11 月 26 日消息，韓媒 The Elec 今天（11 月 26 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。

援引消息源報(bào)道，此前每層涂層需要 7-8cc 的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化 PR 涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需要 4-4.5cc。

而另一個(gè)重要因素，是三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成 1 層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率。

不過(guò)更厚的光刻膠在生產(chǎn)中也有挑戰(zhàn)，由于光刻膠具有高粘度，在涂層工藝時(shí)會(huì)導(dǎo)致均勻性問(wèn)題。

三星與長(zhǎng)期合作伙伴東進(jìn)半導(dǎo)體化學(xué)公司自 2013 年起就密切合作，共同研發(fā)高性能光刻膠。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星 KrF 光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第 7 代（11 微米）和第 8 代（14 微米）3D NAND 提供了關(guān)鍵材料。

消息稱從第 9 代 3D NAND 開始，三星將全面應(yīng)用這項(xiàng)新技術(shù)，這一創(chuàng)新舉措不僅提高了生產(chǎn)效率，更將為三星節(jié)省每年數(shù)十億韓元的巨額成本。

同時(shí)也意味著東進(jìn)半導(dǎo)體將面臨來(lái)自三星的訂單減少，東進(jìn)半導(dǎo)體目前每年從光刻膠業(yè)務(wù)中獲得約 2500 億韓元收入，其中 60% 來(lái)自三星。