微波射頻相關(guān)文章 CSA集團(tuán)任命MAGALI DEPRAS 女士為歐洲區(qū)副總裁及廣東加華美認(rèn)證公司董事會(huì)成員 CSA集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士為CSA集團(tuán)歐洲區(qū)副總裁，即日生效。Depras女士將在德國(guó)法蘭克福辦公，主要負(fù)責(zé)加速CSA服務(wù)和產(chǎn)品在歐洲地區(qū)的增長(zhǎng)，并為所有歐洲客戶帶來(lái)CSA的全球服務(wù)。 發(fā)表于：2011/2/15 表面貼裝 3A LDO 非常容易并聯(lián)，在不產(chǎn)生任何熱點(diǎn)的情況下提供大的 IOUT 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，該器件可并聯(lián)以分散熱量，并提供更大的輸出電流，它還可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。LT3083 與先于其推出的 1.1A 同類器件 LT3080 基于相同的創(chuàng)新型架構(gòu)，它采用了一個(gè)電流源基準(zhǔn)以利用單個(gè)電阻器來(lái)設(shè)定輸出電壓。當(dāng) SET 引腳連在一起時(shí)，用一小段 PC 走線作為鎮(zhèn)流器，就可在多個(gè)穩(wěn)壓器之間均流并分散熱量，從而在所有表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)數(shù)安培的線性調(diào)節(jié)，而無(wú)需散熱器。 發(fā)表于：2011/2/14 泰科電子雙向硅ESD保護(hù)器件幫助減少組裝挑戰(zhàn) 泰科電子推出標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護(hù)器件 泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴(kuò)展其硅ESD保護(hù)產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個(gè)硅器件和一個(gè)傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動(dòng)封裝配置的各種優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。 發(fā)表于：2011/2/14 英飛凌推出集成快速體二極管的650V MOSFET，第35億顆高壓MOSFET順利下線，全面致力于提升能效 2011年1月19日，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 發(fā)表于：2011/2/14 NAND Flash下半年需求急增價(jià)格陷拔河賽 農(nóng)歷春節(jié)前這一波DRAM價(jià)格漲的又急又猛，記憶體業(yè)者表示，其實(shí)DRAM終端需求并沒這么強(qiáng)，但過去DRAM急漲現(xiàn)象常發(fā)生，應(yīng)以平常心看待，反觀NANDFlash市場(chǎng)未來(lái)在傳統(tǒng)記憶卡和隨身碟市場(chǎng)要再成長(zhǎng)并不容易。 發(fā)表于：2011/2/14 2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì) Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過剩。 發(fā)表于：2011/2/14 芯片熱阻計(jì)算及散熱器/片的選擇 任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無(wú)需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫度可達(dá)到或超過允許的結(jié)溫，器件將受到損壞。 發(fā)表于：2011/2/13 Spansion公司針對(duì)手機(jī)和機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用市場(chǎng)推出全新VS-R系列產(chǎn)品 2011年2月11日， 中國(guó)上?！猄pansion公司（NYSE: CODE）今日宣布推出Spansion® VS-R系列產(chǎn)品，幫助無(wú)線手機(jī)制造商針對(duì)如中國(guó)、印度、東南亞、非洲和拉丁美洲等新興市場(chǎng)，提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的入門級(jí)手機(jī)。同時(shí)，該系列產(chǎn)品也非常適用于蜂窩型機(jī)對(duì)機(jī)（M2M）應(yīng)用，如遠(yuǎn)程醫(yī)療監(jiān)控設(shè)備、車隊(duì)通訊管理和自動(dòng)販賣機(jī)。 發(fā)表于：2011/2/11 電弧傳感器焊縫跟蹤系統(tǒng) 本文對(duì)國(guó)內(nèi)外焊縫跟蹤系統(tǒng)電弧傳感技術(shù)、信號(hào)處理技術(shù)和控制技術(shù)的研究現(xiàn)狀分別做一介紹，在此基礎(chǔ)上總結(jié)出一套較為先進(jìn)的焊縫跟蹤系統(tǒng)的實(shí)施方案，為焊縫跟蹤系統(tǒng)研制提供依據(jù)。 發(fā)表于：2011/2/11 采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù) 閃存允許在生產(chǎn)線的終點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)編程，也允許在生產(chǎn)之后修改代碼。但是如果通過因特網(wǎng)，公司將面臨IP將泄漏給競(jìng)爭(zhēng)者的問題。應(yīng)該采用各種方法來(lái)控制更新授權(quán)許可，并在泄漏產(chǎn)品的IP的情況下， 提供現(xiàn)場(chǎng)更新。 發(fā)表于：2011/2/11 Android特色開發(fā)之傳感器和語(yǔ)音識(shí)別 Android是一個(gè)面向應(yīng)用程序開發(fā)的豐富平臺(tái)，它擁有許多具有吸引力的用戶界面元素、數(shù)據(jù)管理和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等優(yōu)秀的功能。Android還提供了很多頗具特色的接口。 發(fā)表于：2011/2/11 氣體放電管和壓敏電阻的原理及特性 氣體放電管的工作原理及特性氣體放電管一般采用陶瓷作為封裝外殼，放電管內(nèi)充滿電氣性能穩(wěn)定的惰性氣體，放電管的電極一般有兩個(gè)電極、三個(gè)電極和五個(gè)電極三種結(jié)構(gòu)。當(dāng)在放電管的極間施加一定的電壓時(shí)，便在極間產(chǎn)生 發(fā)表于：2011/2/11 遠(yuǎn)程登錄路由器設(shè)置方法 本文主要從默認(rèn)配置，設(shè)置用戶名和密碼，環(huán)境介紹等方面向大家詳細(xì)的介紹了如何進(jìn)行對(duì)于路由器遠(yuǎn)程登錄的設(shè)置，相信看過此文會(huì)你有所幫助。 發(fā)表于：2011/2/11 基于USB2.0的高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì) 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出USB2.0高性能移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。本文作者創(chuàng)新點(diǎn)：將FLASH作為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲(chǔ)單元，應(yīng)用在與計(jì)算機(jī)交互數(shù)據(jù)的采集過程之中；并采用中斷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)固件程序，提高了讀寫效率。實(shí)驗(yàn)證明，其性能穩(wěn)定可靠，讀寫數(shù)據(jù)速度達(dá)到了令人滿意的效果。移動(dòng)數(shù)據(jù)的交換和存儲(chǔ)是目前IT行業(yè)的熱點(diǎn)，可以在此基礎(chǔ)上，不斷完善現(xiàn)有設(shè)計(jì)方案，繼續(xù)研究開發(fā)嵌入式USB主機(jī)系統(tǒng)，使得在PC機(jī)不參與的情況下同樣可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與交換。 發(fā)表于：2011/2/10 電容器測(cè)試的挑戰(zhàn)與方案 電容器是基本的電氣元件，它出現(xiàn)在幾乎任何一種電子硬件中。電容器廣泛用于旁路、耦合、濾波和隧道電子電路。但是，為了使用電容器，就必須分析其電容量、額定電壓、溫度系數(shù)和漏電阻等特性。雖然電容器制造商進(jìn)行這些測(cè)試，但是許多電子器件制造商在將電容器應(yīng)用到產(chǎn)品中時(shí)，也要進(jìn)行上述某些測(cè)試來(lái)檢查質(zhì)量。 發(fā)表于：2011/2/4 ?…133134135136137138139140141142…?
