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2011慕尼黑上海電子展新品擷英（四）：綠色制造之線束加工

2011年3月15-17日將迎來(lái)慕尼黑上海電子展的10周年慶典，全球近500家電子元器件、集成電路及電子生產(chǎn)設(shè)備的頂尖企業(yè)將共同為中國(guó)的電子行業(yè)帶來(lái)一場(chǎng)技術(shù)盛宴。第四集“慕尼黑上海電子展新品擷英”將為您帶來(lái)國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)的創(chuàng)新線束加工產(chǎn)品，走向更精密。敬請(qǐng)先睹為快！

發(fā)表于：2011/2/21

用PLC高速計(jì)數(shù)器和電壓/頻率傳感器測(cè)量模擬電壓信號(hào)的方法

介紹了用PLC高速計(jì)數(shù)器和電壓/頻率傳感器累計(jì)測(cè)量脈沖的原理，闡明了應(yīng)用中需注意的事項(xiàng)，通過(guò)程序?qū)嵗攲?shí)介紹了測(cè)量模擬電壓信號(hào)的方法。

發(fā)表于：2011/2/21

詳解數(shù)字電位器的原理與應(yīng)用

數(shù)字電位器一般帶有總線接口，可通過(guò)單片機(jī)或邏輯電路進(jìn)行編程。它適合構(gòu)成各種可編程模擬器件，如可編程增益放大器、可編程濾波器、可編程線性穩(wěn)壓電源及音調(diào)／音量控制電路，真正實(shí)現(xiàn)了“把模擬器件放到總線上這一全新設(shè)計(jì)理念。

發(fā)表于：2011/2/21

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級(jí)版本的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

發(fā)表于：2011/2/18

精密電阻分類及特性

本文詳細(xì)介紹了精密電阻的分類特性及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：2011/2/17

存儲(chǔ)分析網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)與備份十項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

有效利用網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)是任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理策略的重要組成部分，僅僅依靠硬盤(pán)、JBOD和其它類型的本地存儲(chǔ)是不足以保護(hù)關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的完整性的，網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)在這個(gè)時(shí)候真正顯示出巨大的威力，它不僅可以容納由服務(wù)器產(chǎn)生的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)，還可以容納由PC端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，并為數(shù)據(jù)提供良好的保護(hù)。

發(fā)表于：2011/2/17

影響電阻或電阻率測(cè)試的因素

影響電阻或電阻率測(cè)試的主要因素有環(huán)境溫濕度、測(cè)試電壓、測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)備的泄露和外界干擾等。

發(fā)表于：2011/2/16

iPhone基帶軟件充滿漏洞缺陷將被曝光

蘋(píng)果iPhone無(wú)疑是世界上最受歡迎的智能手機(jī)之一，由于該產(chǎn)品極為受寵，很多瑕疵都被用戶所忽略，就像是iPhone 4(參數(shù) 報(bào)價(jià) 圖片論壇軟件)的新號(hào)問(wèn)題。實(shí)際上早在iPhone 4之前，美國(guó)AT&T的iPhone用戶就已經(jīng)頻頻抱怨手機(jī)頻繁掉線，只不過(guò)當(dāng)時(shí)用戶和蘋(píng)果都將矛頭指向了AT&T，然而，美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》媒體卻在近日聲稱，這并不能完全歸咎于AT&T，蘋(píng)果自身也存在一些設(shè)計(jì)問(wèn)題。如果真的是這樣，那么隨著Verizon開(kāi)始引入CDMA版 iPhone，這些缺陷就會(huì)隨之曝光。

發(fā)表于：2011/2/16

英飛凌面向硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的新一代650V超結(jié)器件

隨著功率密度不斷提高，半橋和全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗，提高可靠性。

發(fā)表于：2011/2/16

美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)

自問(wèn)世以來(lái)，NAND閃存對(duì)ECC（糾錯(cuò)碼）糾錯(cuò)能力的要求越來(lái)越高。雖然這不是一個(gè)新問(wèn)題，但是支持最新的多層單元（MLC）架構(gòu)和每單元存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)技術(shù)所需的ECC糾錯(cuò)能力讓系統(tǒng)人員越來(lái)越難以應(yīng)付。

發(fā)表于：2011/2/16

Ramtron在IIC China 2011展會(huì)上展示MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器

世界頂尖的低功率鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation將在今年2月24至26日于深圳會(huì)展中心舉行的IIC China 展會(huì)上展示F-RAM技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì) (展臺(tái)號(hào)：2L19)。Ramtron專家將在展臺(tái)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示，并回答有關(guān)獲獎(jiǎng)的MaxArias?無(wú)線存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體解決方案的各種問(wèn)題。

發(fā)表于：2011/2/15

IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可將DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用效率提升2%

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技術(shù)，可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。

發(fā)表于：2011/2/15

CSA集團(tuán)任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認(rèn)證公司董事會(huì)成員

CSA集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團(tuán)歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國(guó)法蘭克福辦公，主要負(fù)責(zé)加速CSA服務(wù)和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長(zhǎng)，并為所有歐洲客戶帶來(lái)CSA的全球服務(wù)。

發(fā)表于：2011/2/15

表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點(diǎn)的情況下提供大的 IOUT

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構(gòu)，它采用了一個(gè)電流源基準(zhǔn)以利用單個(gè)電阻器來(lái)設(shè)定輸出電壓。當(dāng) SET 引腳連在一起時(shí)，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個(gè)穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)數(shù)安培的線性調(diào)節(jié)，而無(wú)需散熱器。

發(fā)表于：2011/2/14

泰科電子雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn)　泰科電子推出標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護(hù)器件

泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個(gè)硅器件和一個(gè)傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動(dòng)封裝配置的各種優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。

發(fā)表于：2011/2/14