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EDA與制造相關(guān)文章

力积电Logic-DRAM技术获AMD等多家大厂采用

力积电Logic-DRAM技术获AMD等多家大厂采用

發(fā)表于：2024/9/5

ESIA呼吁欧盟通过加速制定芯片法案2.0等方式支持行业发展

欧洲半导体产业协会呼吁欧盟通过加速制定“芯片法案2.0”等方式支持行业发展欧洲半导体产业协会 ESIA 北京时间昨日呼吁欧盟立法者采用以竞争力检查为核心的智能政策，减少政策冲突和繁琐行政要求，通过加速制定“芯片法案 2.0”等方式促进欧洲半导体行业发展。欧洲半导体产业协会成员包括博世、德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会、imec、法国 CEA-Leti 实验室、恩智浦、意法半导体等重要半导体厂商和研究机构。

發(fā)表于：2024/9/5

使用Cadence AI技术加速验证效率提升

随着硬件设计规模和复杂程度的不断增加，验证收敛的挑战难度不断增大，单纯依靠增加 CPU 核数量并行测试的方法治标不治本。如何在投片前做到验证关键指标收敛，是验证工程师面对的难题。为解决这一难题，提出了采用人工智能驱动的验证EDA工具和生成式大模型两种提效方案，其中EDA工具有Cadence利用人工智能驱动的Verisium apps和采用机器学习技术Xcelium ML，前者用来提升验证故障定位效率，包括Verisium AutoTriage、Verisium SemanticDiff、Verisium WaveMiner等，后者可用来提升验证覆盖率收敛效率。生成式大模型可辅助智能debug和自动生成验证用例，主要介绍各实现方案，并给出了项目实验提升结果。

發(fā)表于：2024/9/4

SEMI硅光子产业联盟成立

SEMI硅光子产业联盟成立，台积电及日月光等30多家企业加入

發(fā)表于：2024/9/4

2023年中国CAD市场达54.8亿元同比增长12.8%

IDC：2023 年中国 CAD 市场达 54.8 亿元同比增长 12.8%，达索系统、西门子、欧特克三巨头份额均下滑

發(fā)表于：2024/9/4

我国超高纯石墨领域取得重大突破

99.99995%以上纯度！我国超高纯石墨领域取得重大突破锂电池/半导体必用材料

發(fā)表于：2024/9/4

三星电子HBM3E内存已获英伟达验证

TrendForce：三星电子 HBM3E 内存已获英伟达验证，8Hi 产品开始出货

發(fā)表于：2024/9/4

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

發(fā)表于：2024/9/4

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。

發(fā)表于：2024/9/3

我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术

9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。

發(fā)表于：2024/9/3

国内首个五星5G工厂建设完成

9月2日消息，据中国信通院CAICT，在工信部《5G全连接工厂建设指南》发布两周年之际，国内首个五星5G工厂——中兴通讯南京智能滨江5G工厂（滨江工厂）宣布建设完成。该工厂通过了中国信息通信研究院泰尔认证中心的认证，成为5G技术与电子设备制造业深度融合的全新标杆。

發(fā)表于：2024/9/3

2024年二季度全球晶圆代工市场营收排名公布

9月2日消息，全球市场研究机构TrendForce发布的最新研究报告显示，随着今年二季度中国618年中消费季到来，以及消费类终端库存水位已在相对健康水位，客户陆续启动消费性零组件备货或库存回补，使得晶圆代工厂接获急单，带动产能利用率向上提升，较前一季明显改善。再加上AI服务器相关需求持续强劲，推升第二季全球前十大晶圆代工厂的产值环比增长9.6%至320亿美元。从具体的排名来看，二季度的前五大晶圆代工厂商与一季度一致，排名依次为台积电、三星、中芯国际、联电与格罗方德。第六至十名，排行依序为华虹、高塔半导体、世界先进、力积电与晶合集成。其中，世界先进受益于DDI急单及去中化店员管理IC红利带动出货成长，排行升至第八名，力积电、晶合集成分别降至第九与第十名。

發(fā)表于：2024/9/3

AI芯片及存储芯片将带动今年全球半导体营收同比增长20%

SEMI：受益于AI芯片及存储芯片驱动，今年全球半导体营收将同比增长20%

發(fā)表于：2024/9/3

美国再次推迟宣布涉中国电动汽车等商品关税的最终决定

9 月 2 日消息，据参考消息报道，美国政府再次推迟宣布对在中国制造的电动汽车、电池、半导体和太阳能电池征收新关税的最终决定，并表示将在未来几天内公布最终决定。

發(fā)表于：2024/9/3

台积电1.6nm制程已获苹果及OpenAI订单

9月2日消息，据《经济日报》报道，台积电最先进的埃米级A16（1.6nm）制程虽未量产，但业内传出消息称，不仅大客户苹果已预订台积电A16首批产能，生成式AI技术大厂OpenAI也因自研AI芯片的制造需求，预订了A16产能，将助力台积电AI相关订单增长。报道称，ChatGPT开发商OpenAI公司目前正在积极的研发自家的AI ASIC芯片，原本计划与台积电合作建专用的晶圆厂，但经过评估后，搁置了自建晶圆厂的计划，自研的AI芯片也找来了博通和Marvell等厂商合作开发，OpenAI甚至有可能成为博通的前四大客户。由于博通、Marvell都是台积电的长期客户，两家厂商协助OpenAI开发的AI芯片，也预计将陆续会通过台积电3nm家族与后续A16制程上投片生产。根据台积电公布的资料显示，A16将采用下一代纳米片（Nanosheet）晶体管技术，结合台积电的超级电轨（Super PowerRail）构架，预计于2026年量产。相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。

發(fā)表于：2024/9/2