微波射頻相關(guān)文章 Vishay為IHLP®家族引入采用1212外形尺寸 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新的采用1212外形尺寸的IHLP®低外形、高電流電感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位為3.0mmx3.6mm，分別具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。 發(fā)表于：2011/1/7 如何測(cè)試電容器質(zhì)量的好壞 在沒有特殊儀表儀器的條件下，電容器的好壞和質(zhì)量高低可以用萬用表電阻檔進(jìn)行檢測(cè)，并加以判斷。 發(fā)表于：2011/1/7 服務(wù)器虛擬化中遇到的存儲(chǔ)問題分析 服務(wù)器虛擬化可以降低IT開支并提高服務(wù)器利用率。但也因?yàn)樘摂M化的特性，為承載環(huán)境中不斷增長(zhǎng)的虛擬機(jī)，需要擴(kuò)容存儲(chǔ)以滿足性能與容量的使用需求。IT經(jīng)理們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，那些因服務(wù)器虛擬化所節(jié)省的資金都逐漸投入存儲(chǔ)購(gòu)買的方案上了。 發(fā)表于：2011/1/7 談晶閘管投切電容器TSC的觸發(fā)電路 該文介紹了晶閘管投切電容器的原理和快速過零觸發(fā)要求，分析了兩類晶閘管的觸發(fā)電路的特點(diǎn)和存在的問題，指出了一種新型的從主回路晶閘管獲取晶閘管電壓過零信號(hào)的電路框圖，以該電路支撐產(chǎn)生一系列觸發(fā)電路，取得了優(yōu)秀的觸發(fā)效果。 發(fā)表于：2011/1/7 計(jì)算制動(dòng)電阻的方法及對(duì)比分析 本文介紹了三種計(jì)算制動(dòng)電阻兩個(gè)參數(shù)的方法，并對(duì)此進(jìn)行分析比較。 發(fā)表于：2011/1/7 開關(guān)調(diào)節(jié)器的分析 開關(guān)調(diào)節(jié)器的分析傳統(tǒng)上，開關(guān)調(diào)節(jié)器不宜用于直接為ADC供電。然而，開關(guān)調(diào)節(jié)器技術(shù)已今非昔比，當(dāng)與后置濾波、精心的設(shè)計(jì)和布局布線做法相結(jié)合，開關(guān)調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案。 發(fā)表于：2011/1/7 Ramtron的MaxArias無線存儲(chǔ)器獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志頒發(fā)2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng) Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 的MaxArias?無線存儲(chǔ)器榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志2010年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)?！峨娮蛹夹g(shù)應(yīng)用》雜志是中國(guó)領(lǐng)先的電子/IT雜志之一，Ramtron的 MaxArias器件其讀者投票評(píng)選為嵌入式產(chǎn)品類別的優(yōu)勝者。 發(fā)表于：2011/1/6 利用3軸數(shù)字加速度計(jì)實(shí)現(xiàn)功能全面的計(jì)步器設(shè)計(jì) 本文以對(duì)步伐特征的研究為基礎(chǔ)，描述一個(gè)采用3軸加速度計(jì)ADXL345的全功能計(jì)步器參考設(shè)計(jì)，它能辨別并計(jì)數(shù)步伐，測(cè)量距離、速度甚至所消耗的卡路里。 發(fā)表于：2011/1/6 三網(wǎng)融合帶來的測(cè)試測(cè)量新挑戰(zhàn) 2011年1月4日消息，三網(wǎng)融合的話題在今年再次激起中國(guó)IT業(yè)界的極大熱情。廣泛關(guān)注的背后是三網(wǎng)融合將帶來的巨大產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，某市場(chǎng)調(diào)研公司分析認(rèn)為，未來3-5年之內(nèi)三網(wǎng)融合的各個(gè)領(lǐng)域每年將保持30%-50%的增長(zhǎng)，…… 發(fā)表于：2011/1/6 傳爾必達(dá)大幅降低華邦GDDR顯存芯片代工訂單數(shù)量 由于近期市場(chǎng)對(duì)GDDR顯存的需求量下降，日本內(nèi)存廠商爾必達(dá)公司大量削減了發(fā)送給臺(tái)灣華邦公司的顯存代工訂單數(shù)量。而華邦最近也由于生產(chǎn)利潤(rùn)不佳而降低了GDDR顯存芯片的產(chǎn)量，不過華邦稱仍會(huì)與爾必達(dá)公司在GDDR顯存項(xiàng)目上繼續(xù)合作。 發(fā)表于：2011/1/6 場(chǎng)效應(yīng)管在音響領(lǐng)域的應(yīng)用 現(xiàn)在越來越多的電子電路都在使用場(chǎng)效應(yīng)管，特別是在音響領(lǐng)域更是如此。 發(fā)表于：2011/1/5 繼續(xù)領(lǐng)先 三星推史上第一條DDR4內(nèi)存 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。 發(fā)表于：2011/1/5 設(shè)計(jì)中不可或缺的熱分析 記得從什么時(shí)候開始，熱分析意味著撤回原型并確定是否需要額外加入兩個(gè)散熱片和一個(gè)風(fēng)扇嗎？現(xiàn)在再嘗試這種方式你將發(fā)現(xiàn)身處泥潭卻無計(jì)可逃。畢竟，熱可能會(huì)影響電氣性能并最終縮短平均無故障時(shí)間。 發(fā)表于：2011/1/5 半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè) 2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。 發(fā)表于：2011/1/5 TriQuint半導(dǎo)體25年又見突破 2010年，在公司成立25年之際，TriQuint迎來了另一分碩果——大中華區(qū)市場(chǎng)收入首次突破1.5億美元大關(guān)（1.5億美元收入大關(guān)基于大中華區(qū) 2010年前兩季度的實(shí)際收入和三、四季度的預(yù)測(cè)收入，不包括來自海外轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)的收入）。為了慶祝這一成就，TriQuint半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官 Ralph Quinsey先生和TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺先生在深圳舉辦了媒體見面會(huì)，向中國(guó)媒體闡述了TriQuint半導(dǎo)體公司的戰(zhàn)略概述，并介紹了 TriQuint公司25年的成功發(fā)展歷程。 發(fā)表于：2011/1/4 ?…133134135136137138139140141142…?
