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EDA與制造相關(guān)文章

再獲榮譽(yù)！大聯(lián)大榮獲第七屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)之國(guó)際影響力品牌獎(jiǎng)

　　2024年5月29日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股憑借著在全球市場(chǎng)中卓越的品牌效能和超高的行業(yè)認(rèn)可度，榮獲第七屆藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)之國(guó)際影響力品牌獎(jiǎng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由深圳電子商會(huì)主辦，旨在表彰近年來(lái)在電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中展現(xiàn)國(guó)際影響力的品牌。此次獲獎(jiǎng)既是對(duì)大聯(lián)大深耕行業(yè)所作貢獻(xiàn)的充分肯定，也承載著對(duì)大聯(lián)大引領(lǐng)中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)邁向國(guó)際舞臺(tái)的重大期許。

發(fā)表于：2024/5/29

定制IP與驗(yàn)證方案為高質(zhì)量芯片設(shè)計(jì)打開(kāi)大門(mén)

　　中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)在最近十年取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，這不僅體現(xiàn)在行業(yè)中出現(xiàn)了一大批成功的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，他們不斷努力使其產(chǎn)品達(dá)到了世界一流的水平，而且還體現(xiàn)在這些領(lǐng)先的中國(guó)企業(yè)已經(jīng)非常善于建立完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，產(chǎn)品進(jìn)入了全球領(lǐng)先的、分布于各個(gè)行業(yè)的品牌廠(chǎng)商（OEM）和設(shè)計(jì)公司，同時(shí)還與各大晶圓代工企業(yè)、包括SmartDV Technologies?這樣的領(lǐng)先硅IP企業(yè)和EDA工具提供商建立了深入的合作關(guān)系。此外，中國(guó)本土的IP和EDA工具提供商也長(zhǎng)足發(fā)展，開(kāi)始和包括我們SmartDV這樣的領(lǐng)先廠(chǎng)商展開(kāi)深度合作，共同支持中國(guó)和全球的客戶(hù)。

發(fā)表于：2024/5/29

多元化增長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁中微公司薄膜設(shè)備新品層出

多元化增長(zhǎng)動(dòng)能強(qiáng)勁，中微公司薄膜設(shè)備新品層出

發(fā)表于：2024/5/29

曝臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm工藝

5月29日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將在明年量產(chǎn)2nm工藝，蘋(píng)果將率先使用這項(xiàng)先進(jìn)工藝。據(jù)爆料，臺(tái)積電2nm首次應(yīng)用了GAA技術(shù)，GAA全稱(chēng)Gate-All-Around，中文名為全環(huán)繞柵極晶體管，其本質(zhì)上是一種新型的晶體管設(shè)計(jì)，可以在更小的制程下提供更好的性能。在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。這可以幫助減少量子隧道效應(yīng)，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。

發(fā)表于：2024/5/29

英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺(tái)積電

英特爾和三星正尋求通過(guò)采用玻璃芯片技術(shù)來(lái)挑戰(zhàn)臺(tái)積電的市場(chǎng)地位。

發(fā)表于：2024/5/29

2nm以下節(jié)點(diǎn)裝備競(jìng)賽打響臺(tái)積電魏哲家密訪(fǎng)ASML總部

2nm 以下節(jié)點(diǎn)裝備競(jìng)賽打響，臺(tái)積電魏哲家密訪(fǎng) ASML 總部

發(fā)表于：2024/5/29

消息稱(chēng)全球晶圓廠(chǎng)整體產(chǎn)能利用率已達(dá)七成左右

半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇，消息稱(chēng)全球晶圓廠(chǎng)整體產(chǎn)能利用率已達(dá)七成左右

發(fā)表于：2024/5/29

NAND Flash開(kāi)始邁向300層

NAND Flash開(kāi)始邁向300層在NAND技術(shù)進(jìn)展方面，在2022年下半年美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)232層NAND之后，SK海力士和三星也分別量產(chǎn)了238層和236層的NAND。相比之下鎧俠和西部數(shù)據(jù)的進(jìn)展則慢一些，但也達(dá)到了218層NAND的量產(chǎn)。目前各家廠(chǎng)商都在積極的邁向300層NAND。

發(fā)表于：2024/5/29

臺(tái)積電或?qū)⑤^原計(jì)劃提前采用High NA EUV光刻機(jī)

5月28日消息，根據(jù)wccftech的報(bào)道，雖然此前臺(tái)積電公開(kāi)表示其路線(xiàn)圖上的最尖端制程A16仍將不會(huì)采用High NA EUV光刻機(jī)，但是最新的消息顯示，臺(tái)積電有可能會(huì)修正其既定計(jì)劃，提前導(dǎo)入High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行試驗(yàn)和學(xué)習(xí)。

發(fā)表于：2024/5/29

SK海力士HBM4芯片2026年將帶來(lái)6-15億美元以上營(yíng)收

SK海力士HBM4芯片2026年將帶來(lái)6-15億美元以上營(yíng)收

發(fā)表于：2024/5/29

艾邁斯歐司朗擬對(duì)奧地利施泰爾馬克州產(chǎn)能及芯片技術(shù)升級(jí)

　　中國(guó) 上海，2024年5月28日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗正不斷加大對(duì)Premst?tten研發(fā)與生產(chǎn)基地的投入力度。艾邁斯歐司朗集團(tuán)首席執(zhí)行官兼董事會(huì)主席Aldo Kamper與奧地利聯(lián)邦部長(zhǎng)Martin Kocher、施泰爾馬克州州長(zhǎng)Christopher Drexler共同宣布，至2030年，計(jì)劃向Premstätten研發(fā)與生產(chǎn)基地投資高達(dá)5.88億歐元。同時(shí)，依據(jù)《歐洲芯片法案》，艾邁斯歐司朗已申請(qǐng)最高2億歐元的資金支持，該申請(qǐng)目前已處于預(yù)通知階段，并已提交歐盟委員會(huì)審批。此次投資旨在進(jìn)一步增強(qiáng)奧地利半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍地位，預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年內(nèi)創(chuàng)造250個(gè)就業(yè)崗位。

發(fā)表于：2024/5/28

美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠(chǎng)

美光計(jì)劃投資逾50億美元在日建廠(chǎng) 最快2027年投入運(yùn)營(yíng)

發(fā)表于：2024/5/28

被蘋(píng)果踢出蘋(píng)果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠(chǎng)面臨出售關(guān)閉

被蘋(píng)果踢出蘋(píng)果供應(yīng)鏈：超30年歷史晶圓廠(chǎng)面臨出售關(guān)閉

發(fā)表于：2024/5/28

英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù)

英偉達(dá)將提前導(dǎo)入FOPLP封裝技術(shù)：2025年應(yīng)用于GB200

發(fā)表于：2024/5/27

三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”

發(fā)表于：2024/5/27