頭條 安森美1.15億美元收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù) 2024年12月10日，功率半導(dǎo)體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。 最新資訊 開(kāi)始使用 Power Stage Designer 的 13 個(gè)理由 十多年來(lái)，德州儀器 （TI） 的 Power Stage Designer? 工具一直是一款出色的設(shè)計(jì)工具，可協(xié)助電氣工程師計(jì)算不同電源拓?fù)涞碾娏骱碗妷?。我認(rèn)為，利用這款工具可以輕松開(kāi)始全新的電源設(shè)計(jì)，因?yàn)樗梢詫?shí)時(shí)執(zhí)行各種計(jì)算，并為您提供直接反饋。 發(fā)表于：2023/4/26 如何正確選擇電感電流紋波 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器將輸入電壓轉(zhuǎn)換為更高或更低的輸出電壓。為此，需要使用電感來(lái)暫時(shí)儲(chǔ)存電能。電感的尺寸取決于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的開(kāi)關(guān)頻率和流經(jīng)電路的預(yù)期電流。究竟應(yīng)如何正確選擇電感值？可以使用包含電感電流紋波的常用公式來(lái)確定電感值。在大部分開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的數(shù)據(jù)手冊(cè)，以及大部分應(yīng)用筆記和其他說(shuō)明文本中，電感電流紋波建議在標(biāo)稱(chēng)負(fù)載工作的30%。這意味著在標(biāo)稱(chēng)負(fù)載電流下，電感電流波峰和電感電流波谷分別比平均電流高15%和低15%。為何選擇30%的電感電流紋波或電流紋波比（CR）可以說(shuō)是不錯(cuò)的折衷方案？ 發(fā)表于：2023/4/26 安富利賦能電動(dòng)汽車(chē)走上快充、超充之路 快充和超充是未來(lái)補(bǔ)能技術(shù)演進(jìn)的重要趨勢(shì)。 目前，市場(chǎng)上已有眾多優(yōu)秀的充電樁運(yùn)營(yíng)商、車(chē)企與充電服務(wù)平臺(tái)等各路玩家競(jìng)相布局快充和超充。但要真正實(shí)現(xiàn)快充和超充的普及，仍有一系列的技術(shù)難題亟待攻克。 發(fā)表于：2023/4/24 學(xué)子專(zhuān)區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：鎖相環(huán) 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)介紹鎖相環(huán)（PLL）。PLL電路有一些重要的應(yīng)用，例如信號(hào)調(diào)制/解調(diào)（主要是頻率和相位調(diào)制）、同步、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，以及倍頻和頻率合成。在這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)中，您將建立一個(gè)簡(jiǎn)單的PLL電路，讓您對(duì)PLL操作有基本的了解。 發(fā)表于：2023/4/23 大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC汽車(chē)充電器方案 2023年4月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚集團(tuán)推出與意法半導(dǎo)體（ST）共同開(kāi)發(fā)的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC直流輸出汽車(chē)充電器方案。 發(fā)表于：2023/4/20 使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。 發(fā)表于：2023/4/20 氮化鎵 （GaN） 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因 氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。 發(fā)表于：2023/4/18 ADALM2000實(shí)驗(yàn)：數(shù)模轉(zhuǎn)換 本實(shí)驗(yàn)的目標(biāo)是探討數(shù)模轉(zhuǎn)換的概念，將CMOS反相器用作梯形電阻分壓器的基準(zhǔn)開(kāi)關(guān)（用于DAC中）。 發(fā)表于：2023/4/17 Vicor 將在 2023 WCX 上展示適用于 xEV 的高性能模塊化電源轉(zhuǎn)換解決方案 隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)迅速向電壓及功率要求更高的全電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師正在尋找高密度、輕量級(jí)并且能跨平臺(tái)擴(kuò)展的電源轉(zhuǎn)換解決方案。 發(fā)表于：2023/4/14 意法半導(dǎo)體ST-ONE系列USD PD控制器功率提高到140W 2023 年 4 月 12日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體推出了率先業(yè)界通過(guò)USB-IF的USB Power Delivery Extended Power Range （USB PD 3.1 EPR）規(guī)范認(rèn)證的集成化數(shù)字控制器芯片ST-ONEHP。 發(fā)表于：2023/4/13 ?…55565758596061626364…?
