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不會(huì)再弄混編輯為你詳解ROM/RAM的區(qū)別

在智能手機(jī)還沒(méi)有普及的年代，人們購(gòu)買手機(jī)很少人會(huì)去關(guān)注手機(jī)的硬件配置，更不會(huì)有多少人去關(guān)心硬件配置中ROM和RAM的大小，但是隨著目前智能手機(jī)爆發(fā)式的增長(zhǎng)，越來(lái)越多人開(kāi)始關(guān)注手機(jī)的硬件，因?yàn)橛布侥壳霸诤艽蟪潭壬蠒?huì)制約手機(jī)的用戶體驗(yàn)，特別是RAM和ROM的參數(shù)，這會(huì)直接制約手機(jī)的運(yùn)行流暢程度。不過(guò)目前很多朋友不太清楚RAM和ROM的具體含義，只是簡(jiǎn)單的知道越大肯定越好，那么今天筆者就來(lái)為大家詳細(xì)的解釋一下這兩個(gè)參數(shù)的具體指向，這樣以后大家購(gòu)買手機(jī)時(shí)就不怕再弄混了。

發(fā)表于：2011/4/20

中國(guó)IGBT市場(chǎng)銷售額四年后將翻一倍

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。

發(fā)表于：2011/4/19

激光焊接技術(shù)在傳感器生產(chǎn)中的應(yīng)用

根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7665-87，傳感器定義為：能感受規(guī)定的被測(cè)量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的器件裝置。傳感器作為檢測(cè)工具，要求檢測(cè)研究對(duì)象的物理或化學(xué)的信息，其工作過(guò)程要求穩(wěn)定、可靠、精度高，所以對(duì)傳感器有以下幾個(gè)要求

發(fā)表于：2011/4/19

阻抗匹配在RFID系統(tǒng)中的應(yīng)用

匹配關(guān)乎著系統(tǒng)的性能，使匹配則是使系統(tǒng)的性能達(dá)到約定準(zhǔn)則下的最優(yōu)。其實(shí)，阻抗匹配的概念還可擴(kuò)展到整個(gè)電學(xué)之中，包括強(qiáng)電(以電能應(yīng)用為主)與弱電(以信號(hào)檢測(cè)與處理為主)兩個(gè)大的領(lǐng)域。再進(jìn)一步，如果去掉阻抗的概念單就匹配而言，則其覆蓋的范圍將更為廣闊，比如：在RFID技術(shù)應(yīng)用中，技術(shù)與需求的滿足涉及到匹配的問(wèn)題等。

發(fā)表于：2011/4/19

光纖預(yù)制棒技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)[詳講]

2011年4月18日消息，目前，已形成光纖光纜全球性大發(fā)展的良好氣候，美國(guó)KMI公司預(yù)測(cè)，　今后10年，全球光纖光纜需求將持續(xù)增長(zhǎng)，為適應(yīng)全球光纖光纜需求的增長(zhǎng)，國(guó)際上各大光纖生產(chǎn)廠商正進(jìn)行新一輪的擴(kuò)產(chǎn)，同時(shí)，國(guó)內(nèi)光纖產(chǎn)業(yè)的發(fā)展勢(shì)頭也很強(qiáng)勁，有的光纖生產(chǎn)企業(yè)正在擴(kuò)產(chǎn)，還將新建幾個(gè)大型光纖廠。這里，技術(shù)路線的選擇是很重要的。

發(fā)表于：2011/4/18

晶圓代工可能很快出現(xiàn)大規(guī)模供過(guò)于求

據(jù)多家市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)指出，今年下半年起，晶圓代工可能面臨供過(guò)于求情況。

發(fā)表于：2011/4/18

閃存芯片迎春 20nm制程技術(shù)完全解析

近日IDF2011大會(huì)圓滿閉幕，但是就在會(huì)后時(shí)隔1個(gè)工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發(fā)成功。對(duì)于整個(gè)閃存乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的刺激巨大。而在日本311之后，整個(gè)閃存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了巨大的驚濤風(fēng)波之后，現(xiàn)在恢復(fù)的如何？下面就且聽(tīng)小編我一一道來(lái)。

發(fā)表于：2011/4/18

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計(jì)

先對(duì)ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計(jì)了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)，接口的設(shè)計(jì)等。對(duì)設(shè)計(jì)中遇到的源同步模式下，信號(hào)的對(duì)齊問(wèn)題進(jìn)行了說(shuō)明，并提出了一種解決方法。同時(shí)設(shè)計(jì)中還會(huì)遇到數(shù)據(jù)跨時(shí)鐘域傳輸?shù)膯?wèn)題，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結(jié)果表明，本文的設(shè)計(jì)完全滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，具有實(shí)際的使用價(jià)值。

發(fā)表于：2011/4/16

Vishay精密電阻陣列使電子電路穩(wěn)定和小型化

本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定，同時(shí)減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對(duì)參數(shù)“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會(huì)展示如何在生產(chǎn)過(guò)程中控制電阻的容差和溫度系數(shù)。

發(fā)表于：2011/4/15

利用模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)T1/E1/J1的N+1冗余

具有多端口T1/E1/J1線卡的現(xiàn)代通信系統(tǒng)通過(guò)增加冗余來(lái)滿足電信網(wǎng)絡(luò)的高可用性要求。過(guò)去，這些系統(tǒng)曾經(jīng)用繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)N＋1冗余切換。隨著每個(gè)線卡上的T1/E1/J1端口數(shù)和每個(gè)系統(tǒng)內(nèi)的線卡數(shù)的增加，繼電器方案不再可行，因?yàn)樗鼈円加么罅康陌迳峡臻g和供率。設(shè)計(jì)者正在用模擬開(kāi)關(guān)代替繼電器。

發(fā)表于：2011/4/15

Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑，從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小。

發(fā)表于：2011/4/14

電容爆炸的原因及處理方法

我曾經(jīng)在400V開(kāi)關(guān)室使用了PGJ1-5型無(wú)功功率補(bǔ)償屏，屏內(nèi)裝有BCMJ型并聯(lián)電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類別-25℃/45℃接法。

發(fā)表于：2011/4/14

智慧手機(jī)和平板助攻行動(dòng)DRAM聲勢(shì)看漲

在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的帶動(dòng)下，行動(dòng)DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢(shì)正不斷看漲。

發(fā)表于：2011/4/14

IDF2011:Hynix與下一代內(nèi)存技術(shù)趨勢(shì)

由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術(shù)論壇活動(dòng)--2011英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國(guó)家會(huì)議中心舉行。這是2007年以來(lái)連續(xù)第5個(gè)年度IDF在中國(guó)首發(fā)。本屆IDF以"智無(wú)界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)從硬件、平臺(tái)到軟件和服務(wù)全面的計(jì)算解決方案，推進(jìn)個(gè)性化互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展;同時(shí)面向中國(guó)市場(chǎng)如何支持本地合作伙伴創(chuàng)新，助力新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：2011/4/14

四月DRAM價(jià)格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價(jià)再度呈現(xiàn)價(jià)格上揚(yáng)的趨勢(shì)，DDR3 2GB均價(jià)自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價(jià)亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場(chǎng)面來(lái)觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰(zhàn)，硅晶圓廠也釋出手上庫(kù)存來(lái)滿足產(chǎn)業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個(gè)月以上的庫(kù)存量來(lái)看，目前維持正常投片的能見(jiàn)度可至第二季末，但長(zhǎng)期來(lái)看，如果硅晶圓大廠如信越化學(xué)及SUMCO不能在近期恢復(fù)正常運(yùn)作，DRAM供應(yīng)煉受到?jīng)_擊勢(shì)必在未來(lái)將陸續(xù)浮現(xiàn)，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問(wèn)題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對(duì)于DRAM廠未來(lái)是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫(kù)存水位，需求轉(zhuǎn)趨積極下，跟DRAM廠議定合約價(jià)時(shí)亦接受較高的價(jià)格，也是讓四月上旬合約價(jià)攀升的主要原因。

發(fā)表于：2011/4/14