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微波射頻相關(guān)文章

Vishay大幅擴(kuò)充TMBS®整流器產(chǎn)品線

采用功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封裝的器件具有10A～60A的寬電流等級(jí)范圍，在5A電流下的典型VF低至0.28V

發(fā)表于：2011/3/21

再創(chuàng)功耗新低、瑞薩電子新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品

高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子），于2011年1月12日正式宣布推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK，具有極高的效率，能顯著降低PC服務(wù)器、通信基站以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等的功耗。

發(fā)表于：2011/3/21

磁阻傳感器在鐵礦濃度檢測(cè)中應(yīng)用

為快速有效地對(duì)鐵礦漿濃度進(jìn)行檢測(cè)，保證精礦質(zhì)量，采用了基于磁阻傳感器的新型檢測(cè)系統(tǒng)。本文闡明磁阻傳感器檢測(cè)礦漿濃度的工作原理，著重介紹了hmc1021芯片置位和復(fù)位電路特點(diǎn)，檢測(cè)、放大及V／F轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)方法。對(duì)磁阻傳感器在磁選機(jī)中的安放位置進(jìn)行了詳細(xì)說明，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試證明該系統(tǒng)在使用過程中運(yùn)行狀況良好，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求，提高了生產(chǎn)效率、節(jié)約了大量能源。同時(shí)也為Hmc1021磁阻傳感器在礦山其它選礦設(shè)備應(yīng)用打下基礎(chǔ)。

發(fā)表于：2011/3/21

嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計(jì)方案

DSP有限的片內(nèi)存儲(chǔ)器容量往往使得設(shè)計(jì)人員感到捉襟見肘，特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場(chǎng)合，需要有高速大容量存儲(chǔ)空間的強(qiáng)力支持。因此，需要外接存儲(chǔ)器來擴(kuò)展DSP的存儲(chǔ)空間。

發(fā)表于：2011/3/20

PSoC在光纖陀螺脈沖輸出采集中的應(yīng)用

針對(duì)光纖陀螺脈沖輸出采集范圍小、精度低、外圍電路復(fù)雜等問題，提出了一種基于PSoC芯片的脈沖采集系統(tǒng)。與傳統(tǒng)的單片機(jī)相比，PSoC芯片最大程度地實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)單片化的目標(biāo)，在保證以更簡(jiǎn)便方式實(shí)現(xiàn)更多更靈活功能和具備較高性能的前提下，達(dá)到了極高性價(jià)比。系統(tǒng)以PSoC芯片CY29666-24PVXI為核心器件，以改進(jìn)的無縫計(jì)數(shù)法為理論基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了光纖陀螺脈沖輸出的高精度采集。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該系統(tǒng)的測(cè)試范圍能夠達(dá)到0．1Hz～1MHz，誤差小于1．0x10-4，滿足了實(shí)際脈沖采集的要求。

發(fā)表于：2011/3/19

2010年歐洲MEMS廠商增長(zhǎng)速度明顯高于整體市場(chǎng)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2010年微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，總體增長(zhǎng)了18%，而歐洲三家廠商更是取得了上乘表現(xiàn)。

發(fā)表于：2011/3/18

國(guó)際閃存價(jià)格已暴漲近20% iPad 2上市遭沖擊

雖然日本大地震引起的海嘯抵達(dá)美國(guó)西海岸時(shí)已激不起大浪；但日本地震，卻可能實(shí)實(shí)在在沖擊到美國(guó)蘋果公司剛上市的新品iPad 2。

發(fā)表于：2011/3/18

三星電子是競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)的DRAM公司

根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn)，三星電子不但在DRAM市場(chǎng)占有最大份額，而且競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)。

發(fā)表于：2011/3/17

Vishay推出新的T86系列固鉭貼片電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級(jí)、符合per MIL PRF 55365標(biāo)準(zhǔn)的浪涌電流測(cè)試選項(xiàng)、低ESR選項(xiàng)，并且內(nèi)置熔絲，從而在關(guān)鍵應(yīng)用中達(dá)到高可靠性和提供短路保護(hù)。

發(fā)表于：2011/3/17

基于紫外檢測(cè)法的智能型特高壓驗(yàn)電器系統(tǒng)

提出了一種基于DSP和LabVIEW的智能型特高壓驗(yàn)電器系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。以DSP作為現(xiàn)場(chǎng)智能型特高壓驗(yàn)電器系統(tǒng)的核心，上位機(jī)管理系統(tǒng)軟件以LabVIEW作為開發(fā)平臺(tái)，并采用現(xiàn)場(chǎng)總線CAN將DSP采集的數(shù)據(jù)傳送至上位機(jī)進(jìn)行分析處理。實(shí)驗(yàn)表明，研制開發(fā)的智能型特高壓驗(yàn)電器系統(tǒng)具有界面友好、操作方便、多功能和抗干擾較強(qiáng)等特點(diǎn)。

發(fā)表于：2011/3/17

電子式電壓互感器相關(guān)問題探索

本文探討了復(fù)合式電壓/電流傳感器的實(shí)用化過程中出現(xiàn)的高壓端電子電路供能問題、電磁兼容設(shè)計(jì)和電子式互感器的保護(hù)措施，并提出阻容分壓型電子式互感器的設(shè)計(jì)構(gòu)想。

發(fā)表于：2011/3/17

英偉達(dá)首席財(cái)務(wù)官大衛(wèi)·懷特宣布離職

3月16日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球芯片制造商英偉達(dá)今日宣布，公司首席財(cái)務(wù)官大衛(wèi)·懷特（David White）出于個(gè)人原因離職。他的任期將到2011年5月31日為止。

發(fā)表于：2011/3/16

激光測(cè)徑儀工作原理和使用圖解

激光掃描測(cè)量技術(shù)利用激光光源優(yōu)良的焦點(diǎn)特性，使用快速飛點(diǎn)光掃描測(cè)量原理、實(shí)現(xiàn)對(duì)直徑、厚度等幾何量的精密測(cè)量，其應(yīng)用系統(tǒng)是實(shí)施非接觸精密測(cè)量和控制的重要技術(shù)手段。

發(fā)表于：2011/3/16

地震對(duì)日本電感電容電阻行情影響有限

日本是全球最大的RCL和石英器件生產(chǎn)地區(qū)。此次地震雖然并未嚴(yán)重危及本土的生產(chǎn)工廠，但是造成了電力和原料供應(yīng)的短缺,進(jìn)而間接對(duì)被動(dòng)器件廠的生產(chǎn)造成影響。

發(fā)表于：2011/3/16

雙理想二極管及熱插拔控制器節(jié)省了功率和電路板面積

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出緊湊型、雙理想二極管和熱插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4227，可提供電源通路 (PowerPathTM) 及浪涌電流控制以用于在 2.9V 至 18V 電壓范圍內(nèi)工作的冗余電源。LTC4227 調(diào)節(jié)兩個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 兩端的正向壓降，以在二極管“或”應(yīng)用中確保電源之間的電流平滑轉(zhuǎn)換。這些理想二極管取代了兩個(gè)大功率肖特基二極管和相關(guān)的散熱器，從而節(jié)省了電路板空間，同時(shí)為負(fù)載提供了一條低損耗通路。下游的熱插拔控制 MOSFET 保護(hù)了電路板和背板，以防止它們?cè)趲щ姴灏螘r(shí)受損，而快速響應(yīng)電流限制和電路斷路器提供了針對(duì)短路故障的保護(hù)。借助一個(gè)專用的 D2ON# 引腳實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)電源的優(yōu)先級(jí)區(qū)分，對(duì)于優(yōu)先級(jí)較低的電源，該引腳將關(guān)斷理想二極管。除了冗余電源“或”處理之外，LTC4227 還在電源保持應(yīng)用中提供了一款出色的二極管替代方案，而在這些應(yīng)用中，電源電壓的短暫驟降與負(fù)載是隔離的。　

發(fā)表于：2011/3/15