《電子技術(shù)應(yīng)用》
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RC電路充、放電過程仿真及時間常數(shù)的測定
摘要: RC電路充、放電過程仿真及時間常數(shù)的測定。
Abstract:
Key words :
  一、RC電路充、放電過程仿真及時間常數(shù)的測定

  1、按圖5-1給定參數(shù)繪制仿真電路圖,并用信號發(fā)生器輸出方波(幅值A(chǔ)mplitude=2V、偏移Offset=2V、頻率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%)作為激勵電壓。調(diào)整信號發(fā)生器和示波器,使之處于工作狀態(tài)。在示波器上讀出的時間常數(shù)τ值。

圖5-1 R=10KΩ、C=3300pF時的仿真波形

  2、改變R、C的參數(shù),使R=10KΩ、C=0.01μF,如圖5-2所示。

圖5-2R=10KΩ、C=0.01μF時的仿真波形

  3、使用參數(shù)掃描分析(Parameter Sweep Analysis)同時觀察上述兩種情況

  按圖5-3在【Simulate】仿真菜單中的選擇分析方法(Analysis),單擊參數(shù)掃描分析項(Parameter Sweep...),打開如圖5-4的對話框,在各選項中進行設(shè)置后,按仿真按鈕,出現(xiàn)圖5-5所示的結(jié)果。

圖5-3仿真菜單

圖5-4 參數(shù)掃描分析對話框

圖5-5 RC電路充、放電過程的仿真

  二、積分電路的仿真

  按圖5-6繪制仿真電路圖,設(shè)定參數(shù),激勵信號為方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電容電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值,或減小信號發(fā)生器的頻率,定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-6積分電路的仿真

  三、微分電路的仿真

  按圖5-7繪制仿真電路圖,設(shè)定合適的參數(shù)進行仿真,激勵信號為方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)減小R或C值,定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-7微分電路的仿真

  四、耦合電路的仿真

  按圖5-8繪制仿真電路圖,設(shè)定合適的參數(shù)并進行仿真,激勵信號為方波(Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%),用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值,定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-8耦合電路的仿真



 

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