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格創(chuàng)東智完成AMHS收購簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務啟動暨產(chǎn)品發(fā)布會在SEMICON China 2024展會現(xiàn)場成功舉行。會上,格創(chuàng)東智完成對耘德有限公司、江蘇睿新庫智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國政府宣布計劃向英特爾提供近200億美元激勵

3 月 20 日消息，美國商務部 3 月 20 日宣布，美國政府與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國《芯片與科學法案》向后者提供至多 85 億美元（當前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當前約 792 億元人民幣）貸款，以擴大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領域重新確立在美國的領導地位，并與臺積電和三星等公司競爭。

發(fā)表于：3/21/2024

三星：最快2年奪回全球芯片市場第一

3月20日消息，據(jù)媒體報道，三星電子在周三舉行的年度股東大會上放下豪言，表示目標是在最快2-3年內(nèi)重新奪回全球芯片市場的第一位置。據(jù)悉，三星電子計劃在未來幾年內(nèi)通過一系列的戰(zhàn)略舉措來實現(xiàn)這一目標。首先，三星預計公司的DS（Device Solutions）部門的銷售額將在2024年恢復到2022年水平，這將為公司重返全球芯片市場第一奠定基礎。除了恢復銷售額外，三星還宣布將在所有設備中廣泛采用人工智能技術，通過提升人工智能能力，他們積極尋求涉足汽車零部件、機器人和數(shù)字健康領域的新業(yè)務。一。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報告》。報告顯示，由于存儲器市場的復蘇以及高性能計算、汽車應用的強勁需求，全球應用于前道工藝的300mm晶圓廠設備投資，預計將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達到創(chuàng)紀錄的1370億美元。 SEMI預測，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進半導體設備

2024年3月20日,中國上?！裉?國內(nèi)領先的半導體設備供應商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術網(wǎng)絡的一部分,奧芯明以中國設備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對高質(zhì)量、高精度芯片封裝的先進設備。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術的固態(tài)硬盤電路設計

存儲系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設計了一款基于SiP技術的固態(tài)硬盤電路，用于驗證存儲系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲的NAND顆粒、用于固件存儲的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺上進行底層ATA指令驗證以及與傳統(tǒng)分離式存儲系統(tǒng)的對比性能測試，證明了應用SiP技術的存儲系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢，為后續(xù)SiP存儲系統(tǒng)的設計和驗證奠定了一定的技術基礎。

發(fā)表于：3/20/2024

Flash陣列無效塊管理

Flash陣列在當今數(shù)據(jù)存儲領域占據(jù)著重要地位，提高Flash陣列可靠性的關鍵在于提出合理的壞塊管理方法。針對固有壞塊，提出基于整合塊的壞塊管理方法和基于EEPROM查找表的壞塊管理方法。對于在使用過程中出現(xiàn)的突發(fā)壞塊，提出基于頁跳過和頁替換的突發(fā)壞塊管理方法。經(jīng)過實驗分析表明壞塊管理方法提高了NAND Flash數(shù)據(jù)存儲的可靠性，在保證存儲速度的情況下對NAND Flash存儲空間得到最大化利用。

發(fā)表于：3/20/2024

亞智科技 RDL先進制程加速全球板級封裝部署和生產(chǎn)

化學濕制程、電鍍及自動化設備領導供應商Manz亞智科技，以RDL不斷精進的工藝布局半導體封裝市場。日前，Manz擴大RDL 研發(fā)版圖，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導線金屬化工藝，并將技術應用于下一代半導體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達到更高的封裝效能及能源傳遞效率外，還可透過板級制程，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：3/20/2024

消息稱臺積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，臺積電今年將全力擴增 3nm 產(chǎn)能，預計年底前該工藝的利用率將提升至 80%。臺積電 3nm 制程技術已拿下蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單，業(yè)界預期臺積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點以滿足客戶需求，這意味著臺積電在 3nm 制程世代完勝三星、英特爾等競爭企業(yè)。展望未來 2nm 制程世代，臺積電預計將從 2025 年開始提供相關晶圓代工服務，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺積電總裁魏哲家先前在財報會議上表示，全球主要大廠中僅有一家不是臺積電 2nm 制程客戶。外界推測這一客戶指的是三星電子，但總體看來，臺積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢。

發(fā)表于：3/20/2024

臺積電和英特爾供應商推遲在美國亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，由于建筑成本上升和勞動力短缺，臺積電和英特爾的五家供應商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設項目。這一挫折與供應商最初的計劃背道而馳，此前他們計劃跟隨英特爾和臺積電在該州新建芯片生產(chǎn)設施的計劃進行建設。臺積電和英特爾供應商推遲在美國亞利桑那州建廠

發(fā)表于：3/20/2024

鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至88%

集邦咨詢：鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至 88%，帶動 2024 年 NAND 閃存產(chǎn)量增長 10.9%

發(fā)表于：3/20/2024

賀利氏亮相SEMICON China 2024

（中國，上海）2024年3月20日，中國半導體旗艦展覽SEMICON China揭幕，德國科技巨頭賀利氏集團攜旗下多個事業(yè)部的多項創(chuàng)新產(chǎn)品精彩亮相。其中，賀利氏電子位于E7館E7000的展臺上，展示了創(chuàng)新半導體、功率電子及汽車電子材料解決方案。而相鄰的E7008展臺上，賀利氏科納米展示了面向半導體行業(yè)的多種石英材料和制品。此外，賀利氏電子化學材料的專家來到現(xiàn)場，介紹多種半導體生產(chǎn)過程中所需的超高純度特種化學品，如光酸、光引發(fā)劑、單體和交聯(lián)劑等。

發(fā)表于：3/20/2024

零壹空間交付新型火箭發(fā)射車：20分鐘即發(fā)射

3月18日消息，近期，我國私營航天企業(yè)零壹空間成功向客戶交付了一款具備先進快響火箭發(fā)射技術的發(fā)射車，型號WSD1-07，明碼標價，195萬元。

發(fā)表于：3/19/2024

NVIDIA計算光刻平臺正式落地臺積電

3 月 19 日消息，英偉達今天發(fā)布新聞稿，宣布臺積電和新思科技（Synopsys）正推進部署使用英偉達的計算光刻平臺，以加速制造并推動下一代先進半導體芯片的物理極限。

發(fā)表于：3/19/2024

星艦將徹底顛覆火箭發(fā)射：成本降至十分之一

3月19日消息，據(jù)媒體報道，SpaceX公司的星艦在上周進行了第三次試飛?；鸺晒Πl(fā)射升空，不過在重返大氣層過程中失聯(lián)，未能完美著陸，原預定計劃中星艦應墜落在印度洋中。哈佛商學院的助理教授布蘭登·羅索表示，星艦的出現(xiàn)，為SpaceX再次大幅降低發(fā)射成本創(chuàng)造了可能。星艦是史上最大的發(fā)射系統(tǒng)，其超重型助推器產(chǎn)生的推力是送阿波羅宇航員登月的火箭的兩倍多。完全開發(fā)后，星艦將能夠?qū)⒍噙_150噸的貨物送入軌道，相較之下，SpaceX目前的主力火箭獵鷹9號每次最多能將22噸有效載荷送入近地軌道。不僅如此，星艦的另一項突破在于可以重復利用，為大幅降低發(fā)射成本提供了可能，SpaceX已經(jīng)通過獵鷹9號火箭的商業(yè)模式證明了這一點。這種中型火箭的助推器可以回收再用，而不是一次性使用。得益于這項技術，SpaceX可以以每次約6700萬美元的成本，提供價格低廉、高效的發(fā)射服務。

發(fā)表于：3/19/2024