12月4日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道稱，傳聞韓國存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士（SK Hynix）應(yīng)重要客戶的要求，將于2025年下半以臺(tái)積電3nm制程為客戶生產(chǎn)定制化的第六代高頻寬內(nèi)存HBM4。

報(bào)道稱，消息人士透露，SK海力士已決定與臺(tái)積電合作，最快明年3月就會(huì)發(fā)布一款采用臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是英偉達(dá)（NVIDIA）。

HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎(chǔ)裸片（Base Die），但是HBM4則會(huì)將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以推動(dòng)性能和能效進(jìn)一步提升。具體來說，這個(gè)Logic Base die是連接AI加速器內(nèi)部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件，位于DRAM的底部，主要充當(dāng)GPU和內(nèi)存之間的一種控制器，并且這個(gè)Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設(shè)計(jì)，可以加入客戶自己的IP，有利于HBM實(shí)現(xiàn)定制化，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。預(yù)計(jì)可以將功耗大幅降低至之前的30%。

根據(jù)現(xiàn)有的消息來看，SK海力士會(huì)將其HBM4的base die交由臺(tái)積電3nm制程制造，有望相比之前的傳聞的5nm制程帶來20-30%的提升。而三星的HBM4的base die此前傳聞將會(huì)采用4nm制程制造，這也意味著SK海力士的HBM4可能將會(huì)比三星更具優(yōu)勢(shì)。

不過，據(jù)爆料人士@Jukanlosreve 于11月3日通過社交平臺(tái)X指出，SK海力士之所以改為采用臺(tái)積電3nm制程來制造HBM4 Base Die ，是為了應(yīng)對(duì)三星以4nm來生產(chǎn)HBM4 Base Die 的聲明。結(jié)果，三星現(xiàn)在也考慮以3nm生產(chǎn)HBM4 Base Die ，甚至可能選用臺(tái)積電的3nm制程。