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安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)

安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)

2024年12月10日，功率半導(dǎo)體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。

大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC汽車充電器方案

　　2023年4月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚集團推出與意法半導(dǎo)體（ST）共同開發(fā)的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC直流輸出汽車充電器方案。

發(fā)表于：2023/4/20

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

　　電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。

發(fā)表于：2023/4/20

氮化鎵（GaN）帶來電源管理變革的 3 大原因

　　氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。

發(fā)表于：2023/4/18

ADALM2000實驗：數(shù)模轉(zhuǎn)換

　　本實驗的目標(biāo)是探討數(shù)模轉(zhuǎn)換的概念，將CMOS反相器用作梯形電阻分壓器的基準(zhǔn)開關(guān)（用于DAC中）。

發(fā)表于：2023/4/17

Vicor 將在 2023 WCX 上展示適用于 xEV 的高性能模塊化電源轉(zhuǎn)換解決方案

隨著汽車產(chǎn)業(yè)迅速向電壓及功率要求更高的全電動汽車發(fā)展，電源系統(tǒng)設(shè)計工程師正在尋找高密度、輕量級并且能跨平臺擴展的電源轉(zhuǎn)換解決方案。

發(fā)表于：2023/4/14

意法半導(dǎo)體ST-ONE系列USD PD控制器功率提高到140W

　　2023 年 4 月 12日，中國 —— 意法半導(dǎo)體推出了率先業(yè)界通過USB-IF的USB Power Delivery Extended Power Range （USB PD 3.1 EPR）規(guī)范認(rèn)證的集成化數(shù)字控制器芯片ST-ONEHP。

發(fā)表于：2023/4/13

充電僅需18秒新型水系鋅離子電池正極材料問世

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家同步輻射實驗室宋禮教授團隊，基于插層型鋅離子電池正極材料的同步輻射譜學(xué)表征，提出了插層劑誘導(dǎo)軌道占據(jù)的概念，開發(fā)出具有快速充電性能的銨根插層五氧化　 4月10日從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校國家同步輻射實驗室宋禮教授團隊，基于插層型鋅離子電池正極材料的同步輻射譜學(xué)表征，提出了插層劑誘導(dǎo)軌道占據(jù)的概念，開發(fā)出具有快速充電性能的銨根插層五氧化二釩鋅離子電池正極材料。相關(guān)成果日前發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《美國科學(xué)院院刊》上。二釩鋅離子電池正極材料。

發(fā)表于：2023/4/12

意法半導(dǎo)體USB供電EPR整體方案獲USB-IF認(rèn)證單個電源適配器輸出功率高達140W

　　2023年4月11日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，兩款USB 供電（USB PD）擴展功率范（EPR）芯片獲得USB-IF（USB開發(fā)者論壇）認(rèn)證。這兩款芯片分別用于電源/充電器的適配器端（供電）和設(shè)備端（受電），將通用充電器的輸出功率范圍擴展到140W。現(xiàn)在，只用一個交流-直流適配器就能給大多數(shù)用電設(shè)備充電，例如，計算機、智能家居執(zhí)行器、電動工具、電動自行車，以及傳統(tǒng)充電產(chǎn)品，例如，手機、平板電腦、智能手表。

發(fā)表于：2023/4/11

Qi®充電獲得亟需的安全性能提升

　　新技術(shù)的出現(xiàn)受到了反對意見的阻礙，Qi感應(yīng)式充電技術(shù)頗費時日才被廣泛接受。因此，雖然Qi早在2010年就已發(fā)布，但又過了五年才占據(jù)主導(dǎo)地位。自那時起，無線充電聯(lián)盟（WPC）對Qi進行了重大改進，但直到2021年初，聯(lián)盟才增加了一項協(xié)議，從而使支持Qi的設(shè)備制造商能夠驗證充電器的身份及其對Qi規(guī)范的遵守情況。這項功能可以剔除那些可能損害甚至損毀其充電產(chǎn)品的充電器，因此無疑是Qi 1.3中最重要的新特性。

發(fā)表于：2023/4/11

實現(xiàn)高密度電源設(shè)計，TI有源 EMI 濾波器 IC提供了一種新思路

目前在汽車、企業(yè)級應(yīng)用（包括服務(wù)器、通信電源等）、航空航天、工業(yè)以及 HVAC等應(yīng)用中，電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，對電源要求越來越高，電源功率也越來越大，使得這些應(yīng)用中的 EMI （電磁干擾）變得尤為重要，緩解EMI 成為工程師的一項關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。

發(fā)表于：2023/4/7