微波射頻相關文章 基于傳感器網(wǎng)絡的超級RFID系統(tǒng) 本文綜合RFID和無線傳感器網(wǎng)絡技術, 提出了一種基于傳感器網(wǎng)絡的超級RFID系統(tǒng), 介紹了該系統(tǒng)的組成與體系結(jié)構(gòu), 該系統(tǒng)對Savant的新要求。指出RFID技術與傳感器網(wǎng)絡融技術的融合可能是一個新的發(fā)展趨勢。 發(fā)表于：1/2/2011 無線數(shù)字傳感器的新應用 無線傳感器網(wǎng)絡的主要組成部分是數(shù)字傳感器。無線傳感器的主要必備條件是一個被降低的波形因數(shù)、低能耗以及有效工作范圍，其有效工作范圍與所發(fā)射的無線電信號強度和能耗均成正比的。本文講述無線數(shù)字傳感器的新應用。 發(fā)表于：1/1/2011 新型CMOS圖像傳感器原理及設計 本文提出了一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預處理功能，對改善圖像的質(zhì)量起到了很好的效果。 發(fā)表于：1/1/2011 視頻監(jiān)控用大動態(tài)范圍低照度CMOS圖像傳感器 BGI0365是晶奇完全自主開發(fā)的視頻監(jiān)控用大動態(tài)范圍低照度CMOS圖像傳感器.對于打破進口產(chǎn)品的技術壟斷和開發(fā)依賴具有重要意義。 發(fā)表于：12/31/2010 基于Nand Flash的VIVI裝載器的分析與改進 由于在ROM及Flash等存儲設備中程序的執(zhí)行速度與效率不及程序在RAM中的執(zhí)行速度與效率，因此在嵌入式程序設計中，通常都會有程序拷貝的操作。所謂程序拷貝，就是在程序運行過程中，通過軟件的方法將周化在ROM或Flash中的程序拷貝到RAM中，然后再跳轉(zhuǎn)到RAM相應地址繼續(xù)執(zhí)行程序。 發(fā)表于：12/31/2010 鐵電存儲器及其在電表存儲中的應用 在電子技術日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲器的選擇也是多種多樣，存儲器的好壞直接關系到電能表的正常使用和測量精度。目前應用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種。 發(fā)表于：12/30/2010 AD9822及其在面陣CCD系統(tǒng)中的應用 結(jié)合CCD成像器的特點介紹一種以AD9822+FPGA為核心的CCD視頻處理方案。詳述了AD9822的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理及其配置方法，重點針對CCD視頻信號的特點討論CDS技術的優(yōu)越性。選用FPGA器件作為硬件設計載體，使用VHDL語言對AD9822進行初始化配置和驅(qū)動時序的設計。實驗證明，AD9822能夠滿足CCD成像系統(tǒng)視頻處理的要求，且性能可靠，使用靈活。 發(fā)表于：12/30/2010 基于MEMS器件的低成本微慣性導航系統(tǒng)設計 設計了一款基于MEMS陀螺和MEMS加速度計的低成本微慣性導航系統(tǒng)。采用“四元數(shù)”法進行姿態(tài)計算，通過比力變換、積分運算確定栽體的速度、位置。分析樣機運行結(jié)果可知，靜態(tài)運行15 s，姿態(tài)誤差最大為1．2°，速度誤差最大為4．5 m／s，位置誤差最大為33 m。實驗表明，該系統(tǒng)發(fā)散較快，但短期精度較高，為滿足長時間導航，必須與其他導航如GPS組合，即可應用到普通導航領域，且能大大降低系統(tǒng)的成本和體積。 發(fā)表于：12/30/2010 CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅(qū)動時序設計 Cypress公司的CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300是一款高性能、大動態(tài)范圍的圖像傳感器。圖像傳感器的正常工作需要有正確的驅(qū)動時序信號，本文就圖像傳感器IBIS5-B-1300，給出采用VHDL語言設計的驅(qū)動時序和仿真結(jié)果。 發(fā)表于：12/30/2010 4大終端應用推動MEMS與傳感器市場 據(jù)Digitimes Research,制程技術漸趨成熟帶動微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System；MEMS)與傳感器(Sensor)終端價格迅速滑落，應用范圍亦得以自汽車、工業(yè)、軍事用途擴及消費性電子領域，舉凡智能手機(Smartphone)、平板裝置(Tablet)、聯(lián)網(wǎng)電視(Connected TV)、游戲機(Game Console)等熱門消費性電子產(chǎn)品領域，均將導入設計并進而采用，預期4大終端應用市場將成為拉動需求的主要動能。 發(fā)表于：12/30/2010 2011年DRAM市場五大趨勢 2011年DRAM市場將會是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項發(fā)展趨勢. 發(fā)表于：12/30/2010 面向可再生能源、電信和照明系統(tǒng)開發(fā)能耗減半的新型半導體材料 隨著全球能源需求的不斷攀升，提高效源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應的重要手段。 發(fā)表于：12/29/2010 MOS管反峰及RCD吸收回路 對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件. 發(fā)表于：12/29/2010 基于單片機的FIash存儲器壞塊自動檢測 雖然NAND型Flash具有許多優(yōu)點，但其有隨機產(chǎn)生不可避免的壞塊，如果不能很好解決該壞塊將導致高故障率。因此，這里提出一種基于DSP的Flash存儲器壞塊自動檢測系統(tǒng)。 發(fā)表于：12/28/2010 賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件 完善其高容量QDRII+ SRAM產(chǎn)品線 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit和18-Mbit容量的四倍速?(QDR?)和雙倍速(DDR)SRAM，這些... 發(fā)表于：12/28/2010 ?…136137138139140141142143144145…?
