微波射頻相關(guān)文章 英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效 2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 發(fā)表于：2011/2/14 NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽 農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒(méi)這么強(qiáng)，但過(guò)去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場(chǎng)未來(lái)在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場(chǎng)要再成長(zhǎng)并不容易。 發(fā)表于：2011/2/14 2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì) Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開(kāi)始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過(guò)剩。 發(fā)表于：2011/2/14 芯片熱阻計(jì)算及散熱器/片的選擇 任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無(wú)需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫度可達(dá)到或超過(guò)允許的結(jié)溫，器件將受到損壞。 發(fā)表于：2011/2/13 Spansion公司針對(duì)手機(jī)和機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用市場(chǎng)推出全新VS-R系列產(chǎn)品 2011年2月11日， 中國(guó)上?！猄pansion公司（NYSE: CODE）今日宣布推出Spansion® VS-R系列產(chǎn)品，幫助無(wú)線手機(jī)制造商針對(duì)如中國(guó)、印度、東南亞、非洲和拉丁美洲等新興市場(chǎng)，提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的入門(mén)級(jí)手機(jī)。同時(shí)，該系列產(chǎn)品也非常適用于蜂窩型機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用，如遠(yuǎn)程醫(yī)療監(jiān)控設(shè)備、車(chē)隊(duì)通訊管理和自動(dòng)販賣(mài)機(jī)。 發(fā)表于：2011/2/11 電弧傳感器焊縫跟蹤系統(tǒng) 本文對(duì)國(guó)內(nèi)外焊縫跟蹤系統(tǒng)電弧傳感技術(shù)、信號(hào)處理技術(shù)和控制技術(shù)的研究現(xiàn)狀分別做一介紹，在此基礎(chǔ)上總結(jié)出一套較為先進(jìn)的焊縫跟蹤系統(tǒng)的實(shí)施方案，為焊縫跟蹤系統(tǒng)研制提供依據(jù)。 發(fā)表于：2011/2/11 采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù) 閃存允許在生產(chǎn)線的終點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)編程，也允許在生產(chǎn)之后修改代碼。但是如果通過(guò)因特網(wǎng)，公司將面臨IP將泄漏給競(jìng)爭(zhēng)者的問(wèn)題。應(yīng)該采用各種方法來(lái)控制更新授權(quán)許可，并在泄漏產(chǎn)品的IP的情況下， 提供現(xiàn)場(chǎng)更新。 發(fā)表于：2011/2/11 Android特色開(kāi)發(fā)之傳感器和語(yǔ)音識(shí)別 Android是一個(gè)面向應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)的豐富平臺(tái)，它擁有許多具有吸引力的用戶界面元素、數(shù)據(jù)管理和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等優(yōu)秀的功能。Android還提供了很多頗具特色的接口。 發(fā)表于：2011/2/11 氣體放電管和壓敏電阻的原理及特性 氣體放電管的工作原理及特性氣體放電管一般采用陶瓷作為封裝外殼，放電管內(nèi)充滿電氣性能穩(wěn)定的惰性氣體，放電管的電極一般有兩個(gè)電極、三個(gè)電極和五個(gè)電極三種結(jié)構(gòu)。當(dāng)在放電管的極間施加一定的電壓時(shí)，便在極間產(chǎn)生 發(fā)表于：2011/2/11 遠(yuǎn)程登錄路由器設(shè)置方法 本文主要從默認(rèn)配置，設(shè)置用戶名和密碼，環(huán)境介紹等方面向大家詳細(xì)的介紹了如何進(jìn)行對(duì)于路由器遠(yuǎn)程登錄的設(shè)置，相信看過(guò)此文會(huì)你有所幫助。 發(fā)表于：2011/2/11 基于USB2.0的高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì) 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出USB2.0高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：將FLASH作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)單元，應(yīng)用在與計(jì)算機(jī)交互數(shù)據(jù)的采集過(guò)程之中；并采用中斷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)固件程序，提高了讀寫(xiě)效率。實(shí)驗(yàn)證明，其性能穩(wěn)定可靠，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)速度達(dá)到了令人滿意的效果。移動(dòng)數(shù)據(jù)的交換和存儲(chǔ)是目前IT行業(yè)的熱點(diǎn)，可以在此基礎(chǔ)上，不斷完善現(xiàn)有設(shè)計(jì)方案，繼續(xù)研究開(kāi)發(fā)嵌入式USB主機(jī)系統(tǒng)，使得在PC機(jī)不參與的情況下同樣可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與交換。 發(fā)表于：2011/2/10 電容器測(cè)試的挑戰(zhàn)與方案 電容器是基本的電氣元件，它出現(xiàn)在幾乎任何一種電子硬件中。電容器廣泛用于旁路、耦合、濾波和隧道電子電路。但是，為了使用電容器，就必須分析其電容量、額定電壓、溫度系數(shù)和漏電阻等特性。雖然電容器制造商進(jìn)行這些測(cè)試，但是許多電子器件制造商在將電容器應(yīng)用到產(chǎn)品中時(shí)，也要進(jìn)行上述某些測(cè)試來(lái)檢查質(zhì)量。 發(fā)表于：2011/2/4 晶體管PC參數(shù)測(cè)量?jī)xDIY詳解 本文介紹了用洞洞板作了一個(gè)PC機(jī)晶體管圖示參數(shù)測(cè)試儀。 發(fā)表于：2011/2/4 2010年光模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)30% 昨日據(jù)市場(chǎng)研究公司LightCounting發(fā)布新聞稱(chēng)，2010年全球用于通信和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的光收發(fā)模塊銷(xiāo)售額超過(guò)25億美元，相比前年增長(zhǎng)了30%。 發(fā)表于：2011/2/4 慢速內(nèi)存和快速內(nèi)存可“合二為一” 美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)研究人員開(kāi)發(fā)出一種新器件，該技術(shù)被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)內(nèi)存研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)步，將使大規(guī)模服務(wù)器群更節(jié)能，并使計(jì)算機(jī)的啟動(dòng)變得更快。 發(fā)表于：2011/2/4 ?…128129130131132133134135136137…?
