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安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)

安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)

2024年12月10日，功率半導(dǎo)體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。

【汽車創(chuàng)新三大驅(qū)動(dòng)力】系列之一：解決電動(dòng)化和電池測(cè)試挑戰(zhàn)的方法探討

電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化以及它們獨(dú)特的測(cè)試挑戰(zhàn)和解決方案，正在驅(qū)動(dòng)整個(gè)汽車行業(yè)新一輪革命。本系列文章的討論順序是電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化和智能化，智能化雖然放在最后但依然同樣重要，例如自動(dòng)駕駛。探討這三個(gè)趨勢(shì)，從第一個(gè)驅(qū)動(dòng)力開始——電動(dòng)化和電池。

發(fā)表于：2023/3/1

基于VMD-LSTM的非侵入式負(fù)荷識(shí)別方法

非侵入式負(fù)荷識(shí)別（Non-Intrusive Load Monitoring， NILM）技術(shù)僅基于家庭電源總?cè)肟谔幍碾娏?、電壓信息，獲得室內(nèi)電器設(shè)備的電氣信息。提高負(fù)荷識(shí)別的精度，對(duì)于優(yōu)化能源結(jié)構(gòu)、提高電能利用效率、降低能耗、節(jié)約資源具有重要意義。首先應(yīng)用變分模態(tài)分解（Variational Mode Decomposition， VMD）對(duì)歸一化的電流信號(hào)分解為K個(gè)IMF分量，再估計(jì)各個(gè)分量與歸一化電流信號(hào)的相關(guān)系數(shù)，挑選相關(guān)系數(shù)最大的兩個(gè)分量作為負(fù)荷特征，輸入訓(xùn)練好的LSTM神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行識(shí)別。算例測(cè)試結(jié)果表明，該方法在公開數(shù)據(jù)集PLAID上的識(shí)別率高達(dá)99%，在實(shí)驗(yàn)室采集的數(shù)據(jù)集上的識(shí)別率為96.6%，證實(shí)了所提出方法對(duì)提升負(fù)荷識(shí)別精度有顯著效果。

發(fā)表于：2023/3/1

基于平均電流模式的同步Buck數(shù)字電源設(shè)計(jì)研究

高效率、高開關(guān)頻率和數(shù)字控制是近年來開關(guān)電源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。探討了基于平均電流模式的同步Buck數(shù)字電源設(shè)計(jì)策略，結(jié)合理論分析和Matlab/Simulink軟件仿真，分析了同步Buck的環(huán)路設(shè)計(jì)條件，詳細(xì)闡述了兩種電壓電流雙閉環(huán)PI補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)方法，并提出了一種基于電流環(huán)簡化的電壓環(huán)設(shè)計(jì)方法。使用高性能主流MCU芯片STM32G474作為控制核心，利用高分辨率PWM技術(shù)實(shí)現(xiàn)200 kHz的開關(guān)頻率，以中斷事件觸發(fā)和狀態(tài)機(jī)運(yùn)行思想來構(gòu)建系統(tǒng)軟件的架構(gòu)。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明系統(tǒng)具有效率高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快和魯棒性強(qiáng)等特點(diǎn)，為數(shù)字電源的通用化設(shè)計(jì)提供了參考。

發(fā)表于：2023/3/1

Gridspertise和意法半導(dǎo)體20年合作新里程賦能美國等地智能電表客戶積極參與能源轉(zhuǎn)型

意法半導(dǎo)體面向家庭的直接電力線通信（power line communication）通道將用于Gridspertise為美國市場(chǎng)開發(fā)的智能電表。

發(fā)表于：2023/2/28

智能能源平臺(tái)Kaluza開啟車與外界互聯(lián)智能充電試驗(yàn)

　近期，智能能源平臺(tái)Kaluza公司宣布，將與大眾汽車集團(tuán)英國公司、OVO Energy能源公司和英德拉（Indra）公司共同推出車到萬物的Inflexion雙向充電項(xiàng)目。

發(fā)表于：2023/2/28

詳細(xì)解讀P4電驅(qū)橋四驅(qū)技術(shù)方案

48V輕混目前已逐漸成為新能源的“香餑餑”，這主要是來源于嚴(yán)苛的汽車排放的壓力，以及搭載額外高壓功率電子等技術(shù)要求產(chǎn)生的成本增高等多方因素而形成的。 48V系統(tǒng)最大的特點(diǎn)之一就是可以對(duì)高壓系統(tǒng)進(jìn)行降本增效，以及避免12V電源的功率限制。

發(fā)表于：2023/2/28

GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案

近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。

發(fā)表于：2023/2/28

基于芯片封裝的微系統(tǒng)模塊PDN設(shè)計(jì)優(yōu)化

隨著IC芯片的供電電源趨向低電壓以及大電流，基于2.5D硅通孔技術(shù)（Through-Silicon-Via，TSV）、倒扣焊、高溫共燒陶瓷（High Temperature Co-fired Ceramics，HTCC）、3D堆疊等的微系統(tǒng)模塊的電源分配系統(tǒng)（Power Delivery Network，PDN）的設(shè)計(jì)越來越重要。芯片電流經(jīng)過PDN互連產(chǎn)生輸出噪聲，這些互連必須提供一個(gè)較優(yōu)低阻抗的信號(hào)返回路徑，保持芯片焊盤間恒定的供電電壓且維持在一個(gè)很小的容差范圍內(nèi)，通常在5%以內(nèi)?；谛酒庋b系統(tǒng)（Chip Package System， CPS），結(jié)合TSV硅基板、HTCC管殼、PCB三級(jí)協(xié)同對(duì)微系統(tǒng)模塊PDN提出設(shè)計(jì)及優(yōu)化方法，從直流設(shè)計(jì)、交流阻抗設(shè)計(jì)分別進(jìn)行闡述，并運(yùn)用芯片電源模型（Chip Power Model， CPM），結(jié)合時(shí)域分析實(shí)現(xiàn)了電源紋波PDN低阻抗設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：2023/2/28

對(duì)電動(dòng)汽車充電原理及充電過程予以介紹

　　電動(dòng)汽車越來越普及，深受消費(fèi)者歡迎。但還是有一些消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車充電的便利性和安全性有顧慮。下面對(duì)電動(dòng)汽車充電原理及充電過程予以介紹。

發(fā)表于：2023/2/28

KYET CBB21電容耐溫最高能達(dá)到多少度？

　　我們發(fā)現(xiàn)，哪怕一些很好的CBB21電容，如果工作環(huán)境很惡劣，它同樣很容易損壞，薄膜電容最害怕的就是高溫和潮濕，特別是高溫最容易導(dǎo)致薄膜電容損壞，KYET CBB21電容耐溫最高能達(dá)到多少度？

發(fā)表于：2023/2/28