基于FM3116的電能表存儲(chǔ)系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)

在單片機(jī)應(yīng)用和智能儀器中，存儲(chǔ)器已成為不可或缺的一部分，包括系統(tǒng)工作時(shí)存儲(chǔ)臨時(shí)性數(shù)據(jù)的RAM，以及 ...

發(fā)表于：1/16/2011

如何降低數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)能源消耗

2011年1月14日消息，根據(jù)IDC的一項(xiàng)調(diào)查顯示，全球數(shù)據(jù)量在未來(lái)十年會(huì)以每年50.6%的復(fù)合增長(zhǎng)率迅速膨脹。企業(yè)要應(yīng)付需求，最簡(jiǎn)單的方法似乎是為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)增添更多磁盤(pán)。

發(fā)表于：1/16/2011

人體接近傳感器工作原理及其實(shí)際應(yīng)用

1概述人體接近傳感器又稱(chēng)無(wú)觸點(diǎn)接近傳感器，是理想的電子開(kāi)關(guān)量傳感器。當(dāng)金屬檢測(cè)體接近傳感器的感應(yīng)區(qū)域，開(kāi)關(guān)就能無(wú)接觸，無(wú)壓力、無(wú)火花、迅速發(fā)出電氣指令，準(zhǔn)確反應(yīng)出運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的位置和行程，即使用于一般的行程控制，其定位精度、操作頻率、使用壽命、安裝調(diào)整的方便性和對(duì)惡劣環(huán)境的適用能力，是一般機(jī)械式行程開(kāi)關(guān)所不能相比的。它廣泛地應(yīng)用于機(jī)床、冶金、化工、輕紡和印刷等行業(yè)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中可作為限位、計(jì)數(shù)、定位控制和自動(dòng)保護(hù)環(huán)節(jié)。接近傳感器具有使用壽命長(zhǎng)、工作可靠、重復(fù)定位精度高、無(wú)機(jī)械磨損、無(wú)火花、無(wú)噪音、抗振能力強(qiáng)等特點(diǎn)。因此到目前為止，接近傳感器的應(yīng)用范圍日益

發(fā)表于：1/14/2011

2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將進(jìn)一步增長(zhǎng)

據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。

發(fā)表于：1/14/2011

背照式CMOS傳感器技術(shù)介紹

時(shí)代發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步。數(shù)碼相機(jī)的各種新技術(shù)層出不窮，導(dǎo)致消費(fèi)者面對(duì)廠(chǎng)家宣傳或者是相機(jī)參數(shù)列表中的一些專(zhuān)業(yè)詞匯，一般都會(huì)感到非常難于理解，以致影響到購(gòu)機(jī)前的判斷。所以我們數(shù)碼相機(jī)頻道特撰寫(xiě)“拒絕專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)”系列文章，力求用通俗易懂的文字為各位網(wǎng)友解釋常見(jiàn)又不太易懂的數(shù)碼相機(jī)技術(shù)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)，讓大家在購(gòu)機(jī)前能清楚明白相關(guān)技術(shù)。本期就為大家講解一下現(xiàn)在出現(xiàn)率頗高的“背照式CMOS傳感器”，分析一下此技術(shù)是好是壞。照片怎么來(lái)的？相機(jī)的本質(zhì)價(jià)值就在于把我們?nèi)搜勰芸吹降木跋筠D(zhuǎn)化成可以保存欣賞的平面圖像，把輾轉(zhuǎn)即逝的瞬間變成永恒。在另一個(gè)角度來(lái)看，這是一種能量流動(dòng)的方式，相機(jī)

發(fā)表于：1/14/2011

一種基于高阻表面的2.45 GHz頻段讀寫(xiě)器天線(xiàn)

2.45 GHz頻段是RFID常用的頻段之一。為了實(shí)現(xiàn)一款該頻段的性能良好的天線(xiàn)，在改善縫隙耦合饋電天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在天線(xiàn)設(shè)計(jì)中融入高阻表面型微波光子晶體結(jié)構(gòu)。新穎的天線(xiàn)結(jié)構(gòu)及有效的設(shè)計(jì)思路，使天線(xiàn)在保持高增益的情況下，在更寬的頻帶上具有更好的穩(wěn)定性，同時(shí)也減小了天線(xiàn)的尺寸，使天線(xiàn)整體性能更加完善。

發(fā)表于：1/13/2011

五大趨勢(shì)，2011年DRAM市場(chǎng)走低

2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：1.DRAM市場(chǎng)走下坡Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反。

發(fā)表于：1/13/2011

光伏陣列保護(hù)用熔斷器的選擇分析

光伏發(fā)電系統(tǒng)約有70%的成本在光伏太陽(yáng)能板組成的光伏陣列，而從對(duì)光伏陣列的保護(hù)和如何充分提高發(fā)電效率成為技術(shù)的重點(diǎn)之一。

發(fā)表于：1/13/2011

背照式CMOS傳感器詳細(xì)解讀

時(shí)代發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步。數(shù)碼相機(jī)的各種新技術(shù)層出不窮，導(dǎo)致消費(fèi)者面對(duì)廠(chǎng)家宣傳或者是相機(jī)參數(shù)列表中的一些專(zhuān)業(yè)詞匯，一般都會(huì)感到非常難于理解，以致影響到購(gòu)機(jī)前的判斷。

發(fā)表于：1/13/2011

瞬態(tài)電壓抑制器TVS的特性及應(yīng)用

瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱(chēng)TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為T(mén)VP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10-12秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線(xiàn)路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。

發(fā)表于：1/12/2011

用工頻波作為編碼的光電型位置檢測(cè)電路

光電對(duì)管通常按照安裝位置的不同可分為對(duì)射式和反射式，對(duì)射式指發(fā)光管的發(fā)光面與接收管的受光面兩兩相對(duì)，如果光路暢通，則接收管直接接收發(fā)光管的射出光，或者因?yàn)楸粰z測(cè)工件阻擋光路而無(wú)法接收；反射式指接收管不直接接收發(fā)光管的射出光，而是接收被被檢測(cè)工件反射的射出光。本文主要講述用工頻波作為編碼的光電型位置檢測(cè)電路。

發(fā)表于：1/12/2011

優(yōu)化數(shù)字視頻設(shè)備的BNC連接器PCB占位設(shè)計(jì)

如今越來(lái)越多的視頻設(shè)備以千兆位速率運(yùn)行，它們通過(guò)相對(duì)較大的同軸BNC連接器互連。雖然這些連接器一般都具有良好的質(zhì)量，但它們?cè)谠O(shè)備中的性能表現(xiàn)卻取決于它們?cè)赑CB上貼裝得如何。

發(fā)表于：1/12/2011

下一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)（NG-PON）技術(shù)介紹

2011年1月11日消息，PON技術(shù)是一種典型的電到多點(diǎn)接入技術(shù)，由局側(cè)光線(xiàn)路終端（OLT）、用戶(hù)側(cè)光網(wǎng)絡(luò)單元（ONU）以及光分配網(wǎng)絡(luò)（ODN）組成?！盁o(wú)源”是指ODN中不含有任何有源電子器件及電源，全部由光纖和光分路器等無(wú)源光器件組成。

發(fā)表于：1/11/2011

磁性傳感器IC（磁性開(kāi)關(guān)）

磁性傳感器能夠檢測(cè)出磁場(chǎng)的強(qiáng)度（大?。┖头较?。近年來(lái)，磁性傳感器IC已取代了機(jī)械開(kāi)關(guān)被廣泛應(yīng)用。特別是手機(jī)和電腦的開(kāi)閉檢測(cè)，白色家電的開(kāi)閉檢測(cè)，定位檢測(cè)中，使用頻率就很高。

發(fā)表于：1/11/2011

晶體二極管的特性和測(cè)試方法及參數(shù)

二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?/a>