微波射頻相關(guān)文章 光傳感器在絕緣子鹽密測量中的應(yīng)用 目前部門廣泛采用的等值鹽密法是基于每年清掃的基礎(chǔ)上標(biāo)定污穢等級的方法。該方法雖然操作簡單,但仍要堅持人員的專業(yè)化、儀表的可靠性、測試工作的制度化，還需要停電或上桿（塔）工作，所需投入人力、物力巨大，具有很大的局限性；這種方法對于積污速度的影響考慮也不夠全面，不能準(zhǔn)確地指導(dǎo)外絕緣爬距比的合理配置，且測量結(jié)果分散性較大,很難合理確定測量周期。 發(fā)表于：1/8/2011 Vishay為IHLP®家族引入采用1212外形尺寸 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的采用1212外形尺寸的IHLP®低外形、高電流電感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位為3.0mmx3.6mm，分別具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。 發(fā)表于：1/7/2011 如何測試電容器質(zhì)量的好壞 在沒有特殊儀表儀器的條件下，電容器的好壞和質(zhì)量高低可以用萬用表電阻檔進(jìn)行檢測，并加以判斷。 發(fā)表于：1/7/2011 服務(wù)器虛擬化中遇到的存儲問題分析 服務(wù)器虛擬化可以降低IT開支并提高服務(wù)器利用率。但也因為虛擬化的特性，為承載環(huán)境中不斷增長的虛擬機(jī)，需要擴(kuò)容存儲以滿足性能與容量的使用需求。IT經(jīng)理們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，那些因服務(wù)器虛擬化所節(jié)省的資金都逐漸投入存儲購買的方案上了。 發(fā)表于：1/7/2011 談晶閘管投切電容器TSC的觸發(fā)電路 該文介紹了晶閘管投切電容器的原理和快速過零觸發(fā)要求，分析了兩類晶閘管的觸發(fā)電路的特點和存在的問題，指出了一種新型的從主回路晶閘管獲取晶閘管電壓過零信號的電路框圖，以該電路支撐產(chǎn)生一系列觸發(fā)電路，取得了優(yōu)秀的觸發(fā)效果。 發(fā)表于：1/7/2011 計算制動電阻的方法及對比分析 本文介紹了三種計算制動電阻兩個參數(shù)的方法，并對此進(jìn)行分析比較。 發(fā)表于：1/7/2011 開關(guān)調(diào)節(jié)器的分析 開關(guān)調(diào)節(jié)器的分析傳統(tǒng)上，開關(guān)調(diào)節(jié)器不宜用于直接為ADC供電。然而，開關(guān)調(diào)節(jié)器技術(shù)已今非昔比，當(dāng)與后置濾波、精心的設(shè)計和布局布線做法相結(jié)合，開關(guān)調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案。 發(fā)表于：1/7/2011 Ramtron的MaxArias無線存儲器獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志頒發(fā)2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 的MaxArias?無線存儲器榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎?！峨娮蛹夹g(shù)應(yīng)用》雜志是中國領(lǐng)先的電子/IT雜志之一，Ramtron的 MaxArias器件其讀者投票評選為嵌入式產(chǎn)品類別的優(yōu)勝者。 發(fā)表于：1/6/2011 利用3軸數(shù)字加速度計實現(xiàn)功能全面的計步器設(shè)計 本文以對步伐特征的研究為基礎(chǔ)，描述一個采用3軸加速度計ADXL345的全功能計步器參考設(shè)計，它能辨別并計數(shù)步伐，測量距離、速度甚至所消耗的卡路里。 發(fā)表于：1/6/2011 三網(wǎng)融合帶來的測試測量新挑戰(zhàn) 2011年1月4日消息，三網(wǎng)融合的話題在今年再次激起中國IT業(yè)界的極大熱情。廣泛關(guān)注的背后是三網(wǎng)融合將帶來的巨大產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，某市場調(diào)研公司分析認(rèn)為，未來3-5年之內(nèi)三網(wǎng)融合的各個領(lǐng)域每年將保持30%-50%的增長，…… 發(fā)表于：1/6/2011 傳爾必達(dá)大幅降低華邦GDDR顯存芯片代工訂單數(shù)量 由于近期市場對GDDR顯存的需求量下降，日本內(nèi)存廠商爾必達(dá)公司大量削減了發(fā)送給臺灣華邦公司的顯存代工訂單數(shù)量。而華邦最近也由于生產(chǎn)利潤不佳而降低了GDDR顯存芯片的產(chǎn)量，不過華邦稱仍會與爾必達(dá)公司在GDDR顯存項目上繼續(xù)合作。 發(fā)表于：1/6/2011 場效應(yīng)管在音響領(lǐng)域的應(yīng)用 現(xiàn)在越來越多的電子電路都在使用場效應(yīng)管，特別是在音響領(lǐng)域更是如此。 發(fā)表于：1/5/2011 繼續(xù)領(lǐng)先 三星推史上第一條DDR4內(nèi)存 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 發(fā)表于：1/5/2011 設(shè)計中不可或缺的熱分析 記得從什么時候開始，熱分析意味著撤回原型并確定是否需要額外加入兩個散熱片和一個風(fēng)扇嗎？現(xiàn)在再嘗試這種方式你將發(fā)現(xiàn)身處泥潭卻無計可逃。畢竟，熱可能會影響電氣性能并最終縮短平均無故障時間。 發(fā)表于：1/5/2011 半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測 2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢，然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢，并于5月達(dá)到頂點2.72美元。 發(fā)表于：1/5/2011 ?…135136137138139140141142143144…?
