微波射頻相關(guān)文章 電壓開關(guān)中的常見問題及解決辦法 設(shè)計自動化的測試系統(tǒng)開關(guān)需要搞清楚要開關(guān)信號和要執(zhí)行測試的特點(diǎn)。例如，在測試應(yīng)用中承受開關(guān)電壓信號的最合適的開關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。 發(fā)表于：5/2/2011 鐳射光電開關(guān)參數(shù) 解析鐳射光電開關(guān)特點(diǎn)和技術(shù)參數(shù)。 發(fā)表于：5/1/2011 用單只開關(guān)巧控多組燈的原理及制作 用一只單開關(guān)控制多組燈，不僅可以省掉很多開關(guān)，而且也給自己動手制作增添樂趣。 發(fā)表于：5/1/2011 使用功率開關(guān)提高效率 本文描述帶有電流倍增器和同步整流器的非對稱PWM半橋轉(zhuǎn)換器的普遍特性，并列舉一個示例及某些實(shí)驗結(jié)果，該示例使用針對非對稱受控拓?fù)涞墓β书_關(guān)。 發(fā)表于：5/1/2011 關(guān)于35kV48級線端調(diào)壓組合式有載分接開關(guān) 自德國BernhardJansen博士于1926年發(fā)明的電阻過渡、快速切換方式的有載調(diào)壓分接開關(guān)專有技術(shù)以來，有載分接開關(guān)在世界各國大量采用。SYXZ-200型開關(guān)是我國二十世紀(jì)五、六十年代的仿蘇產(chǎn)品，迄今為止積累了幾十年的制造經(jīng)驗和運(yùn)行經(jīng)驗。 發(fā)表于：5/1/2011 如何用固態(tài)硬盤（SSD）創(chuàng)建零級存儲 目前，又出現(xiàn)了一種新型存儲層：Tier 0。Tier 0是一種固態(tài)存儲器存儲，在Tier 1的基礎(chǔ)上提高性能。過去，Tier 0的存儲形式為RAM磁盤，價格不菲。實(shí)際上，為了降低RAM磁盤的較高成本，你不僅需要確保由存儲引起的性能問題，還應(yīng)該說明在RAM磁盤上的投資能得到回報。 發(fā)表于：4/30/2011 PCM與存儲器技術(shù)生命周期以及技術(shù)比較 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域，以及這項新技術(shù)的潛在價值。 發(fā)表于：4/30/2011 AVS解碼器在DSP平臺上的優(yōu)化 本文提出一種利用嵌入式平臺的L1P Cache高速緩沖功能實(shí)現(xiàn)處理器對程序代碼的高效率訪問的方法，從而達(dá)到提高AVS解碼器性能的目的。 發(fā)表于：4/30/2011 BMS海量歷史數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)計 本文設(shè)計了一種小巧的應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)的海量歷史數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，采用標(biāo)準(zhǔn)Windows系統(tǒng)FAT32文件格式存儲，可以方便將數(shù)據(jù)導(dǎo)入到計算機(jī)中。一次換卡可以記錄1年的數(shù)據(jù)，為電池管理系統(tǒng)和電池特性的研究準(zhǔn)備了大量第一手?jǐn)?shù)據(jù)。 發(fā)表于：4/30/2011 利用MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)移動電話射頻設(shè)計 . 如果一款移動電話設(shè)計要能實(shí)現(xiàn)未來用戶所期望的各項廣泛服務(wù)，創(chuàng)造性思維是不可或缺的；而許多產(chǎn)業(yè)觀察者認(rèn)為，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)將是實(shí)現(xiàn)這種設(shè)計的下一波技術(shù)。 發(fā)表于：4/30/2011 怎樣利用實(shí)用的方法構(gòu)建C類功率放大器 . 寬帶C類功率放大器(PA)在某些通信頻帶中是有用的。雖然現(xiàn)已被集成進(jìn)Agilent-EEsof的先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng)(ADS)仿真軟件中，Touchstone曾一度是用于開發(fā)和優(yōu)化這種功率放大器阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的強(qiáng)有力工具。 發(fā)表于：4/30/2011 Vishay擴(kuò)大ORN薄膜模壓雙列直插式電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司擴(kuò)大了ORN系列薄膜模壓雙列直插式表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍。增強(qiáng)后的器件可提供49.9Ω～500kΩ范圍內(nèi)的13種標(biāo)準(zhǔn)阻值，使設(shè)計者在相同的標(biāo)準(zhǔn)窄體SOIC鷗翼型封裝內(nèi)可使用阻值更高或更低的電阻。 發(fā)表于：4/29/2011 凱悌集團(tuán)推出綠色節(jié)能應(yīng)用之主、被動組件最佳解決方案 簡介 N79E83x 系列是8051內(nèi)核MCU，采用特殊的技術(shù)進(jìn)行專業(yè)的處理，使芯片具有很強(qiáng)的抗干擾特性、很好的溫度特性，同時具有良好的易用特性。適用于電動自行控制器，并且在幾大電動自行車控制器生產(chǎn)基地已經(jīng)行業(yè)內(nèi)部樹立起良好的形象，已經(jīng)建立起堅實(shí)的客戶基礎(chǔ)。W79E83x有良好的易用性，Nuvoton 協(xié)助客戶在3個月的時間完成第一個方案設(shè)計，在一個半月的時間內(nèi)完成小PP 到100K 訂單的飛躍，這充分反映了Nuvoton MCU在該領(lǐng)域的優(yōu)勢。 Nuvoton MCU的電動自行車控制器設(shè)計方案以其良好的適用性、穩(wěn)定性，電路簡單、性價比等特點(diǎn)和Nuvoton品牌優(yōu)勢正在成為電動自行車控制器領(lǐng)域中的后起之秀。 發(fā)表于：4/29/2011 非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。 發(fā)表于：4/29/2011 大容量SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用 本文介紹了SD卡在海洋數(shù)據(jù)存儲中的應(yīng)用，使用高性能的STM32F103xx系列處理器提高了SD卡的數(shù)據(jù)讀寫速率，很好地解決了海洋數(shù)據(jù)采集中的大容量存儲問題和SDl.x與SD2.0的識別問題，并給出了適用于SD卡的FAT32文件系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置及其實(shí)現(xiàn)方法。 發(fā)表于：4/29/2011 ?…116117118119120121122123124125…?
