《電子技術(shù)應(yīng)用》
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導(dǎo)電聚合物薄膜電阻率測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
摘要: 目前,進(jìn)行較高電阻率測(cè)量時(shí)可以按照國(guó)標(biāo)(GB3048.3—83)方法搭建測(cè)量電路。但是,該方法對(duì)樣品的外形有嚴(yán)格要求,電路搭建費(fèi)時(shí)、耗力;激勵(lì)電壓大小難于掌控,電壓過小影響測(cè)量精度,電壓過大會(huì)導(dǎo)致較大的電流,可能影響樣品特性,且過高的電壓危險(xiǎn)性很大。為了避免壓片、塑型等前處理過程,也為了在寬范圍內(nèi)準(zhǔn)確、安全地測(cè)量,這里進(jìn)行了必要的改進(jìn)。
Abstract:
Key words :

導(dǎo)電聚合物材料的電學(xué)特性是通過摻雜來控制其電阻率來改變的。因此精確測(cè)量導(dǎo)電聚合物的電阻率具有重要意義。半導(dǎo)體工業(yè)中普遍使用四探針測(cè)量?jī)x測(cè)量無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的電阻率。而導(dǎo)電聚合物屬于有機(jī)半導(dǎo)體材料,導(dǎo)電機(jī)理不同,且電阻率區(qū)間跨度較大(為10-3~1010Ω·cm)。使用四探針測(cè)量?jī)x無(wú)法滿足應(yīng)用要求。目前,進(jìn)行較高電阻率測(cè)量時(shí)可以按照國(guó)標(biāo)(GB3048.3—83)方法搭建測(cè)量電路。但是,該方法對(duì)樣品的外形有嚴(yán)格要求,電路搭建費(fèi)時(shí)、耗力;激勵(lì)電壓大小難于掌控,電壓過小影響測(cè)量精度,電壓過大會(huì)導(dǎo)致較大的電流,可能影響樣品特性,且過高的電壓危險(xiǎn)性很大。為了避免壓片、塑型等前處理過程,也為了在寬范圍內(nèi)準(zhǔn)確、安全地測(cè)量,這里進(jìn)行了必要的改進(jìn)。

1 測(cè)量原理
1.1 四探針電阻測(cè)量法
    四探針法可以減小接觸電阻和導(dǎo)線電阻的影響。采用恒壓激勵(lì)信號(hào)Vs代替原本在1和4探針間的恒流信號(hào)。如圖1所示。

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    通過樣品的電流:
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    式中:Rw為導(dǎo)線電阻;Rct為針腳(1,4)接觸電阻;R14為樣品電阻。
    為了求得樣品電流I,需要通過其他途徑得到總電阻Rx。在此引入比率測(cè)量法。如圖2所示。
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    式中:Vin為輸入的基準(zhǔn)參考電壓(對(duì)應(yīng)圖2中的Vs);Vout為放大電路的輸出電壓;Rf為反饋電阻。
1.2 測(cè)量的分辨率
    電阻測(cè)量的理論分辨率:
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    當(dāng)Vin和Rf恒定時(shí),分辨率隨著待測(cè)樣品電阻率的增加而急劇減小。通過以下方式實(shí)現(xiàn)在全量程范圍內(nèi)都保持較高的分辨率:
    (1)在測(cè)量較大的Rx時(shí)配給較大的Rf;
    (2)改變激勵(lì)信號(hào)的電壓值。
    通過程控放大技術(shù),按照電阻值范圍設(shè)計(jì)了不同的檔位,并針對(duì)檔位選擇了不同的激勵(lì)信號(hào)電壓值,對(duì)應(yīng)關(guān)系見表1。

1.3 電流的限制
    半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)量時(shí)對(duì)流過樣品的電流有比較嚴(yán)格的要求:
    (1)電流不能過小,以確保內(nèi)側(cè)探針間電壓可測(cè);
    (2)電流不能過大,以減小熱效應(yīng)對(duì)樣品電阻率的影響;
    (3)測(cè)量較大電阻率樣品時(shí),應(yīng)該減小注入電流,以減小少子注入的影響。
    流通電流影響樣品電阻率值,但是通常電阻率不受電流影響的范圍是很廣的,根據(jù)這個(gè)范圍的界限可以得出安全操作電流。
    本方法中流經(jīng)測(cè)試樣品的電流:
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2 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
    系統(tǒng)采用LPC2148 ARM7芯片為數(shù)學(xué)運(yùn)算和控制的核心單元,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖3所示。

 

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2.1 控制處理單元
    控制處理單元包括LCD液晶顯示電路、鍵盤輸入電路、串口通信電路、反饋控制電路1和2和微控制器。預(yù)置限流電阻Rc用于限定小電阻率材料測(cè)量時(shí)通過的電流,流過的電流可由式(9)計(jì)算得出。全量程范圍內(nèi)可保證測(cè)量電流小于2 mA。各參數(shù)與檔位如表1所示。

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2.2 信號(hào)調(diào)理單元
    包括可控恒壓產(chǎn)生電路、差分放大電路、比率測(cè)量電路和模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換電路。恒壓源采用ADR01,產(chǎn)生10 V的基準(zhǔn)電壓輸出,進(jìn)一步得到0.1 V和0.01 V的基準(zhǔn)信號(hào);圖2中內(nèi)側(cè)兩探針間電壓的測(cè)量采用AD620差分放大電路及高精度運(yùn)放AD546,通過反饋控制電路2調(diào)節(jié)增益電阻RG來改變輸出信號(hào)的幅度;模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路采用16位的∑-△型AD7705,使用3.401V參考電壓時(shí)測(cè)量分辨率到達(dá)52μV/LSB。如圖4所示。

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2.3 阻值預(yù)判電路
    阻值預(yù)判機(jī)制的引入緣于采用了3個(gè)檔位的恒壓激勵(lì)信號(hào)。為了防止在未知測(cè)量電阻的情況下注入過大的電流,必須預(yù)判樣品的電阻值,然后再選擇合適的檔位和激勵(lì)信號(hào)。該電路基于惠通斯電橋構(gòu)建。如圖5所示。

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3 程序設(shè)計(jì)
    依照式(1),式(3),式(10),最終得到的待測(cè)電阻計(jì)算公式為:
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    式中:R1,R2,Rf為已知的增益電阻;Rc為限流電阻;Vg為內(nèi)測(cè)兩探針間的電壓;Vo為比率測(cè)量電路的輸出電壓值;C為探針平臺(tái)的探針系數(shù)。主程序流程圖如圖6所示。

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4 系統(tǒng)測(cè)試
4.1 測(cè)量范圍和精度
    通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)精密電阻的測(cè)量來考察系統(tǒng)的有效測(cè)量范圍和精度極限。選擇相對(duì)精度為0.01%的精密E24系列電阻,測(cè)量結(jié)果如表3
所示。

 

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    試驗(yàn)測(cè)定電阻有效測(cè)量范圍為10 Ω~1 000 MΩ,當(dāng)探針系數(shù)C為0.628 cm時(shí),則電阻率測(cè)量范圍為:6.28~6.28×108Ω·cm,相對(duì)誤差小于1%。
4.2 對(duì)比實(shí)驗(yàn)
    參照國(guó)標(biāo)GB3048.3—83方法搭建測(cè)量電路,樣品采用在有機(jī)玻璃基底上生長(zhǎng)的不同摻雜濃度的炭黑-聚吡咯復(fù)合材料薄膜。控制樣品的電阻率區(qū)間在102~105Ω·cm。隨機(jī)抽取20份樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,結(jié)果如圖7所示。對(duì)比發(fā)現(xiàn),使用該系統(tǒng)得到的測(cè)量值與采用標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)得的量值很好地相符。

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4.3 測(cè)量精密度
    選擇不同濃度區(qū)間的3份樣品,每份樣品測(cè)量20次,考察系統(tǒng)的測(cè)量精密度得到圖8的結(jié)果。
    經(jīng)過20次測(cè)量測(cè)得A樣品的電阻率平均值為11254.44Ω·cm,標(biāo)準(zhǔn)差為9.77;B樣品的電阻率平均值為6485.34Ω·cm,標(biāo)準(zhǔn)差為8.54;C樣品的電阻率平均值為895.47 Ω·cm,標(biāo)準(zhǔn)差為1.45。

5 結(jié)語(yǔ)
    提出了四探針與比率測(cè)量法結(jié)合的方法用于測(cè)量導(dǎo)電聚合物薄膜材料的電阻率;設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電聚合物薄膜材料電阻率測(cè)量系統(tǒng);最后采用標(biāo)準(zhǔn)電阻和薄膜樣品進(jìn)行了測(cè)量實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)表明:系統(tǒng)的有效電阻率測(cè)量范圍6.28~6.28×108Ω·cm;測(cè)量相對(duì)誤差小于1%;系統(tǒng)具有較高的精密度,單個(gè)樣品多次測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)差與平均值的比例小于千分之一。相對(duì)于國(guó)標(biāo)方法,系統(tǒng)具有操作簡(jiǎn)便,安全系數(shù)高等優(yōu)點(diǎn),可以直接對(duì)實(shí)驗(yàn)過程中制備的導(dǎo)電聚合物薄膜材料進(jìn)行測(cè)量,提高實(shí)驗(yàn)效率。

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