碳化硅 (SiC) 功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價(jià)格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用中推廣。
　　
　　科銳創(chuàng)始人之一兼功率和無線射頻(RF)產(chǎn)品研發(fā)部門首席技術(shù)官 John Palmour 指出：“為了開發(fā)新一代功率電子產(chǎn)品，設(shè)計(jì)工程師正在發(fā)掘碳化硅肖特基二極管特有的性能優(yōu)勢(shì)，包括零反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的開關(guān)損耗以及能在更高頻率下工作等，都能支持更低的電磁干擾(EMI)信號(hào)。在不影響性能的前提下，該全新系列二極管可以實(shí)現(xiàn)比前一代碳化硅肖特基二極管更高的電流密度和更強(qiáng)的電子雪崩性能?？其J近期在器件設(shè)計(jì)方面的創(chuàng)新和對(duì)工藝改進(jìn)矢志不渝的努力，讓我們能夠在降低每安培成本的同時(shí)提供更高的額定電流值。”
　
　　科銳Z-Rec二極管具有零反向恢復(fù)損耗特性，與同類硅二極管相比，開關(guān)損耗可銳減 50%。該產(chǎn)品在運(yùn)行溫度范圍內(nèi)具有高度一致的開關(guān)性能，可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并能省去復(fù)雜的散熱器系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在與科銳近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用時(shí)，這些碳化硅肖特基二極管可以實(shí)現(xiàn)全碳化硅功率電子線路的運(yùn)行，其運(yùn)行的開關(guān)頻率較傳統(tǒng)硅二極管和 IGBT 可高出四倍。不僅可以縮小逆變器應(yīng)用電路的尺寸，降低逆變器電路的復(fù)雜程度和成本，還能達(dá)到極高的系統(tǒng)效率。與上一代碳化硅肖特基二極管相比，該系列產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)在于具有更高的浪涌額定值和電子雪崩性能，可以幫助提高系統(tǒng)整體的可靠性。
　
　　該系列產(chǎn)品非常適合在太陽能逆變器和三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中用作增壓二極管和反并聯(lián)二極管，也可以用于電源和 UPS 設(shè)備中的功率因數(shù)校正(PFC)二極管，還可以并聯(lián)運(yùn)行以滿足更高功率要求。
　
　　已發(fā)布器件的額定電流包括 2A[C4D02120x]、5A[C4D05120x]、10A[C4D10120x]、20A[C4D20120x] 和 40A[C4D40120x]。根據(jù)額定電流值的不同，器件可采用標(biāo)準(zhǔn)的 TO-220 以及標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247 封裝供貨。欲了解器件的供貨情況，請(qǐng)與科銳聯(lián)系。
　
　　新型Z-Rec 1200V肖特基二極管已經(jīng)發(fā)布并完全具備生產(chǎn)使用資格。如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳SiC 功率器件的更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問www.cree.com/power。