《電子技術(shù)應(yīng)用》
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智慧手機(jī)和平板助攻 行動(dòng)DRAM聲勢(shì)看漲

2011-04-14
作者:鐘榮峰

    在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的帶動(dòng)下,行動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)需求也隨之水漲船高,包括低功耗DRAM和虛擬DRAM(Pseudo SRAM)的聲勢(shì)正不斷看漲。

    2010 年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為391億美元,行動(dòng)裝置相關(guān)應(yīng)用就占14%,達(dá)到55億美元。行動(dòng)DRAM的出貨量和記憶容量也不斷提高。蘋果iPhone 4的行動(dòng)DRAM容量達(dá)到512MB,而宏達(dá)電的Desire HD更有768MB。而iPad的行動(dòng)DRAM容量有256MB,三星的Galaxy Tab更有512MB。

    根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估,今年媒體平板裝置平均行動(dòng)DRAM容量為 507MB,而智慧手機(jī)平均容量為279MB,明年可提高到392MB。iSuppli則是預(yù)估,今年Mobile DRAM的成長(zhǎng)率將達(dá)到71%,出貨量可達(dá)29億GB,2015年此一數(shù)字更將突破205億GB,比起2010年的17億GB大幅成長(zhǎng)12倍之多。

    行動(dòng)DRAM并沒有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,屬于利基型記憶體產(chǎn)品。虛擬SRAM整合DRAM核心和SRAM介面,晶片內(nèi)含refresh電路設(shè)計(jì)、與傳統(tǒng)SRAM相容,可直接替代SRAM,容量更高、尺寸更輕薄、價(jià)格更便宜。Mobile DRAM是透過自動(dòng)溫度補(bǔ)償自更新TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)、記憶體陣列進(jìn)行自更新PASR(Partial Array Self Refresh)和深度休眠DPD(Deep Power Down)等技術(shù),來達(dá)到省電降低功耗的效果?,F(xiàn)在Mobile DRAM已朝向DDR 2制程演進(jìn),

    目前包括三星、海力士、爾必達(dá)、美光、南科及華亞科、華邦、茂德等均投入行動(dòng)DRAM領(lǐng)域,爾必達(dá)已將重心從標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)向Mobile DRAM,后者營(yíng)收已占整體DRAM營(yíng)收50%以上;爾必達(dá)合作夥伴瑞晶今年第3季可望取得技轉(zhuǎn),首度量產(chǎn)Mobile DRAM,并導(dǎo)入30奈米制程。華邦則是鎖定中低階容量的虛擬SRAM產(chǎn)品區(qū)間,南科則已經(jīng)推出Mobile LPDDR和LPDDR2樣品。

    三星電子依舊站穩(wěn)行動(dòng)DRAM霸主地位,在3月初宣布采用50奈米技術(shù)開發(fā)出Wide I/O介面的行動(dòng)DRAM樣品,傳輸速率可達(dá)12.8Gb/s,功耗更可大幅降低87%,同時(shí)預(yù)計(jì)到2013年,三星可開發(fā)出20奈米制程、4GB封裝容量的Wide I/O行動(dòng)DRAM樣品。值得注意的是,三星已經(jīng)進(jìn)一步量產(chǎn)30奈米制程、功耗可降低25%、厚度只有0.8公厘的低功耗LPDDR2產(chǎn)品,儲(chǔ)存容量可達(dá) 1~2GB等級(jí),將直接威脅其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在智慧手機(jī)和媒體平板裝置的生存空間。

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