微波射頻相關(guān)文章 三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大关 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。 發(fā)表于：2010/5/11 美光12亿美元并恒忆 坐拥DRAM、NAND、NOR三大技术 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。 發(fā)表于：2010/5/11 下世代内存大战起 国际大厂攻势凌厉 近期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热，继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后，恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量达128Mb，随着国际大厂接连发动攻势，让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来！ 發(fā)表于：2010/5/11 为存储器测试开发低成本的解决方案 本文将探讨存储器测试解决方案的开发以及验证功能和物理连接所需的测试设备功能。并分析除了满足存储器基本功能测试之外，如何扩展测试能力。 發(fā)表于：2010/5/11 德州仪器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET 随着许多标准架构(PCI、ATCA)，电信及服务器机柜的尺寸越来越小，功率密度会越来越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越来越多，从而导致其电流不断增加。所以，客户需要具有更小体积和更高电流的DC/DC电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用创新封装手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足客户需求。 發(fā)表于：2010/5/10 英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8无管脚SMD封装，旨在实现更高功率密度解决方案 2010年5月10日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。 發(fā)表于：2010/5/10 加强布局新兴市场 益登科技扩增国内及东南亚营销据点 专业电子元器件代理商益登科技（TSE:3048）今日宣布，为了提供新兴市场更实时而完整的服务，该公司近期相继于西安、成都、青岛以及印度设立营运处，重点覆盖当地业务，并辐射周边市场，在国内及东南亚地区构建更绵密的分销格局。 發(fā)表于：2010/5/10 全球DRAM产业营收2010第一季营收续成长6.9% 根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与14%；DDR２合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2010年第一季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档价格。 發(fā)表于：2010/5/7 Vishay帮助客户进一步了解Vishay Dale电阻技术的先进性 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Strip®分流电阻的流媒体视频。 發(fā)表于：2010/5/6 Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道TrenchFET功率MOSFET 在紧凑的3.3mmx3.3mm占位面积内，该器件具有业内同类30V MOSFET中最低的导通电阻，在10V和4.5V下的导通电阻分别为7mΩ和11mΩ 發(fā)表于：2010/5/5 IDT 推出首款封装和裸片/晶圆形式高精度全硅 CMOS振荡器 致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）今天宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS 振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。产品提供的晶圆形式实现了板上芯片（CoB）和多芯片模块（MCM）组装设计，有效节省了空间。 發(fā)表于：2010/5/4 恒忆下一代存储助力医疗电子设计 在日前举办的第三届中国国际医疗电子技术大会（CMET2010）上，恒忆嵌入式系统事业部亚洲市场部业务拓展经理祁峰为我们带来了医疗应用市场对闪存的要求以及恒忆存储器技术的介绍。 發(fā)表于：2010/4/29 Vishay新款TANTAMOUNT固态钽电容可满足宇航级应用T”-level要求 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 4 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固态钽电容器现可满足MIL-PRF-55365为宇航级应用制定的“T”-level要求。 發(fā)表于：2010/4/29 HDbaseT技术解析 以色列初创无晶圆半导体厂商Valens开发的HDbaseT技术将解决HDMI面临的这些困难。据Valens亚洲区销售总监Marvin介绍，HDbaseT支持最高20Gbps的传输速率，能更好的支持未来的3D和2K×4K视频格式，传输采用普通的CAT5e/6网络线缆，连接器也采用普通的RJ45接头，而传输距离达到了100米，此外，还提供以USB、太网功能、100W的供电能力（PoC）和其他控制信号通道。 發(fā)表于：2010/4/28 SAFC HITECH® 任命 PHILIP ROSE 为新总裁；看到电子行业的巨大机会 Sigma-Aldrich® Group成员企业 SAFC® 旗下业务部门 SAFC Hitech® 今天宣布任命 Philip Rose 为公司新总裁，接替2010年4月1日退休的 Barry Leese 的工作。Philip Rose在罗门哈斯 (Rohm & Haas)（于2009年被陶氏化学 (Dow Chemical) 收购）工作了20年之后， 加盟了 SAFC Hitech，他将在 SAFC Hitech位于马萨诸塞州黑弗里耳的部门办公。在任职于罗门哈斯期间，他在美国、韩国和日本的研发、营销、运营和业务开发领域担任过多项高级职务。 發(fā)表于：2010/4/26 <…170171172173174175176177178179…>
