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英偉達加速認證三星HBM內(nèi)存芯片

掀起GPU技術(shù)革命浪潮
2024-11-25
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 英偉達 三星 HBM GPU

11月24日綜合報道,英偉達CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時透露,公司正在加速對三星電子的人工智能內(nèi)存芯片——HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)進行認證。這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。

此前,早在10月下旬,三星電子已對外釋放信號,稱其HBM芯片在英偉達的質(zhì)量測試中取得了顯著進展。

然而,在本周早些時候與分析師的財報后電話會議上,黃仁勛雖提及了多個主要合作伙伴,卻未直接點名三星,一度引發(fā)外界對于雙方合作進展的猜測。

不過,黃仁勛隨后的表態(tài)明確了英偉達與三星在HBM內(nèi)存芯片合作上的積極態(tài)度。

據(jù)此前公開報道,三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁Kim Jae-june曾表示,三星正在積極擴大8層和12層HBM3E芯片的銷售,并致力于改進以滿足一家“大客戶”的下一代GPU計劃,這家“大客戶”被普遍認為是指英偉達。

三星電子不僅已經(jīng)在量產(chǎn)8層和12層HBM3E產(chǎn)品,還在質(zhì)量測試方面取得了“有意義的進展”,并透露了開發(fā)第6代HBM4產(chǎn)品的計劃,預計從明年下半年開始批量生產(chǎn)。

對于英偉達而言,與三星的合作無疑將增強其GPU在人工智能處理領(lǐng)域的性能優(yōu)勢。

隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,高性能計算需求日益增長,而HBM內(nèi)存芯片憑借高帶寬、低延遲的特性,成為提升GPU性能的關(guān)鍵要素。

英偉達選擇對三星的HBM內(nèi)存芯片進行認證,旨在能提升產(chǎn)品競爭力,更好地滿足市場需求。

同時,在這場互利共贏的合作中,三星將有望贏得更為廣闊的市場機遇與業(yè)務(wù)增長新空間。


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