日本大地震將加劇EMI濾波器、鋁電解電容和MLCC的供應(yīng)緊缺狀況。據(jù)本刊了解到的最新信息，TDK關(guān)閉了一個(gè)生產(chǎn)廠，村田則關(guān)閉了宮城縣EMI靜噪濾波器和線圈產(chǎn)品的制造廠、仙臺(tái)壓電產(chǎn)品和高頻組件的制造廠、小山的機(jī)能性高分子電容器的制造廠。這三座工廠生產(chǎn)的產(chǎn)品包括EMI靜噪濾波器、MLCC、表面聲波濾波器等。
Nichicon受到影響的鋁電解電容器生產(chǎn)工廠及事業(yè)部主要為長(zhǎng)野、Hotaka、Ohmachi和Tomita四處。Rubycon主要受影響的為Akita和Fukushima兩處工廠及事業(yè)部。
此外，巖手縣的東芝電子半導(dǎo)體生產(chǎn)廠和富士通半導(dǎo)體廠的設(shè)備有不同程度的損壞，兩廠均已停產(chǎn)。這可能會(huì)影響到閃存的供應(yīng)。
東芝在巖手縣生產(chǎn)邏輯IC與消費(fèi)類IC的生產(chǎn)線則受創(chuàng)較為嚴(yán)重。摩托羅拉在巖手縣的獨(dú)資企業(yè)東北半導(dǎo)體廠在此次地震中也有局部損壞，現(xiàn)已停產(chǎn)。飛思卡爾半導(dǎo)體位于仙臺(tái)市的一家6英寸晶圓廠也已停產(chǎn)。
Cree推出滿足能源之星要求的半瓦照明級(jí)LED
Cree XLamp ML-E LED是一款可應(yīng)用于半瓦LED市場(chǎng)的照明級(jí)LED，為照明設(shè)計(jì)人員提供了空間緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的分布式LED陣列解決方案，充分滿足美國(guó)環(huán)境保護(hù)署能源之星嚴(yán)格的性能標(biāo)準(zhǔn)要求。XLamp ML-E為需要均勻柔和色調(diào)的應(yīng)用提供了照明級(jí)性能，在150mA驅(qū)動(dòng)電流下的冷白光(5000K)光通量高達(dá)58lm，暖白光光通量可達(dá)48lm，可提供嚴(yán)格控制的色度空間均勻性和120度的發(fā)光視角，能滿足LED日光燈管的替換、天棚燈、櫥柜燈等的照明需求。
XLamp ML-B LED可在0.25瓦的功率下工作，擴(kuò)大了照明級(jí)LED產(chǎn)品的最大化組合，將照明級(jí)性能推廣至光源可見的分布式應(yīng)用領(lǐng)域。在80mA的驅(qū)動(dòng)電流下，其冷白光的光輸出高達(dá)30lm，暖白光的光輸出高達(dá)24lm，可提供嚴(yán)格控制的色度空間均勻性和120度的發(fā)光角度，可應(yīng)用于面板燈和基于LED的日光燈管替代產(chǎn)品等成功實(shí)現(xiàn)了直射型照明設(shè)備光輸出、封裝尺寸、光效和價(jià)值的完美平衡。
突破性無(wú)線存儲(chǔ)器支持新的下一代射頻應(yīng)用
Ramtron最近推出的基于低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集功能，是高價(jià)值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護(hù)歷史數(shù)據(jù)記錄收集、以及智能電表抄表等廣泛應(yīng)用的理想選擇。
Ramtron MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器
首個(gè)MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器系列結(jié)合了高達(dá)16Kb的F-RAM和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線接口協(xié)議。通過優(yōu)化的天線設(shè)計(jì)，MaxArias器件可以由射頻場(chǎng)直接感應(yīng)出的能量來(lái)供電。主流RFID標(biāo)簽僅能提供數(shù)Kb的存儲(chǔ)器內(nèi)容，并具有固有的存取速度緩慢的缺陷。Ramtron推出的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器則可在IC上存儲(chǔ)1000個(gè)16位數(shù)據(jù)。最終用戶能夠以非常低的功耗(-13dBm/-13dBm讀/寫靈敏度)，在遠(yuǎn)達(dá)10米的距離來(lái)存儲(chǔ)和檢索其寶貴的信息，諸如制造數(shù)據(jù)、生產(chǎn)數(shù)量和日期、配置狀態(tài)、故障歷史、維修歷史，甚至是硬件的修訂版本等信息，從而獲益于高性能、大容量的MaxArias器件。
MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器的其它優(yōu)異性能包括：1）它的寫入操作是零功率的，因此在執(zhí)行寫入時(shí)不會(huì)影響功率和速度。2）寫入速度比EEPROM快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的寫入操作，并且沒有“預(yù)備時(shí)間”限制。3）不受磁場(chǎng)影響，并且具有高伽瑪輻射承受能力。