微波射頻相關(guān)文章 MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制 利用硅膜的良好機(jī)械特性，采用接觸式的結(jié)構(gòu)，通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析，證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造，提高傳感器的測(cè)量精度是下一步研究工作的重點(diǎn)。 發(fā)表于：2011/1/24 Maxim推出帶有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出帶有數(shù)字激光二極管驅(qū)動(dòng)器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于狀態(tài)機(jī)，無(wú)需進(jìn)行枯燥的軟件開(kāi)發(fā)工作。器件能夠輕松滿足SFF-8472標(biāo)準(zhǔn)的要求，大大縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，作為光收發(fā)器設(shè)計(jì)人員理想的高可靠性I²C控制器選擇，DS1878可有效提高SFP+光收發(fā)器模塊的可靠性。 發(fā)表于：2011/1/24 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 賓夕法尼亞、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：2011/1/24 MEMS增長(zhǎng)動(dòng)力在消費(fèi)電子和手機(jī) 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：2011/1/24 起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法 瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。 發(fā)表于：2011/1/24 延長(zhǎng)導(dǎo)通時(shí)間可減小輸入電容容量 基于微處理器的器件需要使用穩(wěn)壓電源(PSU)以檢測(cè)輸入功率損耗和繼續(xù)在完成內(nèi)存?zhèn)浞?即將關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器)的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行供電。 發(fā)表于：2011/1/24 2011年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將保持增長(zhǎng) 據(jù)IHSiSuppli公司，由于企業(yè)需求強(qiáng)勁，包括硬盤(pán)(HDD)在內(nèi)的全球存儲(chǔ)產(chǎn)品出貨量2011年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)10%以上。HDD與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的合計(jì)出貨量2011年將增長(zhǎng)到5.472億個(gè)，比2010年的4.93億增長(zhǎng)10.9%。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求上升，HDD和SSD都將從中受益。 發(fā)表于：2011/1/24 ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì) 美光公司的增強(qiáng)型ClearNAND閃存為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更高的性能和更多的功能，同時(shí)緩解了NAND閃存對(duì)ECC糾錯(cuò)能力的日益嚴(yán)格的要求。增強(qiáng)型ClearNAND閃存支持與標(biāo)準(zhǔn)100-Ball BGA NAND閃存相似的焊球排列，用戶可以設(shè)計(jì)出同時(shí)支持這兩種封裝的產(chǎn)品。例如，該產(chǎn)品將使SSD主控制器擁有充足的ECC糾錯(cuò)能力來(lái)直接支持SLC NAND閃存，選擇增強(qiáng)型ClearNAND閃存還能滿足ECC面臨更大挑戰(zhàn)的多級(jí)單元需求。 發(fā)表于：2011/1/22 MEMS開(kāi)始新的兩位數(shù)增長(zhǎng)階段 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：2011/1/21 e絡(luò)盟引進(jìn)Helieon®可持續(xù)照明模塊 e絡(luò)盟（前身為派睿電子）母公司element14今天宣布，Molex高效、易用的Helieon?可持續(xù)照明模塊，正式加入element14及其子公司e絡(luò)盟的產(chǎn)品庫(kù)存目錄中。Molex是連接器和互連元件及解決方案的全球領(lǐng)先制造商和供應(yīng)商。 發(fā)表于：2011/1/21 基于DSP和OV6630傳感器的圖像采集系統(tǒng)設(shè)計(jì) 本文提出了一種基于DSP和CMOS圖像傳感器，同時(shí)由復(fù)雜可編程邏輯控制芯片CPLD控制的實(shí)時(shí)圖像采集系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方案。 發(fā)表于：2011/1/21 中國(guó)傳感器行業(yè)總結(jié)與展望 當(dāng)前，傳感網(wǎng)作為物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的核心，各國(guó)政府和企業(yè)紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，隨之帶動(dòng)了傳感器行業(yè)的而快速發(fā)展。尤其是2009年到2010年間，剛剛從金融危機(jī)中走出來(lái)的傳感器市場(chǎng)爆發(fā)性增長(zhǎng)，全球3000多家傳感器制造商的總銷(xiāo)售額在2008年時(shí)為500億美元，而2010年的總銷(xiāo)售額將達(dá)到600億美元以上。2010年中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2000億元。幾乎一夜之間所有人都知道了物聯(lián)網(wǎng)、傳感網(wǎng)的概念。 發(fā)表于：2011/1/21 基于開(kāi)關(guān)電容的模擬可編程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn) 開(kāi)關(guān)電容電路能把模擬和數(shù)字功能集成在單芯片上，這就是目前的片上系統(tǒng)。傳統(tǒng)的模擬信號(hào)處理電路采用持續(xù)時(shí)基電路，包括電阻、電容和運(yùn)算放大器。持續(xù)時(shí)基模擬電路使用電阻比、電阻強(qiáng)度或電阻值、電容值等設(shè)置轉(zhuǎn)移 發(fā)表于：2011/1/20 光纖接入中如何解決ODN管理難題 2011年1月20日消息，在FTTx發(fā)展中，接入層需要新建一張巨大的光纖分配網(wǎng)絡(luò)，即ODN網(wǎng)絡(luò)。ODN網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成本高昂，最高可占總體投資的50％－70％，是FTTx投資的重點(diǎn)。 發(fā)表于：2011/1/20 基于DSP的無(wú)位置傳感器永磁同步電機(jī)磁場(chǎng)定向控制系統(tǒng) 本文著重介紹了一種改進(jìn)算法，即取消相電流傳感器且采用滑模觀測(cè)器實(shí)現(xiàn)無(wú)位置傳感器速度控制。 發(fā)表于：2011/1/20 ?…135136137138139140141142143144…?
