原子層沉積技術是一種有序的氣相薄膜生長技術，具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率。通過原子層沉積氧化鋁薄膜對硅片表面進行鈍化，可以大幅度提高太陽能電池效率，被業(yè)界普遍認為是未來新一代晶硅太陽能電池技術發(fā)展的重要趨勢。

近日，在浙江中科院應用技術研究院嘉興微電子設備與儀器工程中心，由夏洋帶領的微電子儀器與設備創(chuàng)新團隊，在晶硅太陽能電池表面鈍化技術的研究中取得新進展。

該創(chuàng)新團隊利用自主設計生產(chǎn)的KMT-200A型原子層沉積設備，在P型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達1ms，有效減少了硅片表面復合，具有優(yōu)秀的表面鈍化效果。

在半導體材料中，某種載流子占少數(shù)，導電中起到次要作用，則稱它為少子。單晶硅中摻硼為P型，摻硼越多，則能置換硅產(chǎn)生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。

目前，微電子儀器與設備創(chuàng)新團隊以技術優(yōu)勢，吸引美國硅谷研究團隊來嘉興開展原子層技術合作，加快了國內(nèi)開發(fā)原子層沉積設備的研制，推進該項目在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化。

嘉興中心推出了一系列的擁有自主知識產(chǎn)權和創(chuàng)新的原子層沉積設備產(chǎn)品，包括熱型設備、等離子體增強型設備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應用的批量型設備，實現(xiàn)了國產(chǎn)原子層沉積設備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應用的新局面，為下一代高效晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國產(chǎn)化設備支撐。