huì)在歐洲和亞太區(qū)各地為EAO人機(jī)界面和機(jī)電元件的銷(xiāo)售提供支持。　

發(fā)表于：4/26/2011

Diodes高速邏輯系列74AHC1Gxx提供完善性能升級(jí)

Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有同類(lèi)高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開(kāi)關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件。

發(fā)表于：4/26/2011

MEMS是否會(huì)走CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手機(jī)市場(chǎng)，這些市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)25%。在消費(fèi)電子和手機(jī)市場(chǎng)，2011年MEMS營(yíng)業(yè)收入將從2010年的16億美元增長(zhǎng)到21億美元。IHS iSuppli公司預(yù)測(cè)，到2014年，消費(fèi)電子和手機(jī)領(lǐng)域的MEMS營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到37億美元。如此巨大的市場(chǎng)需求自然也引起了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)注。

發(fā)表于：4/26/2011

高Q積層電感可保持高頻電路不受干擾

手機(jī)設(shè)計(jì)得越來(lái)越小，然而功能也日益復(fù)雜，從而對(duì)所有元件的微型化和性能要求更高，當(dāng)然也包括電感的性能要求。尤其對(duì)積層電感，不僅要求尺寸更小，還應(yīng)達(dá)到高Q等級(jí)。TDK-EPC通過(guò)進(jìn)一步提高低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術(shù)已達(dá)到該要求。

發(fā)表于：4/26/2011