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EDA與制造相關(guān)文章

消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

消息稱 SK 海力士、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存，帶動市場價格上行

發(fā)表于：2024/5/13

華為牽頭貢獻(xiàn)開源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布

5月12日消息，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開源項(xiàng)目OGG 1.0開源幾何建模引擎已正式發(fā)布。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時華為已將486項(xiàng)增強(qiáng)后的幾何內(nèi)核代碼全部開源到OGG社區(qū)。 DISA秘書長丘水平表示，OGG基于全球唯一具有工程價值的開源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。

發(fā)表于：2024/5/13

全球政府正在瘋狂補(bǔ)貼半導(dǎo)體

以美國和歐盟為首的超級大國已投入近 810 億美元用于生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體，加劇了與中國爭奪芯片霸主地位的全球攤牌。這是世界各國政府為英特爾公司和臺積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強(qiáng)大的微處理器的生產(chǎn)。這一激增將華盛頓主導(dǎo)的與北京在尖端技術(shù)方面的競爭推向了一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這將塑造全球經(jīng)濟(jì)的未來。蘭德公司高級中國及戰(zhàn)略技術(shù)顧問吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無疑問，我們在與中國的技術(shù)競爭方面已經(jīng)越過了盧比孔河，特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域。” 雙方基本上已將此作為國家首要戰(zhàn)略目標(biāo)之一。

發(fā)表于：2024/5/13

新思科技面向臺積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，攜手臺積公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)開展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應(yīng)用于一系列人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和移動設(shè)計(jì)中。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術(shù)應(yīng)用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。

發(fā)表于：2024/5/11

Intel 14A工藝至關(guān)重要 2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/5/11

國內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣

國內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣！華為、英偉達(dá)等巨頭都在押注

發(fā)表于：2024/5/10

中芯國際營收超越聯(lián)電格芯成為全球第二

首次！中芯國際營收超越聯(lián)電、格芯成為全球第二

發(fā)表于：2024/5/10

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權(quán)

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無錫晶圓廠49.9%股權(quán)

發(fā)表于：2024/5/10

消息稱三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)

消息稱三星電子已提前組建 1dnm 內(nèi)存技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)重建優(yōu)勢

發(fā)表于：2024/5/10

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量28.34億平方英寸

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量 28.34 億平方英寸，環(huán)比下滑 5.4%

發(fā)表于：2024/5/10

美國最新報告：2032年美國將掌控28%先進(jìn)制程產(chǎn)能

5月9日消息，根據(jù)美國半導(dǎo)體協(xié)會（SIA）和波士頓顧問公司（BCG）的最新報告，隨著美國“芯片法案”的推動，預(yù)計(jì)到2032年，美國在全球10nm以下先進(jìn)制程芯片制造中的份額將達(dá)到28%，而中國大陸的占比可能僅為3%。美國政府在2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》中，安排了390億美元用于補(bǔ)貼在美國建廠生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的項(xiàng)目，旨在減少對亞洲供應(yīng)鏈的依賴，并提升本土制造能力。報告預(yù)計(jì)，到2032年，美國的晶圓廠產(chǎn)能將增加203%，即三倍于2022年的產(chǎn)能，且在全球晶圓廠產(chǎn)能中的份額將從10%增長到14%。報告還強(qiáng)調(diào)，美國不僅將在產(chǎn)能上增長，還將在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，如前沿制造、DRAM內(nèi)存、模擬和先進(jìn)封裝等方面增強(qiáng)能力。特別是，美國在先進(jìn)邏輯產(chǎn)能方面的全球份額將實(shí)現(xiàn)顯著提升。

發(fā)表于：2024/5/10

SK海力士宣布開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI 的移動端 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。

發(fā)表于：2024/5/9

三星電機(jī)加速玻璃基板開發(fā)

5 月 9 日消息，韓媒 ETNews 援引消息人士的話稱，三星電機(jī)半導(dǎo)體玻璃基板中試線建設(shè)完成時間已提前至 9 月，相較原定的年底完工目標(biāo)提前了一個季度。相較于現(xiàn)有的有機(jī)基板，玻璃基板在電氣性能、耐熱性能等方面存在較大優(yōu)勢，可進(jìn)一步降低厚度。玻璃基板也使玻璃通孔（Through Glass Via，簡稱 TGV）等新型電路連接成為可能，尤其適合 HPC、AI 領(lǐng)域的芯片。

發(fā)表于：2024/5/9

ASML最先進(jìn)光刻機(jī)今年產(chǎn)能被英特爾買完

5月8日消息，ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī)今年訂單已經(jīng)被Intel包攬，其單臺售價超過了25億元。據(jù)悉，ASML截至明年上半年最先進(jìn)EUV設(shè)備的訂單已經(jīng)由英特爾承包，而今年計(jì)劃生產(chǎn)的五套設(shè)備也將全部運(yùn)給這家美國芯片制造商。按照消息人士的說法，由于上述EUV設(shè)備產(chǎn)能每年約為5到6臺，這意味著英特爾將獲得所有初始庫存。這也導(dǎo)致，英特爾的競爭對手三星和 SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年才能獲得該設(shè)備。

發(fā)表于：2024/5/8

三星開始量產(chǎn)首款3nm Exynos芯片

三星開始量產(chǎn)首款3nm Exynos芯片：Galaxy S25有望首發(fā)

發(fā)表于：2024/5/8