微波射頻相關(guān)文章 基于USB2.0的高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì) 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出USB2.0高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：將FLASH作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)單元，應(yīng)用在與計(jì)算機(jī)交互數(shù)據(jù)的采集過(guò)程之中；并采用中斷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)固件程序，提高了讀寫(xiě)效率。實(shí)驗(yàn)證明，其性能穩(wěn)定可靠，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)速度達(dá)到了令人滿意的效果。移動(dòng)數(shù)據(jù)的交換和存儲(chǔ)是目前IT行業(yè)的熱點(diǎn)，可以在此基礎(chǔ)上，不斷完善現(xiàn)有設(shè)計(jì)方案，繼續(xù)研究開(kāi)發(fā)嵌入式USB主機(jī)系統(tǒng)，使得在PC機(jī)不參與的情況下同樣可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與交換。 發(fā)表于：2/10/2011 電容器測(cè)試的挑戰(zhàn)與方案 電容器是基本的電氣元件，它出現(xiàn)在幾乎任何一種電子硬件中。電容器廣泛用于旁路、耦合、濾波和隧道電子電路。但是，為了使用電容器，就必須分析其電容量、額定電壓、溫度系數(shù)和漏電阻等特性。雖然電容器制造商進(jìn)行這些測(cè)試，但是許多電子器件制造商在將電容器應(yīng)用到產(chǎn)品中時(shí)，也要進(jìn)行上述某些測(cè)試來(lái)檢查質(zhì)量。 發(fā)表于：2/4/2011 晶體管PC參數(shù)測(cè)量?jī)xDIY詳解 本文介紹了用洞洞板作了一個(gè)PC機(jī)晶體管圖示參數(shù)測(cè)試儀。 發(fā)表于：2/4/2011 2010年光模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)30% 昨日據(jù)市場(chǎng)研究公司LightCounting發(fā)布新聞稱(chēng)，2010年全球用于通信和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的光收發(fā)模塊銷(xiāo)售額超過(guò)25億美元，相比前年增長(zhǎng)了30%。 發(fā)表于：2/4/2011 慢速內(nèi)存和快速內(nèi)存可“合二為一” 美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)研究人員開(kāi)發(fā)出一種新器件，該技術(shù)被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)內(nèi)存研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)步，將使大規(guī)模服務(wù)器群更節(jié)能，并使計(jì)算機(jī)的啟動(dòng)變得更快。 發(fā)表于：2/4/2011 深度解析固態(tài)存儲(chǔ)SSD的發(fā)展及應(yīng)用 隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)需求增多，存儲(chǔ)系統(tǒng)的瓶頸越來(lái)越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動(dòng)設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制等惡劣環(huán)境下，傳統(tǒng)硬盤(pán)機(jī)械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無(wú)法滿足要求，而所有這一切隨著固態(tài)存儲(chǔ)（SSD）的到來(lái)改變。 發(fā)表于：1/29/2011 能夠滿足大容量存儲(chǔ)應(yīng)用需求的新型串行閃存 針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無(wú)二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口（SPI）協(xié)議，無(wú)需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。 發(fā)表于：1/29/2011 MEMS兩位數(shù)增長(zhǎng)將持續(xù)到2014年 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/28/2011 平板電腦為DRAM帶來(lái)增長(zhǎng)支撐點(diǎn) 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計(jì)今年該領(lǐng)域的DRAM出貨量將增長(zhǎng)八倍。今年平板設(shè)備領(lǐng)域的DRAM出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到3.533億Gb，比2010年的3780萬(wàn)Gb劇增834.7%。 發(fā)表于：1/28/2011 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。 發(fā)表于：1/27/2011 DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底 二季度回漲 來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱(chēng)，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲. 發(fā)表于：1/27/2011 電感、電解電容 2011年行情和價(jià)格雙雙看漲 廠商并未看漲2011年所有元件的價(jià)格，例如OVP元件就被多數(shù)廠商認(rèn)為會(huì)保持穩(wěn)定價(jià)格，而針對(duì)鋁電解電容市場(chǎng)，TDK-EPC集團(tuán)成員愛(ài)普科斯大中華區(qū)鋁電解電容產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)劉權(quán)旺表示，鋁電解電容器的價(jià)格將呈上升華強(qiáng)電子網(wǎng)電子元器件資訊提供最新的電子資訊，元器件資訊，LED資訊，IC資訊，非IC資訊，展會(huì)信息，這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺(tái)。 發(fā)表于：1/27/2011 聯(lián)華電子第四季度凈利潤(rùn)增46% 聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圓發(fā)貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)提振，去年第四季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)46%。但該公司表示，美國(guó)和新興市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制。 發(fā)表于：1/27/2011 芯片封裝技術(shù)詳解 自從美國(guó)Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器芯片以來(lái)，在20多年時(shí)間內(nèi)，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ，數(shù)位從4位、8位、16位、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上... 發(fā)表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/26/2011 ?…132133134135136137138139140141…?
