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中國(guó)科學(xué)院公布超低溫高比能鋰電池

中國(guó)科學(xué)院公布超低溫高比能鋰電池

3 月 23 日消息，據(jù)新華社報(bào)道，近日中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所陳忠偉團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)一款新型 " 超低溫高比能鋰電池 "，可幫助無(wú)人機(jī)等設(shè)備在高寒地帶執(zhí)行任務(wù)。據(jù)悉，陳忠偉團(tuán)隊(duì)為了攻克鋰電池在超低溫環(huán)境下的性能衰減難題，通過(guò)創(chuàng)新電解液配方與負(fù)極材料改性技術(shù)，顯著拓寬電池工作溫度范圍，確保相應(yīng)電池在零下 40 攝氏度至 50 攝氏度的極端溫度區(qū)間內(nèi)均能穩(wěn)定輸出功率。

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

　　假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻（RF）放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。

發(fā)表于：11/16/2023

Vox Power公司最新發(fā)布VCCR300傳導(dǎo)式冷卻電源單元

　　愛(ài)爾蘭都柏林，2023年11月 - Vox Power自豪地宣布推出VCCR300傳導(dǎo)式冷卻電源系列，這是一款堅(jiān)固耐用且高度可靠的DC/DC電源，能夠安靜地輸出300W功率。該產(chǎn)品緊湊的外形尺寸僅為7.43 × 4.6英寸，厚度低至1英寸，可確保從幾乎任何方向上輕松集成進(jìn)系統(tǒng)內(nèi)部，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者帶來(lái)極大的靈活性，并有效節(jié)省空間。

發(fā)表于：11/15/2023

自適應(yīng)功率優(yōu)化正在徹底改變電芯

　　“如果您想要節(jié)約能源和縮減開(kāi)支，那么最好的方法就是關(guān)掉所有的電子設(shè)備?！? 　　盡管這個(gè)建議簡(jiǎn)單至極，卻是一切能耗優(yōu)化管理行為背后的基本原理和不二法門(mén)，所謂的自適應(yīng)功率優(yōu)化也不例外。對(duì)于采用電池供電的電子設(shè)備而言，一旦選定了合適的電池電芯供應(yīng)商并將其電芯納入到設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，接下來(lái)就需要由 PMIC 將電芯的續(xù)航時(shí)間發(fā)揮到極致。

發(fā)表于：11/15/2023

ADI進(jìn)博會(huì)攜手5大合作伙伴簽署戰(zhàn)略合作

　　11月6日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices（下文簡(jiǎn)稱(chēng)：ADI）首次亮相第六屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（下文簡(jiǎn)稱(chēng)：進(jìn)博會(huì)）。展會(huì)期間，ADI以“激活邊緣智能，共建數(shù)字中國(guó)”為主題，圍繞工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療健康、消費(fèi)電子、新能源與可持續(xù)發(fā)展等核心領(lǐng)域，集中展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案。作為深耕本土市場(chǎng)的重要舉措，ADI宣布與5家行業(yè)頭部企業(yè)達(dá)成重要戰(zhàn)略合作，通過(guò)多領(lǐng)域、多層次的合作，共同推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

發(fā)表于：11/13/2023

意法半導(dǎo)體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

2023年11月8日，中國(guó)---意法半導(dǎo)體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，先期推出兩款產(chǎn)品，應(yīng)用定位高端工業(yè)設(shè)備、家電和專(zhuān)業(yè)設(shè)備。

發(fā)表于：11/9/2023

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

　　中國(guó)上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

發(fā)表于：11/8/2023

瞬變對(duì)AI加速卡供電的影響

　　AI技術(shù)完全改變了計(jì)算架構(gòu)，以復(fù)現(xiàn)模仿人腦的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。AI看似已廣泛存在，但實(shí)際上，驅(qū)動(dòng)AI的技術(shù)仍在發(fā)展。專(zhuān)門(mén)用于AI計(jì)算的處理器加速器IC包括GPU、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）、TPU和其他類(lèi)型的ASIC。本文將它們統(tǒng)稱(chēng)為xPU。

發(fā)表于：11/6/2023

德州儀器第三次亮相進(jìn)博會(huì)，釋放科技創(chuàng)新力

2023 年 11 月 6 日，上海訊——今日，德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）以“助力數(shù)字化創(chuàng)新，共赴高質(zhì)量發(fā)展”為主題，攜創(chuàng)新的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)再度亮相進(jìn)博會(huì)（4.1 館技術(shù)裝備展區(qū) 集成電路專(zhuān)區(qū)A1-01 展位），展示其在可再生能源、汽車(chē)電子和機(jī)器人領(lǐng)域幫助客戶實(shí)現(xiàn)持續(xù)創(chuàng)新。

發(fā)表于：11/6/2023

英飛凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。

發(fā)表于：11/3/2023

瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen出席ISES CHINA 2023

日前,瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)(ISES,原CISES)。

發(fā)表于：11/3/2023