頭條 安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術 2024年12月10日，功率半導體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。 最新資訊 利用USB-C實現(xiàn)并聯(lián)電池充電如何幫助提升用戶體驗 USB-C端口比之前的USB端口更加靈活，逐漸成為消費電子設備的標配。在這些設備中，更大功率和更長壽命的設備越來越受歡迎。因此，以更高的功率水平為這些設備充電的需求也隨之增長。本文將介紹并聯(lián)電池充電架構的基礎知識和用例，以及將USB-C集成到這些用例中的實際效果。此外，本文還會介紹并聯(lián)電池充電和USB-C在消費市場的應用情況以及優(yōu)缺點。 發(fā)表于：2023/11/16 pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案 假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻（RF）放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管（FET）需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。 發(fā)表于：2023/11/16 Vox Power公司最新發(fā)布VCCR300傳導式冷卻電源單元 愛爾蘭都柏林，2023年11月 - Vox Power自豪地宣布推出VCCR300傳導式冷卻電源系列，這是一款堅固耐用且高度可靠的DC/DC電源，能夠安靜地輸出300W功率。該產(chǎn)品緊湊的外形尺寸僅為7.43 × 4.6英寸，厚度低至1英寸，可確保從幾乎任何方向上輕松集成進系統(tǒng)內部，為系統(tǒng)設計者帶來極大的靈活性，并有效節(jié)省空間。 發(fā)表于：2023/11/15 自適應功率優(yōu)化正在徹底改變電芯 “如果您想要節(jié)約能源和縮減開支，那么最好的方法就是關掉所有的電子設備?！? 盡管這個建議簡單至極，卻是一切能耗優(yōu)化管理行為背后的基本原理和不二法門，所謂的自適應功率優(yōu)化也不例外。對于采用電池供電的電子設備而言，一旦選定了合適的電池電芯供應商并將其電芯納入到設計環(huán)節(jié)，接下來就需要由 PMIC 將電芯的續(xù)航時間發(fā)揮到極致。 發(fā)表于：2023/11/15 ADI進博會攜手5大合作伙伴簽署戰(zhàn)略合作 11月6日，全球領先的半導體公司Analog Devices（下文簡稱：ADI）首次亮相第六屆中國國際進口博覽會（下文簡稱：進博會）。展會期間，ADI以“激活邊緣智能，共建數(shù)字中國”為主題，圍繞工業(yè)、汽車、醫(yī)療健康、消費電子、新能源與可持續(xù)發(fā)展等核心領域，集中展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新的半導體解決方案。作為深耕本土市場的重要舉措，ADI宣布與5家行業(yè)頭部企業(yè)達成重要戰(zhàn)略合作，通過多領域、多層次的合作，共同推動行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。 發(fā)表于：2023/11/13 意法半導體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機驅動芯片 2023年11月8日，中國---意法半導體發(fā)布STSPIN9系列大電流電機驅動芯片，先期推出兩款產(chǎn)品，應用定位高端工業(yè)設備、家電和專業(yè)設備。 發(fā)表于：2023/11/9 東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 發(fā)表于：2023/11/8 瞬變對AI加速卡供電的影響 AI技術完全改變了計算架構，以復現(xiàn)模仿人腦的神經(jīng)網(wǎng)絡。AI看似已廣泛存在，但實際上，驅動AI的技術仍在發(fā)展。專門用于AI計算的處理器加速器IC包括GPU、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、TPU和其他類型的ASIC。本文將它們統(tǒng)稱為xPU。 發(fā)表于：2023/11/6 德州儀器第三次亮相進博會，釋放科技創(chuàng)新力 2023 年 11 月 6 日，上海訊——今日，德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）以“助力數(shù)字化創(chuàng)新，共赴高質量發(fā)展”為主題，攜創(chuàng)新的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術再度亮相進博會（4.1 館技術裝備展區(qū) 集成電路專區(qū)A1-01 展位），展示其在可再生能源、汽車電子和機器人領域幫助客戶實現(xiàn)持續(xù)創(chuàng)新。 發(fā)表于：2023/11/6 英飛凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。 發(fā)表于：2023/11/3 ?…41424344454647484950…?
