微波射頻相關(guān)文章 氣體放電管和壓敏電阻的原理及特性 氣體放電管的工作原理及特性氣體放電管一般采用陶瓷作為封裝外殼，放電管內(nèi)充滿電氣性能穩(wěn)定的惰性氣體，放電管的電極一般有兩個(gè)電極、三個(gè)電極和五個(gè)電極三種結(jié)構(gòu)。當(dāng)在放電管的極間施加一定的電壓時(shí)，便在極間產(chǎn)生 發(fā)表于：2/11/2011 遠(yuǎn)程登錄路由器設(shè)置方法 本文主要從默認(rèn)配置，設(shè)置用戶名和密碼，環(huán)境介紹等方面向大家詳細(xì)的介紹了如何進(jìn)行對(duì)于路由器遠(yuǎn)程登錄的設(shè)置，相信看過此文會(huì)你有所幫助。 發(fā)表于：2/11/2011 基于USB2.0的高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì) 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出USB2.0高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：將FLASH作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)單元，應(yīng)用在與計(jì)算機(jī)交互數(shù)據(jù)的采集過程之中；并采用中斷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)固件程序，提高了讀寫效率。實(shí)驗(yàn)證明，其性能穩(wěn)定可靠，讀寫數(shù)據(jù)速度達(dá)到了令人滿意的效果。移動(dòng)數(shù)據(jù)的交換和存儲(chǔ)是目前IT行業(yè)的熱點(diǎn)，可以在此基礎(chǔ)上，不斷完善現(xiàn)有設(shè)計(jì)方案，繼續(xù)研究開發(fā)嵌入式USB主機(jī)系統(tǒng)，使得在PC機(jī)不參與的情況下同樣可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與交換。 發(fā)表于：2/10/2011 電容器測(cè)試的挑戰(zhàn)與方案 電容器是基本的電氣元件，它出現(xiàn)在幾乎任何一種電子硬件中。電容器廣泛用于旁路、耦合、濾波和隧道電子電路。但是，為了使用電容器，就必須分析其電容量、額定電壓、溫度系數(shù)和漏電阻等特性。雖然電容器制造商進(jìn)行這些測(cè)試，但是許多電子器件制造商在將電容器應(yīng)用到產(chǎn)品中時(shí)，也要進(jìn)行上述某些測(cè)試來檢查質(zhì)量。 發(fā)表于：2/4/2011 晶體管PC參數(shù)測(cè)量儀DIY詳解 本文介紹了用洞洞板作了一個(gè)PC機(jī)晶體管圖示參數(shù)測(cè)試儀。 發(fā)表于：2/4/2011 2010年光模塊市場(chǎng)增長30% 昨日據(jù)市場(chǎng)研究公司LightCounting發(fā)布新聞稱，2010年全球用于通信和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的光收發(fā)模塊銷售額超過25億美元，相比前年增長了30%。 發(fā)表于：2/4/2011 慢速內(nèi)存和快速內(nèi)存可“合二為一” 美國北卡羅萊納州立大學(xué)研究人員開發(fā)出一種新器件，該技術(shù)被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)內(nèi)存研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)步，將使大規(guī)模服務(wù)器群更節(jié)能，并使計(jì)算機(jī)的啟動(dòng)變得更快。 發(fā)表于：2/4/2011 深度解析固態(tài)存儲(chǔ)SSD的發(fā)展及應(yīng)用 隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)需求增多，存儲(chǔ)系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動(dòng)設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制等惡劣環(huán)境下，傳統(tǒng)硬盤機(jī)械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿足要求，而所有這一切隨著固態(tài)存儲(chǔ)（SSD）的到來改變。 發(fā)表于：1/29/2011 能夠滿足大容量存儲(chǔ)應(yīng)用需求的新型串行閃存 針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技推出一個(gè)簡單的獨(dú)一無二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口（SPI）協(xié)議，無需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。 發(fā)表于：1/29/2011 MEMS兩位數(shù)增長將持續(xù)到2014年 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/28/2011 平板電腦為DRAM帶來增長支撐點(diǎn) 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)今年該領(lǐng)域的DRAM出貨量將增長八倍。今年平板設(shè)備領(lǐng)域的DRAM出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到3.533億Gb，比2010年的3780萬Gb劇增834.7%。 發(fā)表于：1/28/2011 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。 發(fā)表于：1/27/2011 DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底 二季度回漲 來自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開始回漲. 發(fā)表于：1/27/2011 電感、電解電容 2011年行情和價(jià)格雙雙看漲 廠商并未看漲2011年所有元件的價(jià)格，例如OVP元件就被多數(shù)廠商認(rèn)為會(huì)保持穩(wěn)定價(jià)格，而針對(duì)鋁電解電容市場(chǎng)，TDK-EPC集團(tuán)成員愛普科斯大中華區(qū)鋁電解電容產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)劉權(quán)旺表示，鋁電解電容器的價(jià)格將呈上升華強(qiáng)電子網(wǎng)電子元器件資訊提供最新的電子資訊，元器件資訊，LED資訊，IC資訊，非IC資訊，展會(huì)信息，這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺(tái)。 發(fā)表于：1/27/2011 聯(lián)華電子第四季度凈利潤增46% 聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圓發(fā)貨量強(qiáng)勁增長提振，去年第四季度凈利潤增長46%。但該公司表示，美國和新興市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制。 發(fā)表于：1/27/2011 ?…130131132133134135136137138139…?
