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微波射頻相關(guān)文章

日本知名半導(dǎo)體供應(yīng)商羅姆開拓中國(guó)網(wǎng)絡(luò)銷售市場(chǎng)

5月10日，日本知名半導(dǎo)體供應(yīng)商羅姆株式會(huì)社在官方網(wǎng)頁(yè)上開始實(shí)行網(wǎng)絡(luò)銷售，旨在把以中國(guó)企業(yè)為中心的非日系企業(yè)的營(yíng)業(yè)額從30%提高到40%。羅姆方面希望借助網(wǎng)絡(luò)銷售可輕松便利地購(gòu)入樣品的特點(diǎn)吸引中國(guó)顧客。（http://www.rohm.com.cn/corporate/group/web-support-china.php）

發(fā)表于：2011/5/31

充分利用MAXQ處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)

需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方法。

發(fā)表于：2011/5/31

基于PON技術(shù)的OTDR法測(cè)試方案[圖]

自首次部署無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)以來(lái)，人們已經(jīng)設(shè)計(jì)出很多種測(cè)試方法來(lái)對(duì)這些網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行驗(yàn)證和故障診斷。

發(fā)表于：2011/5/31

高密度光纖鏈路在數(shù)據(jù)中心的布線設(shè)計(jì)

如今的數(shù)據(jù)中心的設(shè)備將被組織并分成各個(gè)不同的功能區(qū)域：服務(wù)器區(qū)、存儲(chǔ)設(shè)備區(qū)、中心交換機(jī)區(qū)、路由器和高性能的集群計(jì)算機(jī)區(qū)。這種有序的安排，對(duì)于服務(wù)要求的增長(zhǎng)、電源及冷卻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)會(huì)有稍微的幫助。

發(fā)表于：2011/5/31

恩智浦NextPower MOSFET以行業(yè)最低RDS (on) 全面提升效率

中國(guó)上海，2011年5月27日 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級(jí)），是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來(lái)優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時(shí)提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅(jiān)固的 Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。

發(fā)表于：2011/5/30

英飛凌推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS? CFD2產(chǎn)品

近日，英飛凌的最新一代高壓CoolMOS?MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國(guó)紐倫堡舉辦的 PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS?CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2011/5/30

今年DRAM模組市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)11% DDR3仍占優(yōu)勢(shì)

IHSiSuppli公司的研究顯示，擺脫最嚴(yán)重的衰退階段之后，DRAM模組廠商在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇日益增強(qiáng)如魚得水，DRAM芯片與模組價(jià)格堅(jiān)挺。盡管去年許多產(chǎn)業(yè)連續(xù)受到?jīng)_擊，但DRAM模組出貨量并未停止增長(zhǎng)。尤其是，消費(fèi)者更加愿意更換舊PC或者升級(jí)現(xiàn)有型號(hào)，促進(jìn)了DRAM模組市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

發(fā)表于：2011/5/30

利用MEMS制作微型攜帶用燃料電池組件

本文介紹利用MEMS技術(shù)制作閥、改質(zhì)器、噴射器等微型燃料電池組件，以及微型燃料電池的發(fā)展動(dòng)向。

發(fā)表于：2011/5/28

音頻/視頻開關(guān)MAX9670/MAX9671特性/應(yīng)用/數(shù)據(jù)資料

MAX9670/MAX9671雙路SCART矩陣開關(guān)能夠在I2C控制下實(shí)現(xiàn)機(jī)頂盒解碼芯片和兩個(gè)外部SCART控制器之間的音頻、視頻信號(hào)切換。

發(fā)表于：2011/5/28

電壓開關(guān)中的常見挑戰(zhàn)及解決方案

設(shè)計(jì)自動(dòng)化的測(cè)試系統(tǒng)開關(guān)需要搞清楚要開關(guān)信號(hào)和要執(zhí)行測(cè)試的特點(diǎn)。例如，在測(cè)試應(yīng)用中承受開關(guān)電壓信號(hào)的最合適的開關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。

發(fā)表于：2011/5/28

光纖傳感器結(jié)構(gòu)原理及分類

以電為基礎(chǔ)的傳統(tǒng)傳感器是一種把測(cè)量的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓽y(cè)的電信號(hào)的裝置。它的電源、敏感元件、信號(hào)接收和處理系統(tǒng)以及信息傳輸均用金屬導(dǎo)線連接。

發(fā)表于：2011/5/28

Diodes推出操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723 封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。

發(fā)表于：2011/5/27

線性光耦器件IL300-F-X009原理及其應(yīng)用

介紹在采集交流永磁同步電機(jī)母線電流時(shí)，為防止外界的各種干擾，必須將霍爾傳感器測(cè)量系統(tǒng)和DSP數(shù)字微處理器進(jìn)行電氣隔離。為了能更精確地傳送模擬信號(hào)，進(jìn)行電壓檢測(cè)，用線性光耦(IL300-F-X009)隔離是最好的選擇。線性光耦輸出信號(hào)隨輸入信號(hào)變化而成比例變化，它為模擬信號(hào)傳輸過(guò)程中，隔離電路的簡(jiǎn)單化、高精度化帶來(lái)了方便。

發(fā)表于：2011/5/27

NAND Flash需求急凍模組廠瀕臨警戒線

全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。

發(fā)表于：2011/5/26

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

隨著Android手持多媒體電子消費(fèi)產(chǎn)品的風(fēng)行，高畫質(zhì)監(jiān)控系統(tǒng)的普及，1080P全高清支持已成為各種多媒體設(shè)備未來(lái)占領(lǐng)市場(chǎng)的必備武器，目前許多產(chǎn)品對(duì)1080P實(shí)時(shí)解碼已突破并實(shí)現(xiàn)，但在1080P實(shí)時(shí)編碼方面還是寥寥無(wú)幾，其中一個(gè)重要因素是帶寬太大，當(dāng)今流行的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備NAND Flash已以達(dá)到要求。在此情況下，存儲(chǔ)器生產(chǎn)商開發(fā)出新一代閃存設(shè)備DDR NAND。

發(fā)表于：2011/5/26