頭條 英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會(huì)上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時(shí)的預(yù)計(jì)，2024年英偉達(dá)將交付10億個(gè)內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國(guó)峰會(huì)上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會(huì)成員和技術(shù)委員會(huì)代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個(gè)IP中，每年出貨量超過(guò)10億個(gè)RISC-V MCU。 最新資訊 死磕造車，美的換道逐夢(mèng)？ 受地產(chǎn)行業(yè)拖累，這兩年家電企業(yè)的日子并不好過(guò)。轉(zhuǎn)型成了大多數(shù)家電企業(yè)的選擇，而它們中有不少企業(yè)將目光放到了新能源汽車這個(gè)當(dāng)下熱門的行業(yè)上。 發(fā)表于：1/29/2023 國(guó)產(chǎn)新能源車要醒醒了，學(xué)特斯拉降價(jià)才是硬道理，得中國(guó)得天下 在特斯拉4季度的財(cái)報(bào)會(huì)上，CEO馬斯克高興的表示：“降價(jià)舉措不僅正在幫助特斯拉贏回訂單，還切切實(shí)實(shí)推高了特斯拉的股價(jià)”。 發(fā)表于：1/29/2023 因通信錯(cuò)誤，詹姆斯韋伯太空望遠(yuǎn)鏡又一儀器離線 IT之家 1 月 29 日消息，NASA 日前宣布，內(nèi)部通信錯(cuò)誤導(dǎo)致軟件超時(shí)，詹姆斯韋伯太空望遠(yuǎn)鏡的儀器之一，近紅外成像儀和狹縫光譜儀（NIRISS），已經(jīng)離線。 發(fā)表于：1/29/2023 羅徹斯特電子與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社展開正式合作 美國(guó)羅徹斯特電子有限公司（美國(guó)馬薩諸塞州）與先進(jìn)半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）正式建立合作關(guān)系。東芝的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車和消費(fèi)等市場(chǎng)。 發(fā)表于：1/29/2023 教程：圖解時(shí)鐘切換電路使用方法 在soc中有一種常見的情況，有時(shí)為了考慮到功耗，性能的問(wèn)題，某個(gè)模塊可能在某一種情況下工作在一個(gè)頻率，另一種情況下工作在另一種頻率，這個(gè)時(shí)候就需要進(jìn)行mux的切換，有的人就會(huì)說(shuō)了，哪簡(jiǎn)單啊，加個(gè)mux啊，可事實(shí)真的如此嗎？ 發(fā)表于：1/28/2023 入門：使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器的比例電阻測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí) 了解模數(shù) （A/D） 轉(zhuǎn)換器中比率電阻測(cè)量的基礎(chǔ)知識(shí)、測(cè)量方法以及數(shù)字萬(wàn)用表 （DMM）、微處理器和各種電阻傳感器中的應(yīng)用示例。 發(fā)表于：1/28/2023 雙極性ADC和差分ADC中的失調(diào)誤差和增益誤差 失調(diào)誤差可能會(huì)影響單極性ADC的傳遞函數(shù)。 考慮到這一點(diǎn)，單極性ADC的輸入只能接受正電壓。 相比之下，雙極性ADC的輸入可以處理正電壓和負(fù)電壓。 在本文中，我們將探討雙極性和差分ADC的失調(diào)和增益誤差規(guī)格； 并了解失調(diào)誤差的單點(diǎn)校準(zhǔn)。 發(fā)表于：1/28/2023 ADC 失調(diào)和 ADC 增益誤差規(guī)格 本文深入探討失調(diào)和增益誤差規(guī)格。 發(fā)表于：1/28/2023 教程：三極管典型的放大應(yīng)用電路分析(二) 上節(jié)內(nèi)容我們討論了如何分析一個(gè)三極管的放大電路，這些電路現(xiàn)在已經(jīng)很少以分立電路的形式出現(xiàn)在產(chǎn)品中了。甚至對(duì)于集成電路而言也已經(jīng)很少采用BJT工藝，絕大部分的集成電路采用功耗更低，速度更快的CMOS工藝。但是，分析的方法論對(duì)于進(jìn)一步學(xué)習(xí)模擬電路或者集成電路是有益的。引用筆者的一句校訓(xùn)來(lái)說(shuō)就是：“越基礎(chǔ)的越有生命力，越基礎(chǔ)的越有遷移力”。那么這一節(jié)我們將探討下現(xiàn)在依然活躍在分立電路中幾種典型的三極管應(yīng)用電路。 發(fā)表于：1/28/2023 教程：三極管典型的放大應(yīng)用電路分析(一) 如今在三極管的應(yīng)用電路中，越來(lái)越多的開關(guān)電路被MOSFET取代。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）為壓控型器件，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，速度快，驅(qū)動(dòng)能耗低，因此更加廣泛的應(yīng)用在開關(guān)電路中。 本文將對(duì)一些三極管典型的放大應(yīng)用電路進(jìn)行比較深入和分析和仿真。 發(fā)表于：1/28/2023 ?…250251252253254255256257258259…?
