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微波射頻相關(guān)文章

WXH-803光纖電流差動(dòng)保護(hù)的研究

光纖電流差動(dòng)保護(hù)是高壓超高壓線路主保護(hù)的發(fā)展方向，本文介紹了基于32位DSP所研制開發(fā)的WXH-803數(shù)字式光纖電流差動(dòng)保護(hù)、在500kV系統(tǒng)動(dòng)模情況及330kV掛網(wǎng)運(yùn)行情況。該裝置采用96點(diǎn)高采樣率、快速短窗算法，采用故障分量差動(dòng)、全電流差動(dòng)、零序差動(dòng)作為差動(dòng)保護(hù)的判據(jù)，在500kV系統(tǒng)動(dòng)模中典型動(dòng)作時(shí)間16－18ms。

發(fā)表于：2/23/2011

飛兆半導(dǎo)體同步整流控制器兼容反激式和正激拓?fù)?，兼具多種工作模式

為了滿足臺(tái)式PC、一體化(AIO) PC和筆記本電腦適配器對(duì)功效的更高要求，并達(dá)到相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，設(shè)計(jì)人員需要能夠提高功效并集成更多功能的次級(jí)端同步整流(SR)控制器。

發(fā)表于：2/22/2011

element14與松下集團(tuán)合作伙伴關(guān)系拓展至亞太地區(qū)

element14 - Panasonic歐洲協(xié)議衍生的戰(zhàn)略合作關(guān)系，將為亞太地區(qū)的電子設(shè)計(jì)工程師提供6000余種松下被動(dòng)元件。同時(shí)，element14擴(kuò)充了亞太區(qū)庫(kù)存，納入了行業(yè)領(lǐng)先的松下ZNR瞬態(tài)電涌吸收器

發(fā)表于：2/22/2011

集成硅基光傳感器的選擇

光傳感器，也稱為光探測(cè)器，可以生長(zhǎng)在各種不同的襯底上：鍺、砷化鎵銦、磷化鎵以及硅。所有這些光傳感器都具有可變的光譜和時(shí)間響應(yīng)及應(yīng)用功能，但是這類非硅基傳感器的應(yīng)用空間相對(duì)較窄，而硅基傳感器則廣泛適用于醫(yī)療、工業(yè)及商業(yè)等領(lǐng)域。

發(fā)表于：2/22/2011

DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價(jià)上周再度下滑

市場(chǎng)調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)周統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩(wěn)定價(jià)格此次的變化對(duì)整個(gè)市場(chǎng)有一定的影響。

發(fā)表于：2/22/2011

2011慕尼黑上海電子展新品擷英（四）：綠色制造之線束加工

2011年3月15-17日將迎來(lái)慕尼黑上海電子展的10周年慶典，全球近500家電子元器件、集成電路及電子生產(chǎn)設(shè)備的頂尖企業(yè)將共同為中國(guó)的電子行業(yè)帶來(lái)一場(chǎng)技術(shù)盛宴。第四集“慕尼黑上海電子展新品擷英”將為您帶來(lái)國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)的創(chuàng)新線束加工產(chǎn)品，走向更精密。敬請(qǐng)先睹為快！

發(fā)表于：2/21/2011

用PLC高速計(jì)數(shù)器和電壓/頻率傳感器測(cè)量模擬電壓信號(hào)的方法

介紹了用PLC高速計(jì)數(shù)器和電壓/頻率傳感器累計(jì)測(cè)量脈沖的原理，闡明了應(yīng)用中需注意的事項(xiàng)，通過(guò)程序?qū)嵗攲?shí)介紹了測(cè)量模擬電壓信號(hào)的方法。

發(fā)表于：2/21/2011

詳解數(shù)字電位器的原理與應(yīng)用

數(shù)字電位器一般帶有總線接口，可通過(guò)單片機(jī)或邏輯電路進(jìn)行編程。它適合構(gòu)成各種可編程模擬器件，如可編程增益放大器、可編程濾波器、可編程線性穩(wěn)壓電源及音調(diào)／音量控制電路，真正實(shí)現(xiàn)了“把模擬器件放到總線上這一全新設(shè)計(jì)理念。

發(fā)表于：2/21/2011

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級(jí)版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

發(fā)表于：2/18/2011

精密電阻分類及特性

本文詳細(xì)介紹了精密電阻的分類特性及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：2/17/2011

存儲(chǔ)分析網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)與備份十項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

有效利用網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)是任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理策略的重要組成部分，僅僅依靠硬盤、JBOD和其它類型的本地存儲(chǔ)是不足以保護(hù)關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的完整性的，網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)在這個(gè)時(shí)候真正顯示出巨大的威力，它不僅可以容納由服務(wù)器產(chǎn)生的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，還可以容納由PC端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，并為數(shù)據(jù)提供良好的保護(hù)。

發(fā)表于：2/17/2011

影響電阻或電阻率測(cè)試的因素

影響電阻或電阻率測(cè)試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測(cè)試電壓、測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)備的泄露和外界干擾等。

發(fā)表于：2/16/2011

iPhone基帶軟件充滿漏洞缺陷將被曝光

蘋果iPhone無(wú)疑是世界上最受歡迎的智能手機(jī)之一，由于該產(chǎn)品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數(shù) 報(bào)價(jià) 圖片論壇軟件)的新號(hào)問(wèn)題。實(shí)際上早在iPhone 4之前，美國(guó)AT&T的iPhone用戶就已經(jīng)頻頻抱怨手機(jī)頻繁掉線，只不過(guò)當(dāng)時(shí)用戶和蘋果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋果自身也存在一些設(shè)計(jì)問(wèn)題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會(huì)隨之曝光。

發(fā)表于：2/16/2011

英飛凌面向硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件

隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開關(guān)損耗，提高可靠性。

發(fā)表于：2/16/2011

美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)

自問(wèn)世以來(lái)，NAND閃存對(duì)ECC（糾錯(cuò)碼）糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)技術(shù)所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)付。

發(fā)表于：2/16/2011