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中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院回應(yīng)“充電寶3C認(rèn)證全面失效”

中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院回應(yīng)“充電寶3C認(rèn)證全面失效”

11 月 27 日消息，11 月 25 日有報(bào)道稱，《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》（征求意見稿）（以下簡稱“新規(guī)”）顯示，與舊標(biāo)準(zhǔn)相比，新國標(biāo)在整機(jī)、線路板和電芯三大技術(shù)領(lǐng)域提出了數(shù)十項(xiàng)嚴(yán)苛改進(jìn)。

貿(mào)澤開售Nexperia NEX1000xUB電源IC

　　2024年3月13日 - 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開售Nexperia的NEX1000xUB電源IC。這些新型、省空間、可編程、高效率的雙輸出LCD偏壓電源專為空間受限的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可延長智能手機(jī)、平板電腦、虛擬現(xiàn)實(shí) （VR）頭顯設(shè)備和LCD模塊的電池續(xù)航時(shí)間與視頻顯示壽命。

發(fā)表于：2024/3/25

消息稱億緯鋰能擬在英國新建電動汽車電池工廠

3 月 24 日消息，據(jù)英國泰晤士報(bào)，億緯鋰能正在就英國投資建廠進(jìn)行洽談，預(yù)計(jì)投資至少 12 億英鎊（當(dāng)前約 109.68 億元人民幣）。據(jù)報(bào)道，億緯鋰能希望在考文垂（Coventry）外圍修建一個(gè) 20 GWh 的電動汽車動力電池工廠，規(guī)模最終可能會達(dá)到 60 GWh，屆時(shí)將成為英國最大的超級工廠，預(yù)計(jì)未來數(shù)周將簽署相關(guān)協(xié)議。

發(fā)表于：2024/3/25

英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。

發(fā)表于：2024/3/21

基于負(fù)載追蹤補(bǔ)償?shù)拇箅娏鱈DO設(shè)計(jì)

提出一種有效提升大電流輸出應(yīng)用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術(shù)，采用負(fù)載追蹤補(bǔ)償方式消除電路輸出端與負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)對環(huán)路穩(wěn)定性的影響，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點(diǎn)阻抗，從而達(dá)到同時(shí)提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進(jìn)行仿真驗(yàn)證，結(jié)果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負(fù)載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩(wěn)定時(shí)間小于56.3 μs。全負(fù)載電流范圍內(nèi)，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：2024/3/20

石墨烯膜實(shí)現(xiàn)超高壓太陽電池陣的靜電防護(hù)

針對空間電站太陽電池陣容易在超高壓工作下出現(xiàn)靜電損傷的問題，通過研制具備高透過率和導(dǎo)電性的石墨烯透明導(dǎo)電膜，實(shí)現(xiàn)了全柔性太陽電池組件表面零電位，達(dá)到靜電泄放的目的。在750 V串間高壓的試驗(yàn)條件下，石墨烯膜封裝的全柔性太陽電池組件未出現(xiàn)放電現(xiàn)象，電性能未發(fā)生變化，證明了石墨烯膜在超高壓條件下的靜電防護(hù)能力。

發(fā)表于：2024/3/20

“死磕”功率密度，TI又推出兩大新系列

如今AI、電動汽車等熱點(diǎn)應(yīng)用的興起對電源設(shè)計(jì)的功率密度提出了更高的要求。高功率密度的設(shè)計(jì)，意味著整個(gè)電源的功率器件在尺寸、功率和散熱上面臨更大的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：2024/3/18

寧德時(shí)代：首個(gè)基于磷酸鐵鋰電池的滑板底盤產(chǎn)品將于下半年量產(chǎn)

據(jù)澎湃新聞報(bào)道，在 2024 年中國電動汽車百人會論壇上，寧德時(shí)代（上海）智能科技有限公司的董事總經(jīng)理?xiàng)顫h兵透露，該公司首個(gè)基于磷酸鐵鋰電池的滑板底盤產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于今年下半年開始量產(chǎn)。去年 11 月，寧德時(shí)代宣布其采用三元鋰電池、續(xù)航里程突破 1000 公里的滑板底盤產(chǎn)品首發(fā) B 級轎車，完成了黑河冬季測試及吐魯番夏季測試。

發(fā)表于：2024/3/18

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列

2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。

發(fā)表于：2024/3/14

紅旗新一代國產(chǎn)化車載電源量產(chǎn)啟動

3月13日消息，據(jù)紅旗官方公眾號介紹，近日紅旗研發(fā)總院創(chuàng)新開發(fā)的紅旗新一代國產(chǎn)化3kW DC/DC車載電源成功完成OTS試驗(yàn)認(rèn)可，順利啟動量產(chǎn)。該產(chǎn)品的芯片國產(chǎn)化利用率由0躍升至60%，實(shí)現(xiàn)性能、質(zhì)量及成本的全方位優(yōu)化設(shè)計(jì)。紅旗新一代國產(chǎn)化車載電源量產(chǎn)啟動：芯片國產(chǎn)化利用率達(dá)60% 該組件在更換國產(chǎn)化芯片過程中，先后成功通過功能、性能、環(huán)境適應(yīng)性、電磁兼容性和禁用物質(zhì)檢測五大類共計(jì)117項(xiàng)試驗(yàn)的嚴(yán)苛考驗(yàn)，在加速國產(chǎn)芯片應(yīng)用的同時(shí)，品質(zhì)性能不打折扣。突破DC/DC反向預(yù)充技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)反向預(yù)充和高壓電氣系統(tǒng)故障智能檢測功能的同時(shí)，能夠根據(jù)低壓蓄電池荷電狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)預(yù)充電流，避免預(yù)充過程中低壓蓄電池電壓過度下降，為車輛供電提供安全保障。

發(fā)表于：2024/3/14

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2

【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。

發(fā)表于：2024/3/13