12月4日消息，據《韓國經濟新聞》報道稱，傳聞韓國存儲芯片大廠SK海力士（SK Hynix）應重要客戶的要求，將于2025年下半以臺積電3nm制程為客戶生產定制化的第六代高頻寬內存HBM4。
報道稱，消息人士透露，SK海力士已決定與臺積電合作，最快明年3月就會發(fā)布一款采用臺積電3nm制程生產的基礎裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是英偉達（NVIDIA）。
HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎裸片（Base Die），但是HBM4則會將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以推動性能和能效進一步提升。具體來說，這個Logic Base die是連接AI加速器內部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件，位于DRAM的底部，主要充當GPU和內存之間的一種控制器，并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設計，可以加入客戶自己的IP，有利于HBM實現定制化，從而讓數據處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。
根據現有的消息來看，SK海力士會將其HBM4的base die交由臺積電3nm制程制造，有望相比之前的傳聞的5nm制程帶來20-30%的提升。而三星的HBM4的base die此前傳聞將會采用4nm制程制造，這也意味著SK海力士的HBM4可能將會比三星更具優(yōu)勢。
不過，據爆料人士@Jukanlosreve 于11月3日通過社交平臺X指出，SK海力士之所以改為采用臺積電3nm制程來制造HBM4 Base Die ，是為了應對三星以4nm來生產HBM4 Base Die 的聲明。結果，三星現在也考慮以3nm生產HBM4 Base Die ，甚至可能選用臺積電的3nm制程。
