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壓力傳感器的工作原理及其應(yīng)用

壓力傳感器是工業(yè)實(shí)踐中最為常用的一種傳感器，其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境，涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機(jī)床、管道等眾多行業(yè)，下面就簡單介紹一些常用傳感器原理及其應(yīng)用。

發(fā)表于：4/25/2011

CMOS圖像傳感器的IP策略

CMOS圖像傳感器依然是半導(dǎo)體行業(yè)中成長最快的市場之一。手機(jī)、驅(qū)動該市場不斷穩(wěn)固增長，并且在可以預(yù)知的未來還將繼續(xù)蓬勃發(fā)展。CMOS圖像傳感器2004年總收入的年增長率為65.9%，并有望在2007年達(dá)到46.4億美元。

發(fā)表于：4/25/2011

ADI的第三次MEMS革命

熟悉ADI的人都知道，在車用MEMS領(lǐng)域，ADI有著經(jīng)典的成功案例，也曾被收錄進(jìn)MBA教程。如今，借由正熱播的愛麗絲及鋼鐵俠，ADI高調(diào)宣布其MEMS技術(shù)已成功進(jìn)入了好萊塢，標(biāo)志著第三次MEMS革命的帷幕即將拉開。我們也很想聽聽ADI是如何解讀此次合作的。以下是EEWORLD專訪ADI MEMS市場應(yīng)用經(jīng)理Howard Wisniowski的采訪實(shí)錄，通過Xsens，我們可以發(fā)現(xiàn)，iPhone 4用到的MEMS太“小兒科”了。

發(fā)表于：4/25/2011

恒定電流驅(qū)動的電橋式傳感器驅(qū)動/放大電路

應(yīng)變儀、磁性電阻元件、半導(dǎo)體壓力傳感器等以電橋方式工作是很常見的。置方式有平衡驅(qū)動和方法又抱括恒壓驅(qū)動和恒流驅(qū)動。本電路用數(shù)MA的恒定電流使傳感器不平衡置偏，由儀表放大器接收。傳感器采用擴(kuò)散式壓力傳感器P-3000S-102G，壓力范圍為0~1KG/CM2。

發(fā)表于：4/25/2011

電阻簡介以及電阻燒壞的原因

可以從電阻的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來解釋。電阻內(nèi)部其實(shí)是一圈一圈的線連起來的，電阻燒了就是里面的線燒斷了，相當(dāng)于斷路。

發(fā)表于：4/25/2011

基于NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦寫操作的最小單元，頁是讀寫操作的最小單元。由于閃存存儲器的硬件特性，閃存的更新操作有自己的特點(diǎn)，在對數(shù)據(jù)進(jìn)行更新前需要先進(jìn)行擦寫操作，然后才能將新數(shù)據(jù)寫入，并且擦寫操作是以塊為單位，讀寫操作是以頁為單位。

發(fā)表于：4/25/2011

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

目前市場上閃存芯片主要有兩類，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，更適合于大批量數(shù)據(jù)存儲的嵌入式系統(tǒng)。如今Windows仍是桌面系統(tǒng)的主流，對FAT文件系統(tǒng)提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)并不適合Flash，因?yàn)镕lash設(shè)備并不是塊設(shè)備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應(yīng)用FAT文件系統(tǒng)，國際上提出了閃存轉(zhuǎn)譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。

發(fā)表于：4/24/2011

分布式源場極板結(jié)構(gòu)射頻LDMOS器件的設(shè)計(jì)

為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容，提出一種具有分布式源場極板結(jié)構(gòu)的射頻LDMOS器件，給出了器件結(jié)構(gòu)及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進(jìn)行了三維電磁仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)。仿真及測試結(jié)果表明!所設(shè)計(jì)的分布式源場極板結(jié)構(gòu)在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。

發(fā)表于：4/24/2011

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)設(shè)計(jì)

本文利用CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)了一款嵌入式網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)。經(jīng)測試，系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠、實(shí)時性好，圖像清晰度明顯好于同價位的產(chǎn)品，完全可滿足目前網(wǎng)絡(luò)攝像頭市場對中、低端產(chǎn)品的要求，具有良好的市場前景。

發(fā)表于：4/24/2011

物聯(lián)網(wǎng)的MEMS感知器件與應(yīng)用

傳感網(wǎng)是以MEMS制造的傳感網(wǎng)，主要是應(yīng)用于手機(jī)和汽車?yán)锏膫鞲小５诙K是比較高端的，就是慣性導(dǎo)航系統(tǒng)，主要是對飛機(jī)在飛行過程當(dāng)中提供慣性導(dǎo)航。第三個是無線傳感網(wǎng)，大概在十年前公司創(chuàng)始人很早就把Xmesh引出來，開發(fā)了無線傳感網(wǎng)、自主網(wǎng)的應(yīng)

發(fā)表于：4/23/2011

全光通信中的光開關(guān)技術(shù)

光開關(guān)是實(shí)現(xiàn)全光交換的核心器件，光開關(guān)的研究已成為全光通信領(lǐng)域研究的焦點(diǎn)。本文首先對光開關(guān)的原理進(jìn)行歸納，總結(jié)光開關(guān)的應(yīng)用范圍。對傳統(tǒng)機(jī)械式光開關(guān)、微電子機(jī)械式光開關(guān)、熱光開關(guān)進(jìn)行了進(jìn)一步地劃分，分析了它們的結(jié)構(gòu)形式和性能特點(diǎn)。設(shè)計(jì)了光開關(guān)性能評價指標(biāo)體系，對常見的4種光開關(guān)進(jìn)行了定性與定量對比，指出不同類型光開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)和不足之處。最后依據(jù)全光通信網(wǎng)的發(fā)展趨勢，指出大容量、高速、透明、低損耗是光開關(guān)的重點(diǎn)發(fā)展方向。

發(fā)表于：4/23/2011

主流手機(jī)的芯高通MSM8255芯片組簡析

高通作為現(xiàn)階段移動芯片組的巨頭，從前期的中低端芯片組MSM7227、MSM7200A等（詳見《主攻入門市場：高通中低端芯片組簡析》），已經(jīng)成功過渡到了后期的Snapdragon系列，并且Snapdragon系列也已從第一代順利過渡到了第二代，同時第三代成品機(jī)型HTC Pyramid（金字塔）也初露端倪。

發(fā)表于：4/23/2011

薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定

電子電路繼續(xù)小型化的趨勢對電阻設(shè)計(jì)提出了新挑戰(zhàn)。例如，車輛中電子功能的增加使得單位面積電子器件的數(shù)量提升。這反過來在多方面影響到了無源器件——特別是電阻。這些器件需要變得更小，同時提供更高的精度和更佳的穩(wěn)定度。更高的精度則需要通過更緊的容限和更低的溫度系數(shù)得以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/23/2011

移動DRAM何時能讓智能手機(jī)和平板電腦滿意

目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機(jī)和平板電腦的需求，因其在處理各種應(yīng)用時涉及大量數(shù)據(jù)。其它形式的移動DRAM正在浮現(xiàn)，可能取代現(xiàn)有解決方案。

發(fā)表于：4/22/2011

全球電子供應(yīng)鏈的亞洲“高?！钡貐^(qū)

IHS iSuppli公司的研究顯示，日本地震對全球電子供應(yīng)鏈的嚴(yán)重破壞，也可能在其它亞洲地區(qū)重現(xiàn)，因?yàn)榭萍籍a(chǎn)業(yè)在一些國家和地區(qū)高度集中。

發(fā)表于：4/22/2011